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公开(公告)号：CN116299827A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310249284.7
申请日：2023-03-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了基于金棒和金孔阵列复合结构的中红外偏振转换器，由二氧化硅衬底和上层金棒—蜂窝状金孔阵列复合的超表面结构组成的。本发明可以实现线偏振—圆偏振光和圆偏振—圆偏振光的转换，具有较高的偏振转换率(PCR)，这为高性能偏振操纵器件的设计提供了可靠的结果；此外还发现了一些关于金棒旋转角度(θ)与手性之间的规律，为手性传感的设计也提供而一些方法。本发明新颖的结构设计和优异的性能，有望广泛应用于今后微纳偏振操纵器件的设计中。
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公开(公告)号：CN119776773A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411877105.5
申请日：2024-12-18
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本申请提供一种镓铟氧化物薄膜及其制备方法，该镓铟氧化物薄膜通过脉冲激光沉积法基于一衬底制备并包括主外延层和缓冲层，缓冲层连接在衬底与主外延层之间，且主外延层和缓冲层的化学式均为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该制备方法包括：提供一衬底；通过脉冲激光沉积法在衬底上沉积一层镓铟氧化物的缓冲层，得到中间产物；通过脉冲激光沉积法在缓冲层上再沉积一层镓铟氧化物的主外延层，制得镓铟氧化物薄膜。本申请通过在主外延层制备之前先制备一层薄的缓冲层，可提升薄膜的结晶质量，改善薄膜缺陷密度高等问题，减少镓铟氧化物薄膜缺陷，从而获得高质量的镓铟氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN118112790A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410468389.6
申请日：2024-04-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种基于偏振和拉伸控制的焦距可调超透镜设计方法。当x偏振和y偏振入射时，拉伸可调谐范围分别为11.4～20.6um、20.7～36.4um，动态聚焦范围为最小焦距的213.8％。以同样的条件，我们还构造了一个仅偏振控制和一个仅拉伸控制超透镜。对比表明，双控制的方案有效地克服了传统偏振复用超透镜不能连续变焦问题。此外，与单一控制的可调谐超透镜相比，该设计拥有可观的焦距可调谐范围。因此，在VR/AR显示技术、全息成像等方面，它具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN117393645A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311313220.5
申请日：2023-10-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/032
Abstract: 本申请提供一种镓铟氧光电探测器及其制备方法，该光电探测器是基于云母这种柔性衬底制备的，具有优异的抗弯折性能，即器件能够按一定角度弯折几千次而性能几乎保持不变，可适用于可穿戴光电探测器。本申请使用脉冲激光沉积设备先在云母衬底上生长一层镓铟氧薄膜，并使用高温退火炉在空气中退火，最后使用磁控溅射法利用金属掩膜版在镓铟氧薄膜上生长Ti/Au叉指电极，制得柔性的镓铟氧光电探测器。本申请通过简单的制备方法成功地在柔性的云母衬底上制备出了镓铟氧光电探测器，且制得的产品性能优异。
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公开(公告)号：CN117270095A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310620407.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开一种基于正弦结构的宽带多功能偏振转换器，该转换器由底部金板、中间介电质层和顶部正弦金板三层结构组成。本发明可以实现在7.4到8.3THz频率范围内的宽带多功能偏振转换，偏振转换比(PCR)大于0.8；在7.2到7.4THz的频率范围内可以实现近乎完美的线到左旋圆偏振转换；在7.7到8.2THz的频率范围内可以实现交叉偏振转换。这为高性能的宽带、多功能偏振转换器设计提供了一定的理论和数据支撑。该发明结构新颖、性能优越，有望在未来高性能、多功能的偏振器件设计方面得到广泛运用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115974134A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310096428.X
申请日：2023-02-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种铟镓氧化物纳米材料的制备方法，通过该方法可制备出性能优异的铟镓氧化物纳米线，可作为日盲波段探测器的材料。该制备方法使用金属Ga和金属In作为反应原料通过化学气相沉积法制备铟镓氧化物纳米材料，降低了反应所需温度，因而降低了制造成本，且制备出的铟镓氧化物纳米材料表面光滑，粗细均匀，且本申请的制备方法简单，可重复性强。
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公开(公告)号：CN115542563A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211288631.9
申请日：2022-10-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯等离子体诱导透明的太赫兹偏振分束器，由硅衬底和两层电介质薄膜及三成石墨烯结构组成。基于等离子体诱导透明的原理，本发明可以实现将两个正交的偏振态在空间上进行分离的功能，具有较高的消光比(PER)和较低的插入损耗(IL)；并且基于石墨烯的动态可调性，偏振分束器的工作频点可以通过改变石墨烯的费米能级进行调谐，这为基于石墨烯的可调谐偏振器件提供了可靠的结果。本发明新颖的结构设计和优异的性能，有望广泛应用于今后光电子器件的设计中。
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公开(公告)号：CN120018769A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510168290.9
申请日：2025-02-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种氧化镓忆阻器及其制备方法，采用磁控溅射设备制备底电极和顶电极，采用激光脉冲沉积设备制备氧化镓阻变层。其中，底电极用于施加信号，氧化镓作为阻变层，对底电极和顶电极施加外加电场，在电流作用下阻变层可以转变为两种不同的阻值，通过氧化还原反应在阻变层内部形成导电细丝，进而使器件阻值发生变化，可模拟部分神经突触性能。本申请的制备方法简单，易于操作，且所制备的氧化镓忆阻器具有无电铸、可模拟神经突触性能等特点。
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公开(公告)号：CN119744114A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411865412.1
申请日：2024-12-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件与工艺技术领域，具体涉及一种基于二维材料的异质结忆阻器及其制备方法，器件结构自下而上包括衬底、底电极层、金属封盖层、二维材料层、硅层、氧化物层和顶电极层。所述二维材料层直接原位生长在所述金属封盖层之上，与制备二维材料器件常用的转移法相比，避免了操作步骤繁琐和杂质污染问题，具有工艺简便性、通用性和高集成性。利用所述二维材料层、所述硅层与所述氧化物层所具有的不同离子迁移速率，引导导电细丝的形成和熔断都局域在二维材料层与硅层的界面附近，使得忆阻器具有优异的电学性能。此外，该器件还能有效模拟神经突触的特性，有助于实现开关速度快、高集成度、高稳定性和低功耗的人工突触器件。
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公开(公告)号：CN119253294A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202410874207.5
申请日：2024-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种基于叉指结构石墨烯宽带可调太赫兹吸波器。该吸波器由三层结构构成，自下而上分别是金属层、聚酰亚胺电介质层及叉指结构石墨烯层。通过优化扫描选出了具有最优尺寸的叉指结构，金属电极用于对石墨烯费米能级及弛豫时间统一调控，通过调节费米能级(0.6～1eV)，弛豫时间(0.1～0.3ps)，可以实现在宽带内(2.2～5.1THz)的动态调控。除此之外，该发明还具有易于制备、可与集成电路工艺相结合等优点。因此，该发明在太赫兹领域中，如成像、隐身和开关操作设备等方面，它都具有广泛的应用前景。
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