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公开(公告)号：CN101516970B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200780034461.9
申请日：2007-09-21
Applicant: JSR株式会社
IPC: C08G77/12 , C04B41/81 , C09D183/05 , H01L21/316 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/3124 , C08G77/06 , C08G77/12 , C08G77/16 , C09D183/04 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/316 , H01L21/76224
Abstract: 本发明涉及有机硅树脂，其特征在于：由下述示性式(1)表示：(H2SiO)n(Si1.5)m(SiO2)k(1)(式(1)中，n、m和k分别为数，n+m+k＝1时，n为0.05以上，m超过0但为0.95以下，k为0～0.2)，该树脂在120℃下为固态。本发明的有机硅树脂适合在用于形成长宽比较大的沟槽隔离的组合物中使用。
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公开(公告)号：CN101365821B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200680052501.8
申请日：2006-07-27
Applicant: JSR株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/16 , C23C16/4485 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76873
Abstract: 本发明涉及一种使形成有选自钴化合物、钌化合物和钨化合物中的至少一种金属化合物的膜的基体上的金属化合物升华，将该升华气体向用于形成金属膜的基体供给并分解，由此在基体表面上形成金属膜的方法。提供一种能简单形成下述金属膜的方法：在绝缘体基板的沟槽内，采用镀敷法将金属特别是铜埋入之际，在形成种子层的同时，还起到防止金属原子向绝缘膜迁移的阻挡层的作用，且和绝缘体的密合性优良的金属膜。
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公开(公告)号：CN1868037A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480030494.2
申请日：2004-10-06
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01L21/28518 , C07F17/02 , C23C18/1204 , C23C18/14
Abstract: 本发明提供一种不需要高价的真空装置或高频发生装置、并且制造成本低的用于形成硅·钴膜的组合物和方法。所述用于形成硅·钴膜的组合物含有硅化合物和钴化合物。将该组合物涂布在基体上，通过热和光进行处理时，形成硅·钴膜。
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公开(公告)号：CN1965034A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018977.5
申请日：2005-04-13
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明提供新型的染料以及使用该染料的染料敏化太阳能电池，所述染料在用于染料敏化太阳能电池时，显示高转换效率、优异的耐候性、耐热性。该染料如下式(1)所示：ML1L2X1X2…(1)，式(1)中，M为元素周期表长表上的8～10族元素，L1和L2分别为含有特定联吡啶的二齿配体，X1和X2为一价原子基团或单齿配体。
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公开(公告)号：CN101365821A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200680052501.8
申请日：2006-07-27
Applicant: JSR株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/16 , C23C16/4485 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76873
Abstract: 本发明涉及一种使形成有选自钴化合物、钌化合物和钨化合物中的至少一种金属化合物的膜的基体上的金属化合物升华，将该升华气体向用于形成金属膜的基体供给并分解，由此在基体表面上形成金属膜的方法。提供一种能简单形成下述金属膜的方法：在绝缘体基板的沟槽内，采用镀敷法将金属特别是铜埋入之际，在形成种子层的同时，还起到防止金属原子向绝缘膜迁移的阻挡层的作用，且和绝缘体的密合性优良的金属膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1579012A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN03801435.1
申请日：2003-08-15
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/208
CPC classification number: C23C24/10 , C23C26/02 , C30B7/005 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L21/02667 , H01L21/02686
Abstract: 本发明提供含有硅粒子和分散介质的硅膜形成用组合物以及在基体上形成上述硅膜形成用组合物的涂膜，接着进行瞬间熔融、热处理或者光处理的硅膜的形成方法。采用该组合物和方法，能够高效率并且简便地形成用作为太阳能电池的硅膜那样的具有所要求的膜厚的多晶硅膜。
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公开(公告)号：CN103189403A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180053151.8
申请日：2011-10-24
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01L51/5259 , B01D53/28 , B01D2253/202 , B01J20/223 , C08F220/04 , C08F222/1006
Abstract: 本发明的组合物含有下述通式(1)所示的化合物(A)和自由基产生剂(C)。(R1)nM (1)上述式(1)中，R1可以相同也可以不同，但是多个存在的R1之中的至少一个为具有一个以上不饱和键的基团。n为2或3，等于M的化合价。M为从铝、硼、镁以及钙中选出的一种。
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公开(公告)号：CN101889063A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119770.0
申请日：2008-12-24
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09D185/00 , B32B15/20 , C09D5/00 , C09D7/12 , C07C211/65 , C07F5/06
CPC classification number: C09D185/00 , B32B15/20 , C07C211/65 , C07F5/069 , C09D5/00 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/14
Abstract: 本发明涉及铝膜形成用组合物，该组合物含有下式(1)所示的络合物和下式(2)所示的络合物，下式(1)所示的络合物与下式(2)所示的络合物的摩尔比为40∶60-85∶15，AlH3·NR1R2R3(1)；AlH3·(NR1R2R3)2(2)。式(1)和(2)中，R1、R2和R3各自独立地为氢原子、烷基、环烷基、烯基、炔基、芳基或芳烷基。
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公开(公告)号：CN100585882C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510091746.9
申请日：2000-03-29
IPC: H01L31/18
Abstract: 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN1294626C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN00800438.2
申请日：2000-03-29
IPC: H01L21/208 , C01B33/02
CPC classification number: C23C18/06 , C08G77/60 , C09D183/16 , C23C18/08 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , H01L21/02636 , H01L29/6675 , H01L51/0005 , Y02P20/582
Abstract: 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。
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