半导体设备和功率管理IC
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112783246B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202011217454.6

    申请日:2020-11-04

    Inventor: 别井隆文

    Abstract: 本公开的实施例涉及半导体设备和功率管理IC。半导体设备具有稳压器电路,稳压器电路具有:偶数数目的开关稳压器,开关稳压器从输入电源生成输出功率;以及功率管理IC,功率管理IC控制由开关稳压器生成的输出电位。半导体设备的特征在于,偶数数目的开关稳压器的一半的组被布置在半导体设备系统板的第一表面上,并且其余一半的开关稳压器的组被布置在第二表面上,第二表面与第一表面成前后关系。该半导体设备减小了半导体设备的板面积(图案资源)。

    半导体器件
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106409795B

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201610617828.0

    申请日:2016-07-29

    Abstract: 提供了可以防止尺寸增加的一种半导体器件。该半导体器件包括:半导体芯片,该半导体芯片具有第一主表面和与该第一主表面相对的第二主表面;以及布线衬底,在布线衬底之上安装有半导体芯片从而使得半导体芯片的第二主表面面朝布线衬底的第一主表面。在半导体芯片的第二主表面之上,布置有与第一电路连接的多个第一端子和与第二电路连接的多个第二端子。该多个第一端子的布置图案和该多个第二端子的布置图案包括相同的布置图案。当从半导体芯片的第一主表面看时,在布线衬底的第一电路接近第二电路的区域中,形成向第一电路供应电源电压的电压线。在布线衬底的第二电路接近第一电路的区域中,形成向第二电路供应电源电压的电压线。

    电子器件
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106409332B

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201610475910.4

    申请日:2016-06-24

    Abstract: 本发明提供能够实现信号品质的提高的电子器件。电子器件具有:半导体存储器件(DDRDE1);针对该半导体存储器件进行数据的存取的半导体器件(CTLDE);以及搭载它们的布线基板(BD)。布线基板(BD)具有分别使用第一及第二布线层将半导体器件(CTLDE)分别与半导体存储器件(DDRDE1)的第一及第二数据端子(例如DQ_Au及DQ_Bu)电连接的第一及第二数据布线(LN2_DQ及LN41_DQ)。第一布线层是比第二布线层更接近半导体器件的布线层,第一数据端子(DQ_Au)与第二数据端子(DQ_Bu)相比与半导体器件(CTLDE)之间的距离更远。

    半导体器件
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106409807B

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201610542037.6

    申请日:2016-07-11

    Abstract: 目的是提供一种具有更少故障的半导体器件。半导体器件具有:半导体芯片,具有以第一电源电压操作的第一信号输出电路、以第二电源电压操作的第二信号输出电路和多个凸块电极;和布线板,包括面对半导体芯片的主表面的第一主表面、其间具有布线层的与第一主表面相对的第二主表面、在第一主表面上的第一外部端子和在第二主表面上的第二外部端子;半导体芯片被安装在布线板上以将凸块电极耦合至第一外部端子。在从第二主表面观察的情况下,待供应有第一信号和第二信号的第二外部端子比待供应有第一电源电压和第二电源电压的第二外部端子更靠近半导体芯片布置。

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