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公开(公告)号：CN118588576A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410648967.4
申请日：2024-05-23
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种反馈碳膜质量的工艺方法和碳膜质量的检测方法，该方法包括：提供衬底；在衬底上形成参考膜层；采用外延生长工艺在参考膜层背离衬底的一侧形成碳膜；使腐蚀液透过碳膜对参考膜层进行腐蚀，参考膜层形成孔洞，孔洞用于反馈碳膜的当前性能参数；在腐蚀液对参考膜层腐蚀结束后，采用热处理工艺去除碳膜。通过观察参考膜层形成的孔洞的相关参数确定碳膜的当前性能参数，对外延生长工艺的参数进行更新，进而提升半导体器件的碳膜的质量，不需要采用量测机台，进而不会产生清理机台的费用，解决了现有技术中对半导体器件的碳膜质量进行检测的结果不准确，且成本较高的问题。
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公开(公告)号：CN119890080A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411914133.X
申请日：2024-12-24
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开的本发明提供的超薄片晶圆的解键合方法及设备，属于半导体加工技术领域。本发明在晶圆送入清洗腔室前，先将所述清洗腔室与所述供料腔室及解键合腔室连通，使三腔室气压均为常压；将完成解键合后的晶圆传送至清洗腔室内后，将清洗腔室与所述供料腔室及解键合腔室隔断，使得晶圆在没有压差的环境下进行清洗，晶圆转动清洗时更稳定，不会发生漂移，同时也避免清洗液外溅；当完成对晶圆的清洗时，对所述清洗腔室抽气，使得清洗腔室与供料腔室再次连通时，供料腔室及解键合腔室与所述清洗腔室形成压差，避免取出晶圆时，清洗腔室残留的清洗液外溅，直到取出晶圆后停止抽气。本发明能够有效解决晶圆解键合工艺中清洗环节的晶圆漂移问题。
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公开(公告)号：CN119069539A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411565557.X
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括：每个源区结构包括第一源区结构和第二源区结构，第一源区结构位于外延层背离衬底的一侧，第二源区结构位于外延层背离衬底的一侧，且第一源区结构背离衬底的一侧表面位于第二源区结构靠近衬底一侧的表面中；栅极结构的底面和第一侧面分别与源区结构接触；多个整流结构，整流结构至少部分位于外延层中，整流结构与源区结构接触，整流结构具有与外延层不同的掺杂类型，其中，多个整流结构在第一方向上间隔设置，第一方向平行于第一侧面。以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差，与无法满足不同耐压器件续航能力的问题。
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公开(公告)号：CN119069536A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411565541.9
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，该器件包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；漂移层；第一源区结构和第二源区结构；隔离结构包括第一隔离层和多个第二隔离层，第二隔离层间隔的位于第一隔离层背离漂移层的一侧，每个第二隔离层中具有沿第一方向交替分布的第一掺杂层和第二掺杂层，相邻的任意两个第二隔离层的第一掺杂层具有不同的掺杂浓度，相邻的任意两个第二隔离层的第二掺杂层具有不同的掺杂浓度，第一方向为第二隔离层的延伸方向；栅极结构。在MOS管中形成了具有掺杂浓度不同的隔离结构，形成了耐静电击穿的不同单体隔离，以在不同适应场景下快速启用对应的抗静电单体，泄洪静电电流进而保护MOS器件。
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公开(公告)号：CN119008440A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410971832.1
申请日：2024-07-19
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供了一种监控碳化硅晶圆翘曲的方法，包括：在碳化硅晶圆表面设置N个采样点，其中，N≥2。测量N个采样点的粗糙度，粗糙度在显微镜下测量得到。根据粗糙度监控研磨质量，粗糙度与碳化硅晶圆的翘曲呈正相关。若研磨质量异常，则更换研磨设备，或调整工艺参数。一个采样点的粗糙度较大，说明碳化硅晶圆在该点的局部翘曲较大；N个采样点的粗糙度均较大，说明碳化硅晶圆整体的翘曲较大。在加工碳化硅晶圆的过程中监控碳化硅晶圆表面N个采样点的粗糙度，根据粗糙度可以及时判断研磨质量是否存在异常，在研磨质量存在异常时，在硬件上更换研磨设备，或在软件上调整工艺参数，可以避免在后续加工过程中出现加工异常。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118763121A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411256993.9
申请日：2024-09-09
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/07 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/872 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本申请公开了一种沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法，沟槽MOS器件包括贯穿源区并延伸至漂移层中的栅沟槽结构，栅沟槽结构包括栅介质层和栅极，栅介质层包括第一区域和第二区域，第一区域与第二区域分别在第一方向上具有第一厚度和第二厚度，第二厚度大于第一厚度；位于漂移层背离衬底的一侧的整流结构，整流结构包括半导体材料区域和漂移层区域，漂移层区域包括与半导体材料区接触的部分漂移层，半导体材料区域与漂移层具有不同的掺杂类型，以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差的问题。
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公开(公告)号：CN119943825A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411906273.2
申请日：2024-12-23
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H10D62/10 , H10D62/83 , H10D30/60 , H10D30/01
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件结构及其制备方法，属于半导体器件生产技术领域。该半导体器件结构包括沿第一方向依次设置的衬底、漂移区和若干保护层，保护层中对应半导体器件的相邻元胞区之间开设有供芯片切割使用的划片道。沿第一方向，划片道截面呈台阶状，且划片道截面宽度逐渐增大；第一方向为半导体器件的背面到正面的方向。该结构通过在保护层形成截面为台阶状的划片道，使得保护层能够大大降低划片过程中高速溅射的碎屑损坏元胞的概率，降低划片过程中产生的崩边；而且台阶状的划片道能够限定划片刀轮的区域，降低刀轮滑刀的概率。
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公开(公告)号：CN119698040A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411917708.3
申请日：2024-12-24
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件和MOS器件的制备方法，包括至少一个源极沟槽结构，位于相邻两个第一侧面之间并与源区结构接触设置，源极沟槽结构包括第一栅极、第二栅极、第一介质层和第二介质层，第一介质层位于第一栅极和第二栅极之间，第一栅极、第二栅极和第一介质层构成第一结构，第二介质层分别位于第一结构的侧面和底面并与源区结构和漂移层接触，第一介质层至少包括由第二方向叠层设置第一材料层和第二材料层，第一材料层的材料具有的介电常数大于与第二材料层的材料具有的介电常数，第二方向为由衬底指向源区结构的方向。以解决相关技术中MOS器件中源漏之间反向漏电流损坏器件和源漏之间耦合面积较大导致功耗较大的问题。
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公开(公告)号：CN118866974B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411343002.0
申请日：2024-09-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括衬底以及在衬底上层叠设置的漂移层和多个源区，MOS器件还包括：栅氧层，栅氧层至少与源区接触，栅氧层包括在第一方向上交替设置的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层包括不同的第一绝缘材料，第一方向平行于衬底与漂移层接触的表面。该MOS器件包括不同绝缘材料的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层在平行于衬底与漂移层接触的表面上交替设置，采用常规的栅氧和高K介质材料替换单一的栅氧，提高耐击穿属性，降低介质层中的电场强度，减弱FN隧穿电流，提高栅介质可靠性。以解决相关技术中栅氧在高压场合下容易击穿导致可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN118763121B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411256993.9
申请日：2024-09-09
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/07 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/872 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本申请公开了一种沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法，沟槽MOS器件包括贯穿源区并延伸至漂移层中的栅沟槽结构，栅沟槽结构包括栅介质层和栅极，栅介质层包括第一区域和第二区域，第一区域与第二区域分别在第一方向上具有第一厚度和第二厚度，第二厚度大于第一厚度；位于漂移层背离衬底的一侧的整流结构，整流结构包括半导体材料区域和漂移层区域，漂移层区域包括与半导体材料区接触的部分漂移层，半导体材料区域与漂移层具有不同的掺杂类型，以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差的问题。
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