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公开(公告)号：CN106099366A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610741404.5
申请日：2016-08-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种加载石墨烯去耦网络的微带阵列天线，包括介质板、以及覆于介质板表面的金属地板和2个以上的相互独立的天线阵列单元；2个相邻的天线阵列单元之间设有石墨烯层；该石墨烯层覆于介质板上，且与天线阵列单元之间存在一定的间隙；石墨烯层与一外置直流偏置电压相连接。本发明能够有效降低微带阵列天线中辐射贴片之间的电磁耦合，从而实现阵列天线的紧凑型结构。
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公开(公告)号：CN108110433B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201711176679.X
申请日：2017-11-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯‑金属混合超表面的多功能THz极化转换器。自上而下由石墨烯‑金属混合超表面层、二氧化硅衬底层、硅介质基底层和金属地板层组成。石墨烯‑金属混合超表面层由多个石墨烯和金属超表面单元组成，这些石墨烯和金属超表面单元在二氧化硅衬底层的表面呈周期性排列。每个石墨烯和金属超表面单元由金属片和石墨烯片组成。金属片为蝶形，且金属片同时关于表面横向x轴对称和表面纵向y轴对称。本发明能够通过改变加载在石墨烯‑金属混合超表面层和硅介质基底层之间的偏置电压来达到调节石墨烯的费米能级的目的，从而实现本多功能极化转换器本体的线极化偏转和圆极化转换功能的切换。
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公开(公告)号：CN117615579A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311429465.4
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
IPC: H10B53/30
Abstract: 本发明涉及微电子存储器技术领域，具体涉及一种无铅BaTiO3铁电存储器及其制备方法，包括使用丙酮、无水乙醇和去离子水依次对SrTiO3衬底超声清洗后吹干；将吹干后的SrTiO3衬底放入预设温度的脉冲激光沉积系统腔室，并通入氧气，使用La0.65Sr0.35MnO3缓冲层制备得到薄膜；对所述薄膜进行原位退火后降温取出；遮住部分所述薄膜，再次送入脉冲激光沉积系统腔室，使用1.1％wt Nb：SrTiO3制备得到底电极层；对所述底电极层通入氧气使用BaTiO3制备得到BaTiO3铁电功能氧化物层；对所述BaTiO3铁电功能氧化物层进行原位退火后降温取出；将取出的BaTiO3铁电功能氧化物层使用lift‑off工艺以及射频磁控溅射生长Pt上电极层，得到无铅BaTiO3铁电存储器，解决了现有的闪存的浮栅电容数据的读取具有破坏性的问题。
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公开(公告)号：CN106099366B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201610741404.5
申请日：2016-08-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种加载石墨烯去耦网络的微带阵列天线，包括介质板、以及覆于介质板表面的金属地板和2个以上的相互独立的天线阵列单元；2个相邻的天线阵列单元之间设有石墨烯层；该石墨烯层覆于介质板上，且与天线阵列单元之间存在一定的间隙；石墨烯层与一外置直流偏置电压相连接。本发明能够有效降低微带阵列天线中辐射贴片之间的电磁耦合，从而实现阵列天线的紧凑型结构。
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公开(公告)号：CN120018769A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510168290.9
申请日：2025-02-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种氧化镓忆阻器及其制备方法，采用磁控溅射设备制备底电极和顶电极，采用激光脉冲沉积设备制备氧化镓阻变层。其中，底电极用于施加信号，氧化镓作为阻变层，对底电极和顶电极施加外加电场，在电流作用下阻变层可以转变为两种不同的阻值，通过氧化还原反应在阻变层内部形成导电细丝，进而使器件阻值发生变化，可模拟部分神经突触性能。本申请的制备方法简单，易于操作，且所制备的氧化镓忆阻器具有无电铸、可模拟神经突触性能等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117539079A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311427743.2
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及一种t型电极铌酸锂电光调制器及设计方法，包括衬底、缓冲层、光波导、金属电极和过渡层，光波导为X或Y型切割LN薄膜，采用传统的脊状结构，光波导粘接在衬底上的厚SiO2缓冲层上，薄膜可以通过多种工艺制备，如离子注入、晶圆键合和热切片，金属电为t型金属电极，可有效降低电损耗，获得高带宽，为了提高电光重叠系数，减少光吸收损失，使用0.2um的二氧化硅过渡层连接金属电极和光波导，金属电极沿光波导的Z轴排列，t型电极铌酸锂电光调制器在1cm调制长度下实现了近1.4V的半波电压，对电光调制器的设计具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN117518534A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311480895.9
申请日：2023-11-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光通信器件领域，具体涉及一种新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器，包括衬底层、低折射率下盖层、薄膜铌酸锂层、低折射率上盖层和电极组件；低折射率下盖层与衬底层连接，并位于衬底层的一侧，薄膜铌酸锂层与低折射率下盖层连接，并位于低折射率下盖层远离衬底层的一侧，低折射率上盖层与薄膜铌酸锂层连接，并位于薄膜铌酸锂层远离低折射率下盖层的一侧，电极组件设置在薄膜铌酸锂层上，并位于薄膜铌酸锂层与低折射率上盖层之间，电极组件采用下沉式设计，这样使得薄膜铌酸锂层形成阶梯式的结构，其脊波导可以更紧密地限制光学模式，对损耗有显著影响，使其减少数量级。
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公开(公告)号：CN108365344A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810331489.9
申请日：2018-04-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本发明公开一种基于有源超表面的功能可重构极化转换器，由介质基底层、有源超表面层和金属地板层组成；有源超表面层由多个相同的蝶形结构单元组成，这些蝶形结构单元在介质基底层的上表面呈规则矩阵式间隔排列；金属地板层由多条相同的条状金属片组成，这些条状金属片在介质基底的下表面呈并行式间隔排列；上述介质基底层上开设有多个金属过孔，金属贴片均通过对应的金属过孔与其正下方的条状金属片相连。本发明通过控制变容二极管的偏置电压实现器件功能的切换，使其具有线极化偏转、椭圆极化转换和圆极化转换等多重功能，解决了极化器功能单一的问题。
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公开(公告)号：CN207199807U
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201721157760.9
申请日：2017-09-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种基于金属‑石墨烯混合超表面的双功能调制器，自下而上由单晶硅衬底层、二氧化硅基底层、石墨烯结构层和金属带状线结构层组成；石墨烯结构层包括2个以上的石墨烯单元；每个石墨烯单元由上凸石墨烯环、下凹石墨烯环和2个微型缝隙开口组成；所有的石墨烯单元在二氧化硅基底层上呈规则矩阵排列；金属带状线结构层包括2条以上的金属带状线；每条金属带状线均为长条状；金属带状线的数量与石墨烯结构层的列数相同，每条金属带状线纵向延伸并覆盖在石墨烯结构层对应列的所有石墨烯单元上；所有金属带状线在石墨烯结构层上呈平行排列。本实用新型利用金属‑石墨烯超表面能够在保证调制器调制性能情况下，可以根据激励场与阵列的相对方向变化实现两种模式电磁波的调控，即实现双功能。
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公开(公告)号：CN207021384U
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201720855816.1
申请日：2017-07-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本实用新型公开一种基于石墨烯的频率可调谐的宽带圆极化转换器，由介质基底层、设置在介质基底层上表面的石墨烯超表面层、以及设置在介质基底层下表面的石墨烯地板层组成；石墨烯超表面层为单层镂空的石墨烯片；即在该层石墨烯片上开设有多个呈矩阵排列的蝶形孔，每个蝶形孔均是由2个大小一致的等腰三角形孔通过顶角相对或相叠设置所形成的轴对称图形；石墨烯地板层由多层具有相同的性能参数的石墨烯片堆叠而成。本实用新型能够在很宽的频带实现线极化波到圆极化波的转换，并且具有很好的圆极化性能，较大程度拓展了基于石墨烯反射型极化器的调谐带宽，解决了由于干涉条件限制调谐带宽的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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