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公开(公告)号：CN107579121A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201611149881.9
申请日：2016-12-13
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/872 , H01L21/046 , H01L29/0619 , H01L29/0688 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/08 , H01L29/1608 , H01L29/6606
Abstract: 本公开提供了肖特基势垒二极管及其制造方法。根据本公开示范性实施方式的肖特基势垒二极管包括：设置在n+型碳化硅基底的第一表面上的n-型层；设置在n-型层上的p+型区域和p型区域，p+型区域和p型区域相互分离；设置在n-型层、p+型区域和p型区域上的阳极；以及设置在n+型碳化硅基底的第二表面上的阴极，其中p型区域有多个，在平面上具有六角形形状，并且以矩阵形状设置，以及设置在p+型区域和p型区域之间的n-型层在平面上具有六角形形状而且围绕p型区域。
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公开(公告)号：CN106876390A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610561758.1
申请日：2016-07-15
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L21/8222
CPC classification number: H01L29/7805 , H01L21/047 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L27/0635 , H01L21/8222
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该器件包括具有设置在n+型碳化硅衬底的第一表面中的沟槽的n‑型层。n+型区和第一p型区设置在n‑型层和沟槽的侧面处。多个第二p型区设置在n‑型层处并与第一p型区隔开。栅极包括分别设置在沟槽处的第一栅极和从第一栅极延伸的多个第二栅极。源极设置在栅极上并与其绝缘。漏极设置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。源极接触彼此隔开的多个第二p型区，在第二p型区中设置有n‑型层。
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公开(公告)号：CN108615730B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201710755153.0
申请日：2017-08-29
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件可以包括：n‑型层，其设置在n+型碳化硅衬底的第一表面处；p‑型区域、p型区域、n+型区域和p+型区域，各设置在n‑型层的上部；栅电极和源电极，各设置在n‑型层上并彼此绝缘；以及漏电极，其设置在n+型碳化硅衬底的第二表面处，其中，源电极与p‑型区域、n+型区域和p+型区域接触，并且源电极可以包括欧姆结区域和肖特基结区域，所述欧姆结区域设置在源电极与n+型区域的接触部分处以及源极区域与p+型区域的接触部分处，而所述肖特基结区域设置在源电极与p‑型区域的接触部分处。
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公开(公告)号：CN107579109B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201611031572.1
申请日：2016-11-22
Applicant: 现代自动车株式会社
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包含：n‑型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，形成在n‑型层中并且彼此分离；n+型区，布置在第一沟槽的侧面与第二沟槽的侧面之间并且布置在n‑型层上；栅极绝缘层，布置在第一沟槽内；源极绝缘层，布置在第二沟槽内；栅极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅极上；源极，布置在氧化层、n+型区、及源极绝缘层上；以及漏极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。
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公开(公告)号：CN108615758B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201710622691.2
申请日：2017-07-27
IPC: H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，可包括：n‑型层，依次布置在n+型碳化硅衬底的第一表面处；p型区域，布置在n‑型层中；辅助n+型区域，布置在p型区域上或p型区域中；n+型区域，布置在p型区域中；辅助电极，布置在辅助n+型区域和p型区域上；栅电极，与辅助电极分离并布置在n‑型层上；源电极，与辅助电极和栅电极分离；以及漏电极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面处，其中，辅助n+型区域与n+型区域彼此分离，并且源电极与n+型区域接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107958936A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710119656.9
申请日：2017-03-02
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L21/26506 , H01L21/30604 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/66666 , H01L29/1033
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括n+型碳化硅基板、n-型层、n型层、多个沟槽、p型区域、n+型区域、栅极绝缘膜、栅电极、源电极、漏电极和沟道。多个沟槽被布置为平面矩阵形状。n+型区域被布置为具有开口的平面网格类型、围绕沟槽中的每一个、并且在平面对角线方向上彼此相邻的沟槽之间与源电极接触。p型区域被布置在平面网格类型的n+型区域的开口中。
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公开(公告)号：CN107026203A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610983600.3
申请日：2016-11-09
Applicant: 现代自动车株式会社
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/0619 , H01L29/0684 , H01L29/1608 , H01L29/78 , H01L29/7828 , H01L29/7827 , H01L21/0445 , H01L29/66068
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一n‑型层和第二n‑型层，顺次布置在n+型碳化硅基板的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，布置在第二n‑型层处并且彼此分隔开；p型区域，围绕第一沟槽的侧表面和下表面；n+型区域，布置在p型区域和第二n‑型层上；栅极绝缘层，布置在第二沟槽中；栅电极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅电极上；源电极，布置在氧化层和n+型区域上且布置在第一沟槽中；以及漏极，布置在n+型碳化硅基板的第二表面处。
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公开(公告)号：CN110444606B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN201811333707.9
申请日：2018-11-09
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置可以包括：n型层、p+型区域、p‑型区域、第一电极和第二电极，所述n型层设置在衬底的第一表面上；所述p+型区域设置在衬底的第一表面上；所述p‑型区域设置在n型层的顶表面上；所述第一电极设置在p+型区域上和p‑型区域上；所述第二电极设置在衬底的第二表面上；其中，p+型区域的侧表面和n型层的侧表面接触，并且p+型区域的厚度与n型层的厚度和p‑型区域的厚度相同。
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公开(公告)号：CN106876390B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201610561758.1
申请日：2016-07-15
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L21/8222
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该器件包括具有设置在n+型碳化硅衬底的第一表面中的沟槽的n‑型层。n+型区和第一p型区设置在n‑型层和沟槽的侧面处。多个第二p型区设置在n‑型层处并与第一p型区隔开。栅极包括分别设置在沟槽处的第一栅极和从第一栅极延伸的多个第二栅极。源极设置在栅极上并与其绝缘。漏极设置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。源极接触彼此隔开的多个第二p型区，在第二p型区中设置有n‑型层。
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公开(公告)号：CN107579121B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201611149881.9
申请日：2016-12-13
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本公开提供了肖特基势垒二极管及其制造方法。根据本公开示范性实施方式的肖特基势垒二极管包括：设置在n+型碳化硅基底的第一表面上的n‑型层；设置在n‑型层上的p+型区域和p型区域，p+型区域和p型区域相互分离；设置在n‑型层、p+型区域和p型区域上的阳极；以及设置在n+型碳化硅基底的第二表面上的阴极，其中p型区域有多个，在平面上具有六角形形状，并且以矩阵形状设置，以及设置在p+型区域和p型区域之间的n‑型层在平面上具有六角形形状而且围绕p型区域。
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