公开(公告)号：CN106433479A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610576241.X

申请日：2016-07-19

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 王辰伟 ,  刘玉岭 ,  岳昕 ,  高宝红 ,  牛新环

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/04 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09G1/02 ,  C23F3/04 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明属于化学机械抛光领域，尤其涉及一种多层铜布线钴阻挡层表面粗糙度的控制方法，首先配置碱性抛光液，然后在流量100-500ml/min,温度15-30℃、抛头转速为57-150rpm、抛盘转速为63-150rpm，抛光压力为6.89-27.56kpa的工艺条件下进行抛光1-5min；所述的碱性抛光液包括：螯合剂用量占抛光液总质量的0.1％-1％；非离子型表面活性剂的用量为抛光液总质量的1-5％；所述的Si02用量占抛光液总质量的1％，所述的抛光液最终的pH值为8-12；该方法克服了现有铜布线化学机械抛光过程中存在的控制钴阻挡层表面粗糙度多采用酸性抛光液且包含氧化剂的问题。

公开(公告)号：CN114350264A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202210148912.8

申请日：2022-02-18

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 潘国峰 ,  王昊 ,  夏荣阳 ,  何平 ,  孙鸣 ,  杨学莉 ,  王辰伟

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明为一种用于钴互连结构钴膜CMP粗抛的碱性抛光液及其制备方法。该抛光液同时采用(OHA)与唑类作为抑制剂，通过OHA与唑类抑制剂的协同作用，在使用少量唑类抑制剂的情况下，达到更好的抛光后晶圆表面质量。本发明方法简单，适合规模化工业生产的需要；抛光后，钴表面粗糙度可达为0.60nm。

公开(公告)号：CN113969107A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111211279.4

申请日：2021-10-18

Applicant: 江苏山水半导体科技有限公司 ,  河北工业大学

Inventor： 王辰伟 ,  周建伟 ,  王胜利 ,  雷双双 ,  王如 ,  井锋 ,  刘启旭

IPC: C09G1/02 ,  B24B37/04

Abstract: 本发明属于化学机械抛光领域，尤其涉及一种用于大尺寸硅边抛的化学机械抛光液及其制备方法和应用，所述抛光液包括如下重量份组分：硅溶胶650份；金属螯合剂2‑4份；钾盐速率促进剂5‑20份；碱性速率促进剂60‑90份；表面活性剂1‑10份；杀菌剂3‑5份％；pH调节剂5‑10份；去离子水213‑386份。本发明的抛光液通过加入钾离子可以有效提高大尺寸硅边缘的抛光速率、降低大尺寸硅边缘的表面粗糙度，能够满足微电子行业的精度要求。

公开(公告)号：CN111826089B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202010735582.3

申请日：2020-07-28

Applicant: 河北工业大学 ,  天津晶岭微电子材料有限公司

Inventor： 刘玉岭 ,  王辰伟 ,  罗翀

IPC: H01L21/304 ,  C09G1/00 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明公开了一种GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用，为化学机械抛光平坦化提高稳定性提供一种新技术。所述多层布线高价金属的化合物替代氧化剂。CMP所用抛光液中含有与布线金属种类相同的布线高价金属化合物。采用本发明技术方案的抛光液可以稳定6个月以上，直接使用。使用时，不用专用设备的配置，简化了工艺，大大提高了抛光液的稳定性。而且，运输保存安全，不对设备产生腐蚀，使用更安全。

公开(公告)号：CN112322190A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202011220168.5

申请日：2020-11-05

Applicant: 河北工业大学 ,  天津晶岭微电子材料有限公司

Inventor： 王辰伟 ,  刘玉岭 ,  罗翀 ,  周建伟 ,  牛新环 ,  王如

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种多层铜互连阻挡层抛光液及其制备方法，旨在提供一种能够延长抛光液的使用期限，有利于增强器件可靠性的多层铜互连阻挡层抛光液及其制备方法。按质量百分比计由下述组分组成：硅溶胶5‑20％，螯合剂0.1‑5％，杀菌剂0.15‑5％，表面活性剂0.001‑5％，pH值调节剂，去离子水余量；所述抛光液的pH值为7.5—11；所述杀菌剂为二价铜离子。本发明的抛光液通过各种组分的协同作用及合理配比，抛光效果好，稳定性强，能够满足微电子行业的需要。而且，本发明的抛光液呈碱性，pH为7.5‑11，不腐蚀设备，不污染环境。同时，原材料全部国产，生产成本低。

公开(公告)号：CN106118492B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201610542485.6

申请日：2016-07-11

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 王辰伟 ,  刘玉岭 ,  郑环 ,  周建伟 ,  高宝红

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/04

Abstract: 本发明涉及一种用于阻挡层钌的碱性抛光液及其制备方法，所述抛光液由下述组分组成，按重量百分比计硅溶胶1—5％，乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)0.5‑5％，过氧化氢0.5‑4％，非离子界表面活性剂0.1‑10％，去离子水余量；所述碱性抛光液的pH值为9—13；所述抛光液可以使Ru和Cu达到较高的抛光速率，抛光过程中化学作用增强明显，可控性高，可以使Ru和Cu达到良好的速率选择比；在抛光过程中Ru和Cu的电偶腐蚀低，可以有效抑制降低电偶腐蚀；抛光之后表面光滑平坦，全局平坦性高，粗糙度小；污染小，提高器件的可靠性，高pH值条件下仍旧稳定,且后清洗简单。

公开(公告)号：CN104526539A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410776195.9

申请日：2014-12-16

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 牛新环 ,  何彦刚 ,  王辰伟 ,  潘国峰 ,  刘玉岭

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/005 ,  B24B57/02

CPC classification number: B24B37/044 ,  B24B37/005 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明涉及一种陀螺光学元件石英衬底材料CMP抛光表面粗糙度的控制方法，选择两步抛光法进行化学机械抛光，第一步选用抛光液，第二步选用去离子水的水抛液，两步抛光在同一台抛光机上完成；所述第二步的抛光工艺条件为流量300g-500g/min、温度20-30℃、抛光压力0-2psi；抛光液组分，包括磨料粒径15-60nm、浓度≥40％、硬度≤7Mohs的SiO2 2-50％，活性剂0.5-1.0％，螯合剂0.5-1.0％，pH调节剂0.5-2％。有益效果：选用两步抛光法，在同一台抛光机上第一步抛光可实现高去除，第二步水抛可实现低粗糙的表面控制要求。减小了材料损伤层，有效提高其表面的光洁度。

公开(公告)号：CN104449398A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410682284.7

申请日：2014-11-25

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 何彦刚 ,  王辰伟 ,  王如 ,  段波 ,  孙铭斌 ,  檀柏梅 ,  刘玉岭

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02

Abstract: 本发明公开了一种适用于钴阻挡层的碱性化学机械抛光液。本发明抛光液包括研磨颗粒、络合剂、氧化剂、表面活性剂、腐蚀抑制剂、抑菌剂和水；络合剂含量为重量百分比0.01～10％；研磨颗粒含量为重量百分比1～40％；所述的氧化剂为过氧化氢，含量为重量百分比0.1～10％；表面活性剂含量为重量百分比0.01～5％；腐蚀抑制剂含量为重量百分比0.1～5％；抑菌剂含量为重量百分比0.001～1％，用水补充含量至100％。此抛光液适用于钴阻挡层的抛光，抛光液呈碱性，解决了钴在含有氧化剂的酸性抛光液中易于溶解的问题，同时提高了钴的抛光速率，降低了表面粗糙度。

公开(公告)号：CN101908502B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010231680.X

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  牛新环 ,  王辰伟 ,  何彦刚

IPC: H01L21/768 ,  B08B1/02 ,  B08B3/08

CPC classification number: B08B3/08 ,  C11D3/0073 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明涉及极大规模集成电路钨插塞表面高精密加工过程中钨插塞CMP后表面洁净方法。利用一种碱性介质的水抛液，该水抛液选用活性剂、螯合剂、阻蚀剂组成。当碱性抛光刚刚完成后，马上加入上述水抛液并采用大流量水抛的方法，可将残留的抛光液冲走，吸附易清洗物质迅速降低表面张力并阻止反应继续进行(物理吸附状态)、形成单分子钝化膜、并可使金属离子形成可溶的螯合物，从而达到洁净、完美的抛光表面。并且该水抛液具有成本低、不污染环境及腐蚀设备的优点。

公开(公告)号：CN101937687A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010231657.0

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  王胜利 ,  王辰伟

IPC: G11B5/84

Abstract: 本发明涉及计算机硬盘InP基片表面高精密加工过程中化学机械抛光(CMP)后表面洁净方法。当碱性抛光刚刚完成后，马上加入活性剂、螯合剂、阻蚀剂组成的抛光液，并采用大流量水抛的方法，可将残留的抛光液冲走，同时可迅速降低表面张力、形成单分子钝化膜、并可使金属离子形成可溶的螯合物，从而达到洁净、完美的抛光表面。