公开(公告)号：CN119400702A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411524474.6

申请日：2024-10-29

Applicant: 湖北星辰技术有限公司

Inventor： 吴洁 ,  刘淑娟 ,  任小宁 ,  陈珍

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  C25F3/04 ,  C25F3/08

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体封装结构的制造方法以及半导体封装结构。该制造方法包括：提供基底；在基底中形成盲孔；在盲孔中形成铜合金；铜合金包括牺牲金属；采用电化学去合金法去除铜合金中的牺牲金属形成多孔铜；多孔铜的孔隙率范围为2％至25％。

公开(公告)号：CN119153400A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411283399.9

申请日：2024-09-13

Applicant: 湖北星辰技术有限公司

Inventor： 刘淑娟 ,  任小宁 ,  陈珍 ,  江仲开 ,  王锦驰

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/488

Abstract: 本申请提供一种基于背面供电的互连结构及其制备方法，涉及集成电路技术领域，通过利用金属化的纳米埋入式电源轨对金属化的背面接触孔实现在外延层背面形成电源布线层，即实现背面供电，这样不仅能够有效缓解传统电源线和信号线同侧布置所导致的高压降，提高功率传输性能，减少布线的拥塞，而且更重要的是能够利用金属化的纳米埋入式电源轨进一步的降低电阻，提高设计兼容性。

公开(公告)号：CN119812160A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411997832.5

申请日：2024-12-31

Applicant: 湖北星辰技术有限公司

Inventor： 吴洁 ,  刘淑娟 ,  任小宁

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/15 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、转接板，该半导体结构包括：玻璃基板；导电结构，贯穿玻璃基板；玻璃介质层，位于玻璃基板与导电结构之间；玻璃基板的熔点高于玻璃介质层的熔点。

公开(公告)号：CN119153399A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411283396.5

申请日：2024-09-13

Applicant: 湖北星辰技术有限公司

Inventor： 刘淑娟 ,  吴洁 ,  彭昊阳 ,  杨展頔 ,  王一鸣

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 本申请提供一种基于背面供电的互连结构及其制备方法，涉及集成电路技术领域，通过利用金属化的正面纳米通孔对金属化的背面纳米通孔实现在外延层背面形成电源布线层，即实现背面供电，这样能够有效缓解传统电源线和信号线同侧布置所导致的高压降，提高功率传输性能，减少布线的拥塞。

公开(公告)号：CN119990046A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510035575.5

申请日：2025-01-09

Applicant: 湖北星辰技术有限公司

Inventor： 方聪 ,  刘淑娟 ,  陈珍 ,  刘登武 ,  曾红

IPC: G06F30/392

Abstract: 本公开实施例提供了一种虚拟金属的填充方法、电子设备和存储介质，虚拟金属包括多个虚拟金属块，该方法包括：获取待填充版图，待填充版图包括多层金属层；确定每一金属层的可填充区域；可填充区域为用于填充虚拟金属的空白区域；对多层金属层的可填充区域之间的第一交叠区域进行标记；在已标记的任意连续的至少两层金属层的可填充区域中，分别填充多个虚拟金属块；在已填充多个虚拟金属块的至少两层金属层中，对相邻两层金属层中的多个虚拟金属块之间的多个第二交叠区域进行标记；在多个第二交叠区域中，将满足预设条件的第二交叠区域标记为第三交叠区域；在第三交叠区域内填充至少一个虚拟通孔。

公开(公告)号：CN119764265A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411836990.2

申请日：2024-12-12

Applicant: 湖北星辰技术有限公司

Inventor： 熊能 ,  刘淑娟 ,  张培源 ,  陈珍 ,  曾红

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L23/485 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 公开了一种封装结构及其制造方法，其中，封装结构包括：第一基板，在第一基板上间隔分布的多个芯片结构，以及围绕多个芯片结构的空隙；第二基板，与多个芯片结构远离第一基板的一侧对应键合连接；第二基板与第一基板相对的一侧具有多个间隔分布的第一凹槽图案，多个第一凹槽图案一一对应设置于多个芯片结构的上方。

公开(公告)号：CN119642693A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411856303.3

申请日：2024-12-16

Applicant: 湖北星辰技术有限公司

Inventor： 陈珍 ,  刘淑娟 ,  曾红 ,  张培源 ,  方聪

IPC: G01B7/16 ,  H01L21/66

Abstract: 本申请涉及晶圆检测技术领域，具体公开了一种晶圆翘曲检测结构以及检测方法，检测结构包括第一测量板组件、第二测量板组件以及电容测量设备；第一测量板组件用于与待测晶圆的第一表面连接，第二测量板组件用于与待测晶圆的第二表面连接；待测晶圆的第一表面划分出第一检测区域，待测晶圆的第二表面划分出第二检测区域，第一检测区域与第二检测区域在待测晶圆上的投影重合。本申请通过待测晶圆两侧电容值的差值，能够实现对晶圆的中频波纹度翘曲程度进行精准检测。