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公开(公告)号：CN103548126A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024373.1
申请日：2012-06-08
Applicant: 住友化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/20 , H01L21/0206 , H01L21/02178 , H01L21/0237 , H01L21/02392 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/28264 , H01L29/517 , H01L29/66522
Abstract: 提供一种半导体基板的制造方法，包括：通过外延成长将化合物半导体层形成于基底基板上的步骤；由包含硒化合物的清洗液对化合物半导体层的表面进行清洗的步骤；在化合物半导体层的表面上形成绝缘层的步骤。作为硒化合物可以举出硒氧化物。作为硒氧化物，可以举出H2SeO3。清洗液可以进一步包含从水、氨和乙醇构成的组中选择的一种以上的物质。当化合物半导体层的表面是由InxGa1-xAs(0≤x≤1)构成时，绝缘层最好是由Al2O3构成。Al2O3最好是由ALD法形成。
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公开(公告)号：CN102239549B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN200980148632.X
申请日：2009-11-27
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC classification number: H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
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公开(公告)号：CN102239549A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200980148632.X
申请日：2009-11-27
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC classification number: H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
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公开(公告)号：CN103563068B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201280024791.0
申请日：2012-06-08
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/095 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/28518 , H01L21/76254 , H01L21/823807 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L29/78684
Abstract: 提供一种半导体器件，形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极及第一漏极由构成第一半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第一半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第一半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成，形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极及第二漏极由构成第二半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第二半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第二半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成。
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公开(公告)号：CN103563068A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280024791.0
申请日：2012-06-08
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/095 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/28518 , H01L21/76254 , H01L21/823807 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L29/78684
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极及第一漏极由构成第一半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第一半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第一半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成，形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极及第二漏极由构成第二半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第二半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第二半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103403883A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280009953.3
申请日：2012-03-05
Applicant: 住友化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L31/10 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/032 , H01L29/24 , H01L31/036 , H01L31/09 , H01L31/1085 , H01L31/1804 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种半导体基板，该半导体基板具有：基底基板，其表面的全部或一部分是硅结晶面；抑制体，其位于基底基板之上，具有到达硅结晶面的开口，抑制结晶的生长；第一结晶层，其位于从开口露出的硅结晶面之上，由SixGe1-x(0≤x＜1)构成；第二结晶层，其位于第一结晶层之上，由禁带宽度比第一结晶层大的III-V族化合物半导体构成；以及一对金属层，其位于抑制体以及第二结晶层之上，一对金属层中的每一个金属层与第一结晶层以及第二结晶层分别接触。
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公开(公告)号：CN103384917A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201280009842.2
申请日：2012-03-02
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/78681 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L29/517 , H01L29/6631 , H01L29/66462 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/7783 , H01L29/7786 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法，其目的在于提供一种在DWB法中的贴合时能够减小半导体层所受的损坏，将受到的损坏的影响以及界面能级的影响抑制得低且具有高的载流子迁移率的晶体管。本发明提供的半导体基板具有：基底基板(102)、第1绝缘体层(104)以及半导体层(106)，第1绝缘体层(102)由非晶状金属氧化物或非晶状金属氮化物构成，半导体层(106)包含第1结晶层(108)以及第2结晶层(110)，第1结晶层(108)的电子亲和力(Ea1)大于第2结晶层(110)的电子亲和力(Ea2)。
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公开(公告)号：CN102449784A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080022788.6
申请日：2010-06-03
Applicant: 住友化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L27/1446 , G01J5/024 , H01L31/0392 , H01L31/0543 , H01L31/1035 , H01L31/1852 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种传感器，具有：含硅的基底基板，在基底基板的上方设置的晶种体、以及，与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，且由吸收光或热生成载流子的3至5族化合物半导体组成的光热吸收体，光热吸收体，按照入射到光热吸收体的入射光或施加到光热吸收体的热度而输出电信号。同时，提供半导体基板，具有：含硅的基底基板、在基底基板的上方形成，具有露出基底基板表面的开口，阻碍结晶生长的阻碍体、在开口内部设置的晶种体、与晶种体晶格匹配或准晶格匹配，由吸收光或热度而生成载流子的3-5族化合物半导体构成的光热吸收体。
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公开(公告)号：CN102498542B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201080038691.4
申请日：2010-09-03
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78681 , H01L21/76251 , H01L21/76256 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66742
Abstract: 本发明提供一种半导体基板、场效应晶体管、集成电路和半导体基板的制造方法，通过隔着绝缘膜而使基板彼此粘合，从而能够将一个基板上所形成的半导体层形成在另一个基板上，并且此时不会使该半导体层的晶体结构损伤而能够保持维持高品质的晶体结构的情况下简单地进行制造。MISFET(1)中，通过在InP基板(12)上的III-V族化合物半导体层(7)上使用ALD法来形成表面平坦的氧化膜(6)，从而在常温下仅使该氧化膜(6)和Si基板(2)粘合，就能够将这些氧化膜(6)和Si基板(2)强固地接合，因此能够将一个InP基板(12)上所形成的III-V族化合物半导体层(7)形成在另一个Si基板(2)上，并且此时不会使III-V族化合物半导体层(7)的晶体结构损伤而能够保持维持在高品质的情况下简单地进行制造。
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公开(公告)号：CN103474354A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310343762.7
申请日：2009-11-27
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC classification number: H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
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