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公开(公告)号：CN114355133A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111478391.4
申请日：2021-12-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及半导体检测领域，尤其涉及一种半导体器件故障检测方法及相关设备。其中，该方法包括：获取参考信号通过待测半导体器件后的反馈信号；根据所述反馈信号和所述参考信号确定所述待测半导体器件的电路反射系数；确定所述电路反射系数与目标电路反射系数之间的第一差值；如果所述第一差值大于第一阈值，则确定所述待测半导体器件已故障。本发明实施例中，通过测量计算出待测半导体器件的电路反射系数，并与正常半导体器件的目标电路反射系数进行比较，从而确定待测半导体器件是否为故障器件，从而可以在无须拆解半导体器件以及特定检测设备的情况下，采用在线测试的方式快速便捷的对半导体器件进行检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115220027A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210628823.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请涉及激光雷达测量领域，尤其涉及一种提高扫频信号线性度的方法和装置。一种提高扫频信号线性度的方法，所述方法包括如下步骤：步骤S1：从调频连续波激光雷达发送的激光中依次提取若干时间点的瞬时拍频信号；步骤S2：根据所述调频连续波激光雷达在各个时刻的瞬时拍频信号确定对应的各个时刻的瞬时扫频信号；步骤S3：对各个时刻的瞬时扫频信号进行一阶直线拟合，得到所述调频连续波激光雷达在一段目标时间内的扫频信号。能够避免因激光雷达性能所限导致的误差，并能够得到信号的瞬时参数，且装置简单，测量方便。同时拟合结果以一次函数形式展现，便于后续计算和利用。
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公开(公告)号：CN115201775A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210628824.8
申请日：2022-06-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及信息处理技术领域，尤其涉及一种频谱信息确定方法及相关设备。其中，该方法包括：采用M种不同的窗函数对目标信号进行截取，得到对应的M组待处理信号数据，其中M≥2；根据所述M组待处理信号数据确定待处理信号序列，所述待处理信号序列为时域信号；将所述待处理信号序列延时n0个点，得到第二待处理信号序列；根据所述待处理信号序列的相位与所述第二待处理信号序列的相位确定相位差；根据所述相位差确定所述目标信号的频谱信息。通过本发明实施例提供的方法，可以克服现有技术抗干扰能力较弱，误差较大以及准确率较低的缺陷。
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公开(公告)号：CN112018222A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910465262.8
申请日：2019-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L33/48 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L25/075 , F21V19/00 , F21Y115/10
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管封装结构、照明设备和发光二极管的封装方法，发光二极管封装结构包括基体、多个发光组件和封装体；基体呈柱状，并设置有多个侧壁，多个侧壁沿基体的周向分布；多个发光组件分别设置于多个侧壁上，多个发光组件中的任一发光组件包括导电层和发光二极管，导电层贴合于多个侧壁上，发光二极管安装于侧壁上，发光二极管的电极与导电层相连接；封装体包覆于多个发光组件的外侧。本发明所提供的发光二极管封装结构，多个发光组件分别设置在多个侧壁上，使得发光组件的朝向不同方向，进而减少相邻的发光组件之间的光吸收，提升了对光的利用率。
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公开(公告)号：CN116577757A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310586830.6
申请日：2023-05-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请公开了一种测距光源装置及激光测距设备，该测距光源装置包括信号发生器、光电振荡环路和加法器，所述信号发生器用于产生电信号、所述光电振荡环路用于反馈振荡信号，所述加法器与所述信号发生器、所述光电振荡环路相连接，用于将所述电信号和所述振荡信号进行加法处理后得到驱动信号，使所述光电振荡环路能够基于所述驱动信号产生双频激光信号。本申请的测距光源装置可以产生MHz到GHz级别的双频激光信号，当该测距光源装置工作时，两个频率的信号同时发出，通过双频激光信号测距，具有测量精度高、反应速度快、抗干扰能力强等特点，且本申请的测距光源装置成本低，体积小。
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公开(公告)号：CN210006758U
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201920803489.4
申请日：2019-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L33/48 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L25/075 , F21V19/00 , F21Y115/10
Abstract: 本实用新型提供了一种发光二极管封装结构和照明设备，发光二极管封装结构包括基体、多个发光组件和封装体；基体呈柱状，并设置有多个侧壁，多个侧壁沿基体的周向分布；多个发光组件分别设置于多个侧壁上，多个发光组件中的任一发光组件包括导电层和发光二极管，导电层贴合于多个侧壁上，发光二极管安装于侧壁上，发光二极管的电极与导电层相连接；封装体包覆于多个发光组件的外侧。本实用新型所提供的发光二极管封装结构，多个发光组件分别设置在多个侧壁上，使得发光组件的朝向不同方向，进而减少相邻的发光组件之间的光吸收，提升了对光的利用率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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