公开(公告)号：CN119153400A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411283399.9

申请日：2024-09-13

Applicant: 湖北星辰技术有限公司

Inventor： 刘淑娟 ,  任小宁 ,  陈珍 ,  江仲开 ,  王锦驰

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/488

Abstract: 本申请提供一种基于背面供电的互连结构及其制备方法，涉及集成电路技术领域，通过利用金属化的纳米埋入式电源轨对金属化的背面接触孔实现在外延层背面形成电源布线层，即实现背面供电，这样不仅能够有效缓解传统电源线和信号线同侧布置所导致的高压降，提高功率传输性能，减少布线的拥塞，而且更重要的是能够利用金属化的纳米埋入式电源轨进一步的降低电阻，提高设计兼容性。

公开(公告)号：CN117174660B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311131082.9

申请日：2023-08-31

Applicant: 湖北星辰技术有限公司

Inventor： 陈珍 ,  谢冬 ,  姜玉丽 ,  江仲开

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括器件区以及合围所述器件区的密封环；所述密封环包括：多层链状金属环；所述链状金属环包括间隔交替排布的第一金属图案和第二金属图案；在所述链状金属环的任意一条边上，所述第一金属图案与所述第二金属图案均沿第一方向延伸，且所述第二金属图案沿所述第一方向延伸至所述第一金属图案的内部；所述第一金属图案与相邻的所述第二金属图案在垂直于所述第一方向的第二方向上的投影部分重叠；所述第一方向以及所述第二方向垂直于厚度方向；多个金属过孔，连接于相邻两层所述链状金属环之间。