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公开(公告)号：CN119725284B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510238827.4
申请日：2025-02-28
Applicant: 湖北星辰技术有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/54 , H01L23/24 , H01L21/603 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C3/00
Abstract: 本公开实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一键合结构、第二键合结构、填充层和连接层；第一键合结构设于第一晶圆的表面且包括第一键合部和第二键合部，其中，第一键合部的截面尺寸小于第二键合部的截面尺寸；第二键合结构设于第二晶圆朝向第一晶圆的表面，其中，第二键合结构背离第二晶圆的表面具有第一凹槽，第一凹槽的截面尺寸大于第二键合部的截面尺寸，第二键合部嵌入第一凹槽内；填充层设于第二键合结构和第一晶圆之间；连接层包括第一连接部和第二连接部，其中，第一连接部设于第一凹槽和第二键合部之间，第二连接部设于填充层和第二键合部之间。
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公开(公告)号：CN119560462A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411734836.4
申请日：2024-11-28
Applicant: 湖北星辰技术有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473 , H01L21/50
Abstract: 本公开提供了一种封装结构及其制造方法，该封装结构包括：基板；中介层，位于基板上；中介层包括相对的第一表面和第二表面；第二表面面向基板；至少一个芯片，位于第一表面上；第一散热结构，位于中介层中并从第二表面显露；第一导热结构，位于中介层中并连接芯片和第一散热结构。
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公开(公告)号：CN119346470A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411465156.7
申请日：2024-10-18
Applicant: 湖北星辰技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种芯片分选设备及芯片分选方法。其中，芯片分选设备包括：测试装置，用于对待选晶圆的多个待选芯片进行测试并获取多个待选芯片的测试结果；测试结果用于表征多个待选芯片分类为多个不同等级的芯片；取盘装置，用于根据测试结果将一待选晶圆的多个不同等级的芯片按照不同等级转移至与不同等级对应的多个载体晶圆；载盘组件，用于接收取盘装置转移的一待选晶圆的多个不同等级的芯片；载盘组件用于放置多个载体晶圆；一载体晶圆用于放置同一等级的芯片；出料端口，用于放置第一晶圆盒；第一晶圆盒用于接收载盘组件转移的多个载体晶圆；一载体晶圆放置有同一等级的芯片。
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公开(公告)号：CN119028840A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411123618.7
申请日：2024-08-15
Applicant: 湖北星辰技术有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L23/367 , H01L25/00
Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及集成电路技术领域，包括提供底晶圆，底晶圆上形成有多个芯片，在芯片内形成有第一散热结构；提供载体晶圆，在载体晶圆内形成第二散热结构；使载体晶圆的第二散热结构面向底晶圆的第一散热结构对应贴合，以使载体晶圆键合于底晶圆上的多个芯片上；在芯片远离第一散热结构的一面形成引出结构,以用于连接芯片和印刷线路板；减薄载体晶圆，使第二散热结构露出于载体晶圆远离第一散热结构的一面；在露出的第二散热结构一侧形成导热层。第一散热结构和第二散热结构将芯片的热量导出；载体晶圆减薄，第二散热结构的一侧还形成导热层，导热层和第二散热结构贴合快速导热，对芯片散热，提高其性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN117174660B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311131082.9
申请日：2023-08-31
Applicant: 湖北星辰技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括器件区以及合围所述器件区的密封环；所述密封环包括：多层链状金属环；所述链状金属环包括间隔交替排布的第一金属图案和第二金属图案；在所述链状金属环的任意一条边上，所述第一金属图案与所述第二金属图案均沿第一方向延伸，且所述第二金属图案沿所述第一方向延伸至所述第一金属图案的内部；所述第一金属图案与相邻的所述第二金属图案在垂直于所述第一方向的第二方向上的投影部分重叠；所述第一方向以及所述第二方向垂直于厚度方向；多个金属过孔，连接于相邻两层所述链状金属环之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119725284A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510238827.4
申请日：2025-02-28
Applicant: 湖北星辰技术有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/54 , H01L23/24 , H01L21/603 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C3/00
Abstract: 本公开实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一键合结构、第二键合结构、填充层和连接层；第一键合结构设于第一晶圆的表面且包括第一键合部和第二键合部，其中，第一键合部的截面尺寸小于第二键合部的截面尺寸；第二键合结构设于第二晶圆朝向第一晶圆的表面，其中，第二键合结构背离第二晶圆的表面具有第一凹槽，第一凹槽的截面尺寸大于第二键合部的截面尺寸，第二键合部嵌入第一凹槽内；填充层设于第二键合结构和第一晶圆之间；连接层包括第一连接部和第二连接部，其中，第一连接部设于第一凹槽和第二键合部之间，第二连接部设于填充层和第二键合部之间。
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公开(公告)号：CN119050070A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411078251.1
申请日：2024-08-06
Applicant: 湖北星辰技术有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/00
Abstract: 本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：多层密封环；多层虚设结构，每一层的虚设结构的数量包括多个，多个虚设结构呈阵列排布，阵列包含多个行，多个虚设结构至少包括位于密封环的至少一侧的部分。多层第一连接结构，每一层的至少部分行中，第一连接结构与虚设结构交替排布，并将位于同一行的至少部分虚设结构相互连接；同时，第一连接结构还将相互连接的虚设结构的一端与密封环之间连接。多层第二连接结构，第二连接结构将位于不同层的密封环之间相互连接。
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公开(公告)号：CN119050021A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411555846.1
申请日：2024-11-01
Applicant: 湖北星辰技术有限公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种材料厚度的控制方法、可读存储介质及程序产品，其中，所述控制方法包括：提供第一待处理结构和第二待处理结构；在第一待处理结构上以预设转速S0涂覆目标材料，以在预设时间后在第一待处理结构上形成第一重量W1的目标材料。获取第一存储数据，第一存储数据包括：预设转速S0和预设重量W0，并将第一重量W1与预设重量W0进行比较，获得比较结果；若比较结果中第一重量W1与预设重量W0不同，至少基于S0、W0和W1得到修正参数S1，至少将预设转速S0替换为修正参数S1并进行存储，以获得第二存储数据。基于第二存储数据对第二待处理结构进行处理，以在第二待处理结构上形成预设厚度的目标材料。
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公开(公告)号：CN119008562A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411489113.2
申请日：2024-10-23
Applicant: 湖北星辰技术有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器系统；其中，半导体器件包括：沿第一方向依次层叠设置的第一介质层、第二介质层和半导体结构层；第一导电结构，沿第一方向贯穿所述第一介质层；接触结构，沿第一方向贯穿第二介质层且延伸至半导体结构层中；接触结构与第一导电结构连接；第二导电结构，沿第一方向贯穿所述第一介质层且延伸至第二介质层中；第二导电结构与第一导电结构彼此电隔离；第三导电结构，沿第一方向贯穿半导体结构层且延伸至第二介质层中；第三导电结构与第二导电结构连接；第三导电结构与接触结构彼此电隔离。如此，可以减少刻蚀时间，降低刻蚀的工艺难度，提高制造速率，降低制造成本，提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN119581408A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411711458.8
申请日：2024-11-26
Applicant: 湖北星辰技术有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本公开提供了一种转接板及其形成方法、封装结构，所述转接板的形成方法包括：提供玻璃基板；所述玻璃基板包括第一金属元素；在所述玻璃基板中形成多个通孔；所述多个通孔均从所述玻璃基板在第一方向相对的两侧中的第一侧沿所述第一方向延伸至所述玻璃基板中；所述第一方向为所述玻璃基板的厚度方向；对所述玻璃基板进行离子交换处理，以在所述玻璃基板中形成离子交换层；所述离子交换层从所述玻璃基板的表面沿与所述表面垂直的方向向所述玻璃基板的内部延伸；所述玻璃基板的表面包括所述通孔的内壁；所述离子交换层包括所述第一金属元素和第二金属元素；在所述通孔中形成导电结构；所述导电结构包括所述第二金属元素。
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