公开(公告)号：CN119725284B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510238827.4

申请日：2025-02-28

Applicant: 湖北星辰技术有限公司

Inventor： 任小宁 ,  吴洁 ,  夏凯睿 ,  谢冬

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/54 ,  H01L23/24 ,  H01L21/603 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

Abstract: 本公开实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一键合结构、第二键合结构、填充层和连接层；第一键合结构设于第一晶圆的表面且包括第一键合部和第二键合部，其中，第一键合部的截面尺寸小于第二键合部的截面尺寸；第二键合结构设于第二晶圆朝向第一晶圆的表面，其中，第二键合结构背离第二晶圆的表面具有第一凹槽，第一凹槽的截面尺寸大于第二键合部的截面尺寸，第二键合部嵌入第一凹槽内；填充层设于第二键合结构和第一晶圆之间；连接层包括第一连接部和第二连接部，其中，第一连接部设于第一凹槽和第二键合部之间，第二连接部设于填充层和第二键合部之间。

公开(公告)号：CN119560462A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411734836.4

申请日：2024-11-28

Applicant: 湖北星辰技术有限公司

Inventor： 夏凯睿 ,  王逸群 ,  谢冬 ,  任小宁

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/473 ,  H01L21/50

Abstract: 本公开提供了一种封装结构及其制造方法，该封装结构包括：基板；中介层，位于基板上；中介层包括相对的第一表面和第二表面；第二表面面向基板；至少一个芯片，位于第一表面上；第一散热结构，位于中介层中并从第二表面显露；第一导热结构，位于中介层中并连接芯片和第一散热结构。

公开(公告)号：CN119530722A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411587711.3

申请日：2024-11-07

Applicant: 湖北星辰技术有限公司

Inventor： 任小宁 ,  吴洁 ,  夏凯睿 ,  刘淑娟

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C23C14/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06

Abstract: 本申请实施例提供一种多孔膜层的制造方法、封装基板以及芯片，其中，该制造方法包括：提供行星架；行星架包括多个行星盘和固定在行星盘上的基座；行星盘绕行星架的法线公转并绕行星盘所在平面的法线自转；基座包括相对设置的第一面和第二面；第一面贴合行星盘所在平面；第一面和第二面之间具有第一夹角；将基板固定在第二面上；调整第一夹角，使得基板的待沉积平面与待沉积材料的沉积方向之间具有第二夹角；第二夹角大于0度且小于90度；控制包括行星盘的公转转速、自转转速以及控制待沉积材料的沉积速率；将待沉积材料沿沉积方向沉积在基板的待沉积平面上，以形成多孔膜层。

公开(公告)号：CN119725284A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202510238827.4

申请日：2025-02-28

Applicant: 湖北星辰技术有限公司

Inventor： 任小宁 ,  吴洁 ,  夏凯睿 ,  谢冬

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/54 ,  H01L23/24 ,  H01L21/603 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

Abstract: 本公开实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一键合结构、第二键合结构、填充层和连接层；第一键合结构设于第一晶圆的表面且包括第一键合部和第二键合部，其中，第一键合部的截面尺寸小于第二键合部的截面尺寸；第二键合结构设于第二晶圆朝向第一晶圆的表面，其中，第二键合结构背离第二晶圆的表面具有第一凹槽，第一凹槽的截面尺寸大于第二键合部的截面尺寸，第二键合部嵌入第一凹槽内；填充层设于第二键合结构和第一晶圆之间；连接层包括第一连接部和第二连接部，其中，第一连接部设于第一凹槽和第二键合部之间，第二连接部设于填充层和第二键合部之间。