驱动电路、等离子体电源电路及等离子体系统

    公开(公告)号:CN119906238A

    公开(公告)日:2025-04-29

    申请号:CN202411943791.1

    申请日:2024-12-26

    Abstract: 本申请实施例提供的一种驱动电路、等离子电源电路及等离子体系统,包括:驱动支路;驱动支路包括驱动模块、滤波模块及电源转换模块;驱动模块的第一端接收第一控制信号,驱动模块的第二端与电源转换模块的第一端电连接,驱动模块的第三端与电源转换模块的第二端电连接,驱动模块的第四端接收第一电源信号,驱动模块的输出端与滤波模块电连接;驱动模块,用于根据第一控制信号及第一电源信号感应生成第二控制信号,根据第二控制信号输出驱动信号;滤波模块用于对驱动信号进行滤波处理;电源转换模块的第三端用于接收第二电源信号,电源转换模块用于将第二电源信号转换为第三电源信号并输出。用以提高驱动电路共模瞬态抗扰度。

    一种基于氮化镓器件的超声波驱动源换能器及其控制方法

    公开(公告)号:CN116673202A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310752800.8

    申请日:2023-06-25

    Abstract: 本发明实施例提供了一种基于氮化镓器件的超声波驱动源换能器及其控制方法。该超声波驱动源换能器包括:辅助电源系统、单片机驱动电路、直流电源、全桥结构主电路、采样电路、数字化控制模块和信号滤波偏置电路;辅助电源系统分别与单片机驱动电路、数字化控制模块和信号滤波偏置电路连接,单片机驱动电路与数字化控制模块连接,信号滤波偏置电路与采样电路连接,数字化控制模块与信号滤波偏置电路连接,直流电源与全桥结构主电路连接,全桥结构主电路与单片机驱动电路和采样电路连接;全桥结构主电路包括四个由氮化镓制成的MOSFET,由于MOSFET的开关速率高,通过单片机上采用PR控制策略来配合外部电路,从而实现基波无静差跟踪并保证电源始终工作在最佳状态。

    功率器件的检测方法
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113759227B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202110975862.6

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 本发明提供了一种功率器件的检测方法,包括:对待测功率器件进行扫频处理;获取待测功率器件各端子的等效阻抗参数;根据预设的判断规则,确定待测功率器件的损伤情况;其中,等效阻抗参数包括:等效电阻、等效电容、等效电感。本发明所提供的功率器件的检测方法,通过扫频处理获取待测功率各端子的等效阻抗参数后,可直接通过预设的判断规则对待测功率器件各方面的损伤情况进行有效准确的判定,无需对功率器件进行带电导通工作,无需设计专门的测试电路或测试系统,无需对功率器件进行开封,满足了可靠性检测、快速性检测、通用性检测、无损性检测的需求。

    光纤耦合仪及光纤耦合仪的控制方法

    公开(公告)号:CN110888202A

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201911124965.0

    申请日:2019-11-18

    Abstract: 本发明提出了一种光纤耦合仪及光纤耦合仪的控制方法,其中光纤耦合仪包括:坐标调节组件,坐标调节组件上设置有第一夹持件;角度调节组件,与坐标调节组件相对设置,角度调节组件上设置有第二夹持件;图像获取组件,设置在坐标调节组件上,图像获取组件的图像获取范围至少覆盖第一夹持件及第二夹持件所处位置;光功率检测组件包括光发射器及光功率检测器,光发射器和光功率检测器中的一个设置在坐标调节组件上,另一个设置在角度调节组件上以及控制器。本发明能够自动化调节确定光纤耦合位置,在生产中能够提高光纤耦合产品的一致性,通过初步调节与精度调节,能够明确光纤耦合位置,提高成品率,进而能够提高生产效率,降低生产成本。

    一种石墨烯-纳米银焊膏的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN107433402B

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201710760091.2

    申请日:2017-08-30

    Abstract: 本发明公开了一种石墨烯‑纳米银焊膏的制备方法及其应用,涉及复合纳米材料的制备技术领域,主要解决贵金属纳米颗粒容易发生硬团聚和多元混合物材料之间均匀分散性不足的问题,该方法包括如下具体步骤:(1)石墨烯的制备;(2)石墨烯的功能化处理;(3)石墨烯‑纳米银复合焊膏的制备。采用本发明的技术方案工艺简单、操作方便、便于工业化生产,有效地解决了纳米贵金属在石墨烯纳米片上吸附性差和多元混合物材料间存在均匀分散性不足的问题。

    一种长程表面等离子激元波导耦合器

    公开(公告)号:CN106772817A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710003556.X

    申请日:2017-01-04

    CPC classification number: G02B6/305

    Abstract: 本发明公开了一种长程表面等离子激元波导耦合器,其特征是,包括顺序叠接的第一SiO2层、Ag层和第二SiO2层,所述第一SiO2层和第二SiO2层对称设置在Ag层的两面。这种耦合器能使入射光突破衍射极限,高效耦合进硅基光子器件中,能提高光纤与硅基光子器件之间的耦合效率,而且此种长程表面等离子激元波导耦合器结构简单,对于工艺要求低,易于加工,成本较低。

    检测组件和检测方法
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116430193A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310238327.1

    申请日:2023-03-14

    Abstract: 本发明提供了一种检测组件和检测方法,检测组件与扫频组件相连接,用于对功率器件进行检测,检测组件包括基座、第一安装组件、支架组件、第一套筒、第二套筒、探针组件和压力检测组件。第一安装组件设置于基座;支架组件设置于基座;第一套筒与支架组件连接,能够相对于支架组件移动;第二套筒与第一套筒相连接,能够相对于第一套筒运动;探针组件的与第一套筒连接;压力检测组件包括压力检测部件和弹性件;弹性件的一端与第二套筒连接,弹性件的另一端与第一套筒连接;在对功率器件进行检测的情况下,功率器件放置于第一安装组件,压力检测部件能够检测弹性件的第一压力值,以控制探针组件与功率器件的接触状态。

    一种长程表面等离子激元波导耦合器

    公开(公告)号:CN106772817B

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN201710003556.X

    申请日:2017-01-04

    Abstract: 本发明公开了一种长程表面等离子激元波导耦合器,其特征是,包括顺序叠接的第一SiO2层、Ag层和第二SiO2层,所述第一SiO2层和第二SiO2层对称设置在Ag层的两面。这种耦合器能使入射光突破衍射极限,高效耦合进硅基光子器件中,能提高光纤与硅基光子器件之间的耦合效率,而且此种长程表面等离子激元波导耦合器结构简单,对于工艺要求低,易于加工,成本较低。

    一种半导体器件故障检测方法及相关设备

    公开(公告)号:CN114355133A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202111478391.4

    申请日:2021-12-06

    Abstract: 本发明涉及半导体检测领域,尤其涉及一种半导体器件故障检测方法及相关设备。其中,该方法包括:获取参考信号通过待测半导体器件后的反馈信号;根据所述反馈信号和所述参考信号确定所述待测半导体器件的电路反射系数;确定所述电路反射系数与目标电路反射系数之间的第一差值;如果所述第一差值大于第一阈值,则确定所述待测半导体器件已故障。本发明实施例中,通过测量计算出待测半导体器件的电路反射系数,并与正常半导体器件的目标电路反射系数进行比较,从而确定待测半导体器件是否为故障器件,从而可以在无须拆解半导体器件以及特定检测设备的情况下,采用在线测试的方式快速便捷的对半导体器件进行检测。

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