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    一种加快FePd薄膜相转变的方法
    12.
    发明授权
    一种加快FePd薄膜相转变的方法 有权 许可

    公开(公告)号：CN108060391B

    公开(公告)日：2019-12-27

    申请号：CN201711348406.9

    申请日：2017-12-15

    申请人： 桂林电子科技大学

    发明人： 霍建军 ,  武小飞 ,  杜玉松 ,  成钢 ,  饶光辉 ,  潘旷 ,  马垒

    IPC分类号： C23C14/18 ,  C23C14/35

    摘要： 本发明属于合金薄膜技术领域，公开了一种加快FePd薄膜相转变的方法，所述加快FePd薄膜相转变的方法采用超高真空多靶磁控溅射仪制备薄膜样品；稀土Dy掺杂FePd层采用交替沉积的方法，由纯度在99.95％以上且原子百分比为47.5:52.5的FePd复合靶和纯度在99.99％的Dy片，通过控制Dy靶的溅射时间来控制FePd层中稀土的含量。本发明采用磁控溅射法制备了一系列Dyx(Fe47.5Pd52.5)100‑x颗粒膜，通过改变掺杂稀土Dy的含量，添加Dy的含量对FePd薄膜的结构和磁性能的影响。

    一种反铁电无铅陶瓷及其制备方法和应用
    14.
    发明公开
    一种反铁电无铅陶瓷及其制备方法和应用 失效 许可

    公开(公告)号：CN110483038A

    公开(公告)日：2019-11-22

    申请号：CN201910863077.4

    申请日：2019-09-12

    申请人： 桂林电子科技大学

    发明人： 霍子伟 ,  许积文 ,  饶光辉 ,  王华 ,  孙亚兵 ,  杨玲

    IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622

    摘要： 本发明属于反铁电陶瓷材料技术领域，特别涉及一种反铁电无铅陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供了一种反铁电无铅陶瓷，其元素组成为(1-x)(0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.06BaTiO3)-xCs2Nb4O11，x为摩尔百分比。本发明通过设计元素组成，尤其是保证Cs2Nb4O11组分形式的情况下，实现Cs2Nb4O11与0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.06BaTiO3组分结合，获得了在室温、低电场条件下具有反铁电性能且环保的陶瓷材料。实验数据表明，本发明提供的反铁电无铅陶瓷的储能密度可达0.70J/cm3，储能效率可达45％，具有优良的储能性能。

    一种铌酸钾钠基压电单晶及其制备方法
    17.
    发明公开
    一种铌酸钾钠基压电单晶及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN106521627A

    公开(公告)日：2017-03-22

    申请号：CN201610989699.8

    申请日：2016-11-10

    申请人： 桂林电子科技大学

    发明人： 江民红 ,  宋嘉庚 ,  郝崇琰 ,  严亚飞 ,  饶光辉 ,  成钢 ,  顾正飞 ,  刘心宇

    IPC分类号： C30B29/30 ,  C30B1/10

    CPC分类号： C30B29/30 ,  C30B1/10

    摘要： 本发明提供一种铌酸钾钠基压电单晶，以CaCO3、ZrO2、Li2CO3和Bi2O3作为掺杂原料，以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成，化学式为：xCaZrO3-(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3-0.4LiBiO3)，式中x表示体系中摩尔含量，其中0﹤x≤0.005。其制备方法包括：（1）所用原料均置于烘箱中烘干；2）按化学式称量原料，球磨（；3）将产物烘干，预烧；（4）再以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯烧结获得单晶。本发明的优点是显著地提高了铌酸钾钠基单晶的压电性能，其压电常数d33最高达到488 pC/N。

    一种优化成分配比制备高矫顽力稀土永磁薄带的方法
    18.
    发明公开
    一种优化成分配比制备高矫顽力稀土永磁薄带的方法 无效

    公开(公告)号：CN106448987A

    公开(公告)日：2017-02-22

    申请号：CN201610901243.1

    申请日：2016-10-16

    申请人： 桂林电子科技大学

    发明人： 王江 ,  付刚 ,  戎茂华 ,  马杰 ,  饶光辉 ,  周怀营

    IPC分类号： H01F1/057 ,  H01F41/02 ,  B22D11/06 ,  C22C33/06

    CPC分类号： H01F1/0576 ,  B22D11/0611 ,  C22C33/06 ,  H01F41/0253

    摘要： 本发明公开了一种优化成分配比制备高矫顽力稀土永磁薄带的方法，先根据化学分子通式 (CexNd1-x)19.0Fe71.5B9.5称量各原料，式中x、1-x为原子数，所述原料以原子百分比计，稀土Ce的原子百分比为x*19.0，稀土Nd的原子百分比为(1-x)*19.0，Fe的原子为71.5，B的原子百分比为9.5；并通过电弧熔炼制备母合金，在600℃至950℃下热处理12天，使母合金扩散均匀；再使用熔体快淬法获制得永磁薄带。本发明工艺简单，成分配比新颖，用于稀土永磁薄带的生产，较传统的成分配比具有更高的矫顽力，而且将部分Ce替代Nd元素后亦能达到较高的矫顽力，可平衡轻稀土的利用率，降低稀土永磁材料生产的成本。

    LaCeNi磁性吸波材料及其制备方法
    19.
    发明公开
    LaCeNi磁性吸波材料及其制备方法 有权 许可 转让

    公开(公告)号：CN104451264A

    公开(公告)日：2015-03-25

    申请号：CN201410745724.9

    申请日：2014-12-09

    申请人： 桂林电子科技大学

    发明人： 成丽春 ,  熊吉磊 ,  潘顺康 ,  周怀营 ,  饶光辉

    IPC分类号： C22C19/03 ,  C22C1/02 ,  C22F1/10 ,  B22F1/00 ,  B22F9/04 ,  H01F1/147

    摘要： 本发明的LaCeNi磁性微波吸波材料及其制备方法，其分子式的化学计量比为：La：10.0~16.7、Ce：0~6.0、Ni：83.3。由包含下述主要步骤的方法制备而成：以纯度≥99.90%的La、Ce、Ni金属为原料，在氩气保护下熔炼，铸锭在真空下于800～1050 ℃进行热处理，之后用冰水进行淬火，然后机械破碎后球磨制粉。LaCeNi磁性吸波材料在2～18 GHz微波波段内具有较为优异的微波吸收性能，当复合物厚度为1.5 mm时，其吸收峰值最小可达到40.1dB左右。本发明的LaCeNi合金在2～18 GHz微波波段内具有吸波性能好，吸收频带宽，且具有制备工艺简单、抗腐蚀性好等优点。在磁性吸波材料中，本发明的LaCeNi合金磁性微波吸收材料适用于制备要求具有吸收频带宽、吸波性能好以及耐腐蚀性好的微波吸收产品。

    一种零场冷室温交换偏置永磁材料及其制备方法和应用
    20.
    发明公开
    一种零场冷室温交换偏置永磁材料及其制备方法和应用 审中-实审

    公开(公告)号：CN115240941A

    公开(公告)日：2022-10-25

    申请号：CN202210929600.0

    申请日：2022-08-04

    申请人： 桂林电子科技大学

    发明人： 马垒 ,  李志坤 ,  饶光辉 ,  何木芬 ,  袁昌来 ,  王治群 ,  李林 ,  赵景泰

    IPC分类号： H01F1/055 ,  H01F41/02

    摘要： 本发明公开了一种零场冷室温交换偏置永磁材料，由两种稀土元素Pr和Gd，以及Co元素组成，先经过熔炼得到铸态Pr‑Gd‑Co化合物，再经甩带处理得到Pr‑Gd‑Co薄带，即零场冷室温交换偏置永磁材料；原子配比满足1:3，化学式为Pr1‑xGdxCo3，x的取值范围为0.2≤x≤0.8；居里温度的范围为‑400 K‑550 K之间；相结构为菱方相的PuNi3型的晶体结构。其制备方法包括：1，铸态Pr‑Gd‑Co化合物的制备；2，零场冷室温交换偏置永磁材料的制备。作为永磁材料的应用，在室温条件下，当外磁场为2 T时，矫顽力为1.37‑12.88 kOe；交换偏置场为0.2‑5.38 kOe；在10 K条件下，当外磁场为5 T时，矫顽力为16.47‑36.23 kOe；交换偏置场为2.73‑14.92 kOe。本发明的优点为，具有矫顽力大，零场冷条件下交换偏置场强，温度稳定性好，工艺简单的特点。