晶圆翘曲检测结构以及检测方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119642693A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411856303.3

    申请日:2024-12-16

    Abstract: 本申请涉及晶圆检测技术领域,具体公开了一种晶圆翘曲检测结构以及检测方法,检测结构包括第一测量板组件、第二测量板组件以及电容测量设备;第一测量板组件用于与待测晶圆的第一表面连接,第二测量板组件用于与待测晶圆的第二表面连接;待测晶圆的第一表面划分出第一检测区域,待测晶圆的第二表面划分出第二检测区域,第一检测区域与第二检测区域在待测晶圆上的投影重合。本申请通过待测晶圆两侧电容值的差值,能够实现对晶圆的中频波纹度翘曲程度进行精准检测。

    一种半导体结构及其热测试方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119890190A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510077269.8

    申请日:2025-01-16

    Abstract: 本公开实施例提供了一种半导体结构及其热测试方法;其中,半导体结构包括:器件层,以及分别位于器件层沿第一方向两侧的第一测试层和第二测试层;其中,第一测试层中至少设置有第一加热导线,第一加热导线用于提供第一热量;第二测试层中至少设置有第一检测导线,第一检测导线在第一加热导线上的正投影位于第一加热导线所在的区域范围内,第一检测导线用于根据接收的热量确定器件层的热阻。

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