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公开(公告)号：CN109468075B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201810908626.0
申请日：2018-08-10
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/10 , C09J7/30 , C09J163/00 , C09J171/12 , C09J11/04 , H01L23/29
Abstract: 本发明提供一种树脂片，其不容易在树脂组合物层与支撑片的界面产生浮起，加工和搬运时的操作性优异。本发明提供的树脂片(1)在采用面板级封装的半导体装置的制造方法中，用于电子元件的密封或绝缘膜的形成，树脂片(1)具备第一支撑片(11)、树脂组合物层(10)、及第二支撑片(12)，树脂组合物层(10)由含有热固化性树脂、30质量％以下的热塑性树脂及50质量％以上的无机微粒的树脂组合物形成，第一支撑片(11)的与树脂组合物层(10)的接触面未利用有机硅类剥离剂进行剥离处理，使用气相色谱质谱分析法测定的、将树脂组合物层(10)在120℃下加热30分钟时所产生的挥发成分浓度为100～45000ppm。
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公开(公告)号：CN110997765A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880049577.8
申请日：2018-11-06
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及一种树脂片，其用于电子部件的密封，所述树脂片具备由含有环氧树脂的树脂组合物形成的固化性树脂组合物层，由所述固化性树脂组合物层固化而成的固化层在150℃下的储能模量为0.1MPa以上、1000MPa以下，由所述树脂组合物固化而成的固化物的玻璃化转变温度为30℃以上、160℃以下。通过该树脂片，即使在使用较大面积的树脂片时，也能够良好地抑制所得到的密封体的翘曲。
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公开(公告)号：CN110383465A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880015474.X
申请日：2018-02-05
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种密封片1，其在具有使用碱性溶液的处理工序的半导体装置的制造方法中，用于密封内置在基板内的半导体芯片2或密封粘着片8上的半导体芯片2，密封片1至少具备固化性的粘合剂层11，粘合剂层11由粘合剂组合物形成，所述粘合剂组合物含有热固性树脂、热塑性树脂、及利用最小被覆面积为550m2/g以上、1500m2/g以下的表面处理剂进行了表面处理的无机填料。该密封片1中，无机填料不容易从固化层11’上脱离。
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公开(公告)号：CN109852097A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811140319.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种树脂片(1)，其为在半导体装置的制造方法中用于电子元件的密封的树脂片(1)，树脂片(1)具备固化性的树脂组合物层(11)，树脂组合物层(11)由含有固化性树脂、造膜性树脂及无机填料的树脂组合物形成，所述造膜性树脂含有聚乙烯醇缩醛树脂。该树脂片(1)能够形成厚膜的树脂组合物层，且该树脂组合物层固化而成的固化层具有优异的电镀附着性。
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公开(公告)号：CN109575822A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811148501.9
申请日：2018-09-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/10 , C09J7/30 , C09J163/00 , C09J11/04
Abstract: 本发明提供一种树脂片，其为在半导体装置的制造方法中用于密封电子元件的树脂片，所述树脂片具备固化性的树脂组合物层，所述树脂组合物层由含有着色材料的树脂组合物形成，所述着色材料包含构成脂肪族烃基的碳原子相对于全部碳原子的比例超过3质量％的碳类材料、及绝缘性的金属化合物中的至少一者，所述树脂组合物层固化而成的固化层对波长1500～1000nm的透光率为40％以下、对波长800～400nm的透光率为10％以下。根据该树脂片，在所得到的半导体装置中，可实现电子元件优异的隐蔽性，并能够抑制由来自外部电磁波造成的故障，树脂组合物层固化而成的固化层具有优异的绝缘性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427751A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810951627.3
申请日：2018-08-21
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种不容易产生剥离静电的树脂片。本发明提供一种树脂片(1)，其为在采用面板级封装的半导体装置的制造中，用于电子元件的密封或绝缘膜的形成的树脂片(1)，树脂片(1)具备第一支撑片(11)、及层叠在第一支撑片(11)的一面上的树脂组合物层(10)，第一支撑片(11)具有抗静电性，以剥离速度10m/分钟将第一支撑片(11)从树脂组合物层(10)上剥离时的、第一支撑片(11)的剥离静电压的绝对值小于200V。
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公开(公告)号：CN104271694B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380025270.1
申请日：2013-05-14
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02 , B32B27/00 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC classification number: B32B37/12 , B32B27/08 , B32B27/302 , B32B27/32 , B32B37/18 , B32B38/10 , B32B2255/26 , B32B2307/54 , B32B2307/546 , B32B2405/00 , B32B2457/14 , C09J7/38 , C09J133/08 , C09J2203/326 , H01L21/6835 , H01L24/83 , H01L2224/32145 , H01L2224/3224 , H01L2224/3226 , H01L2224/8385 , H01L2924/12042 , Y10T428/2848 , Y10T428/287 , H01L2924/00
Abstract: [课题]提供一种在保持了芯片状部件的整齐性（整列性）的情况下能够转印芯片状部件的带粘接性树脂层的片。另外，提供一种使用了该片的半导体装置的制造方法。[解决手段]本发明的带粘接性树脂层的片包含基材和层叠在该基材上的粘接性树脂层，以70℃加热1分钟后的基材的MD方向和CD方向的收缩率为-0.5~0.5%，基材的硬挺度为80mm以上。
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公开(公告)号：CN102834478A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180017215.9
申请日：2011-03-30
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J163/00 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J133/00 , H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: C09J133/10 , C08G59/621 , C08L33/10 , C08L63/00 , C09J163/00 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 本发明的课题在于在对半导体晶片、芯片不进行特别处理的情况下，赋予所得到的半导体装置以吸杂功能。该课题是如下而得以解决的：作为用于将半导体芯片固定到芯片搭载基板上的粘接剂，使用含有丙烯酸聚合物(A)、环氧系热固化性树脂(B)、热固化剂(C)、以及有机螯合剂(D)或重金属钝化剂(E)的粘接剂组合物。
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公开(公告)号：CN108475670B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201780004485.3
申请日：2017-02-13
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L25/065 , C09J11/04 , C09J11/08 , C09J201/00 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明提供一种三维集成层叠电路制造用片1，其介于具有贯通电极的多个半导体芯片之间，其用于将所述多个半导体芯片相互粘合并制成三维集成层叠电路，所述三维集成层叠电路制造用片1至少具备固化性的粘合剂层13，构成粘合剂层13的材料固化前的在90℃下的熔融粘度为1.0×100～5.0×105Pa·s，固化物在0～130℃下的平均线膨胀系数为45ppm以下。该三维集成层叠电路制造用片1能够制造半导体芯片之间的连接电阻不易变化、具有高可靠性的三维集成层叠电路。
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公开(公告)号：CN110800092A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201780092553.6
申请日：2017-08-04
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包括：电子零件载置工序，其中，在具备粘着片(12)与固化性的第一树脂组合物层(11)的层叠片(1)上载置电子零件(2)；层叠工序，其中，层叠具备固化性的第二树脂组合物层(3)的密封片；固化工序，其中，得到具备第一树脂组合物层(11)固化而成的第一固化层(11’)、第二树脂组合物层(3)固化而成的第二固化层(3’)、及通过第一固化层(11’)及第二固化层(3’)而密封的上述电子零件(2)，同时剥离粘着片(12)而成的密封体(4)；孔形成工序，其中，形成孔(5)；去胶渣工序，其中，对密封体(4)进行去胶渣处理；及电极形成工序，其中，形成电极(6)。该半导体装置的制造方法使半导体装置的高集成化及高功能化成为可能，同时也可适用于高效率且高成品率的方法。
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