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公开(公告)号：CN106772798A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710043730.3
申请日：2017-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: G02B6/124 , G02B6/12009
Abstract: 本发明公开了一种基于波导布拉格光栅的反射型窄带滤波器，其特征是，包括基底层、下波导层、中波导层和上波导层，所述下波导层、中波导层和上波导层顺序叠接在基底层的上表面上，所有的波导均为平板条形波导，所述上波导层的顶部设有等周期的布拉格光栅，所述基底层的宽度尺寸要大于下波导层、中波导层、上波导层的宽度尺寸。这种滤波器结构紧凑，光信号传输距离长、易于制作、制造成本低且与CMOS兼容。
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公开(公告)号：CN106772798B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201710043730.3
申请日：2017-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于波导布拉格光栅的反射型窄带滤波器，其特征是，包括基底层、下波导层、中波导层和上波导层，所述下波导层、中波导层和上波导层顺序叠接在基底层的上表面上，所有的波导均为平板条形波导，所述上波导层的顶部设有等周期的布拉格光栅，所述基底层的宽度尺寸要大于下波导层、中波导层、上波导层的宽度尺寸。这种滤波器结构紧凑，光信号传输距离长、易于制作、制造成本低且与CMOS兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106785905A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710043766.1
申请日：2017-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于布拉格相移光栅的电光调制器，其特征是，包括基底层、下波导层和上波导层，所述下波导层和上波导层顺序叠接在基底层的上表面上，所述上波导层的顶部设有等周期的布拉格光栅，布拉格光栅的中间位置设有相移结构，相移结构将布拉格光栅分成大小相同的2个光栅结构，所述基底层的宽度尺寸要大于下波导层的宽度尺寸、上波导层的宽度尺寸，基底层的上表面还设有电极。这种电光调制器结构尺寸小、传输损耗低、调制效率高，另外还具有工艺简单，易集成于CMOS集成电路的特点。
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公开(公告)号：CN106772817A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710003556.X
申请日：2017-01-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B6/30
CPC classification number: G02B6/305
Abstract: 本发明公开了一种长程表面等离子激元波导耦合器，其特征是，包括顺序叠接的第一SiO2层、Ag层和第二SiO2层，所述第一SiO2层和第二SiO2层对称设置在Ag层的两面。这种耦合器能使入射光突破衍射极限，高效耦合进硅基光子器件中，能提高光纤与硅基光子器件之间的耦合效率，而且此种长程表面等离子激元波导耦合器结构简单，对于工艺要求低，易于加工，成本较低。
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公开(公告)号：CN206575013U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201720073868.3
申请日：2017-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于布拉格相移光栅的电光调制器，其特征是，包括基底层、下波导层和上波导层，所述下波导层和上波导层顺序叠接在基底层的上表面上，所述上波导层的顶部设有等周期的布拉格光栅，布拉格光栅的中间位置设有相移结构，相移结构将布拉格光栅分成大小相同的2个光栅结构，所述基底层的宽度尺寸要大于下波导层的宽度尺寸、上波导层的宽度尺寸，基底层的上表面还设有电极。这种电光调制器结构尺寸小、传输损耗低、调制效率高，另外还具有工艺简单，易集成于CMOS集成电路的特点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206573739U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201720074209.1
申请日：2017-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于波导布拉格光栅的反射型窄带滤波器，其特征是，包括基底层、下波导层、中波导层和上波导层，所述下波导层、中波导层和上波导层顺序叠接在基底层的上表面上，所有的波导均为平板条形波导，所述上波导层的顶部设有等周期的布拉格光栅，所述基底层的宽度尺寸要大于下波导层、中波导层、上波导层的宽度尺寸。这种滤波器结构紧凑，光信号传输距离长、易于制作、制造成本低且与CMOS兼容。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206573741U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201720004839.1
申请日：2017-01-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B6/30
Abstract: 本实用新型公开了一种长程表面等离子激元波导耦合器，其特征是，包括顺序叠接的第一SiO2层、Ag层和第二SiO2层，所述第一SiO2层和第二SiO2层对称设置在Ag层的两面。这种耦合器能使入射光突破衍射极限，高效耦合进硅基光子器件中，能提高光纤与硅基光子器件之间的耦合效率，而且此种长程表面等离子激元波导耦合器结构简单，对于工艺要求低，易于加工，成本较低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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