-
公开(公告)号：CN117062516A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310977253.3
申请日：2023-08-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及阻变存储器制备技术领域，具体涉及一种通用型纳米结构沟道平面电极以及制备方法，将低成本AAO纳米结构制备工艺在平面电极沟道中引入纳米结构沟道电极，通过纳米结构尺寸的调控，减小左右电极的有效间距、实现高性能器件制备。本发明解决EBL等精细加工的依赖性问题，同时电极间距只需控制在微米级，从而可采用传统光刻工艺制备左右电极。由于沟道区域的宽度在微米级，而光刻的对准精度为0.5μm，所以可以消除第二、三次光刻对准误差的影响。此外，通过省略部分步骤，还可实现通用型的传统平面电极的制备，在此基础上，本发明实现纳米结构沟道平面电极的独立、可控制备，获得通用型纳米结构沟道平面电极。
-
公开(公告)号：CN116931634A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310732318.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种无片外电容LDO低功耗瞬态响应增强电路，在LDO的输出电压发生跳变时，产生上冲电压信号或者下冲电压信号；上冲峰值放大电路在LDO的输出电压上冲时，根据上冲电压信号产生上冲峰值放大信号；下冲峰值放大电路在LDO的输出电压下冲时，根据下冲电压信号产生下冲峰值放大信号；放电电路根据下冲峰值放大信号，提供了一条额外的功率管栅极到地的放电电路，控制LDO功率管的栅极快速放电，来实现LDO的快速瞬态响应；充电电路根据上冲峰值放大信号，提供了一条额外的电源到功率管栅极的充电通路，控制LDO功率管的栅极快速充电，解决现有片外电容LDO的瞬态响应较慢的问题。
-
公开(公告)号：CN116923288A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310760857.2
申请日：2023-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B60R16/023 , B60Q9/00 , G08C17/02
Abstract: 本申请适用于汽车辅助驾驶领域，提供了一种行车鬼探头智能探测系统、及方法，所述行车鬼探头智能探测系统包括：超声波模块、显示模块、无线传输模块、报警模块；所述系统可工作在模式1和模式2，当系统工作在模式2时，所述超声波模块不工作，所述无线传输模块接收其他车辆发送的信息，并传输至所述报警模块，用于安全判定。安装有上述系统的车辆，可接收其他车辆发送的探测信息并进行安全判定，从而在本车辆的超声波模块不工作时，同样能够探测到车辆盲区内的路况，并及时报警，极大的降低了驾驶员由于观察力有限而造成的突发危险和鬼探头事故几率。
-
公开(公告)号：CN111916558B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010746740.5
申请日：2020-07-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H10N70/00
Abstract: 本发明公开了一种以六方氮化硼(h‑BN)作为中间插层的忆阻器，所述以h‑BN作为中间插层的忆阻器包括衬底、底电极层、高空位介质层、中间插层、低空位介质层和顶电极层，以二维材料h‑BN作为中间插层的结构，夹在所述高空位介质层和所述低空位介质层之间，能够充分发挥h‑BN的材料特性提高忆阻器整体性能，并且凭借传统忆阻器介质材料以及二维材料h‑BN的特性，可以提高忆阻器的整体性能。
-
公开(公告)号：CN115974134A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310096428.X
申请日：2023-02-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种铟镓氧化物纳米材料的制备方法，通过该方法可制备出性能优异的铟镓氧化物纳米线，可作为日盲波段探测器的材料。该制备方法使用金属Ga和金属In作为反应原料通过化学气相沉积法制备铟镓氧化物纳米材料，降低了反应所需温度，因而降低了制造成本，且制备出的铟镓氧化物纳米材料表面光滑，粗细均匀，且本申请的制备方法简单，可重复性强。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115966918A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202310031901.6
申请日：2023-01-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供了一种相控阵天线及雷达装置，本申请提供的相控阵天线，将相控阵天线辐射单元层贴合在第一基板的第一面，而将第一基板的第二表面设置成具有不同高度的第一区域和第二区域，以将具有耦合间隙阵列的接地板贴合在高度相对较低的第二区域上，再在接地板的另一面贴合第二基板，然后分别在第一基板的第一区域以及第二基板远离接地板的一面贴合射频前端电路层和馈电网络层，以通过馈电网络层将射频前端电路层输出的射频信号和/或电磁波发射控制信号反馈至相控阵天线辐射单元层，从而使得相控阵天线辐射单元层分时以相应的扫描角度辐射电磁波。因此，本申请提供的相控阵天线的带宽较大，且结构简单，制备成本低，容易实现。
-
公开(公告)号：CN107453012B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201710813073.6
申请日：2017-09-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于金属‑石墨烯混合超表面的双功能调制器，自下而上由单晶硅衬底层、二氧化硅基底层、石墨烯结构层和金属带状线结构层组成；石墨烯结构层包括2个以上的石墨烯单元；每个石墨烯单元由上凸石墨烯环、下凹石墨烯环和2个微型缝隙开口组成；所有的石墨烯单元在二氧化硅基底层上呈规则矩阵排列；金属带状线结构层包括2条以上的金属带状线；每条金属带状线均为长条状；金属带状线的数量与石墨烯结构层的列数相同，每条金属带状线纵向延伸并覆盖在石墨烯结构层对应列的所有石墨烯单元上；所有金属带状线在石墨烯结构层上呈平行排列。本发明利用金属‑石墨烯超表面能够在保证调制器调制性能情况下，可以根据激励场与阵列的相对方向变化实现两种模式电磁波的调控，即实现双功能。
-
公开(公告)号：CN113280840A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110524565.X
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于金纳米四棱锥结构偏振相关的等离子光热传感器。属于微纳光电子领域，传感器包括衬底和金属四棱锥，在衬底1上刻蚀有纳米金属四棱锥2阵列。通过改变传感器尺寸L1，可以达到对覆盖整个可见光谱的光的操纵。本发明可以实现对对覆盖整个可见光谱的光的调节，且具有偏振相关特性，可以提高微纳集成光学器件在集成光电路中的集成密度。
-
公开(公告)号：CN109607597B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910042497.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga2O3为核，In2O3为壳，以金属镓和金属铟为原料，经混合后置于真空管式炉中，反应而成。本发明的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。
-
公开(公告)号：CN112707433A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011526473.7
申请日：2020-12-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土铈掺杂氧化镓纳米材料的制备方法，包括如下步骤：准备硅衬底；充分研磨氧化镓、氧化铈和碳粉，获得混合粉末；所述混合粉末放入管式炉内，通入氩气并升温预反应；在氩氧混合气体作用下，冷却后获得稀土铈掺杂氧化镓纳米材料。通过碳热还原法，在不添加表面金属催化剂的条件下，制备稀土铈掺杂的氧化镓纳米材料，该方法工艺步骤简单,成本低廉，设备要求不高，有利于工业化生产，解决了现有技术中的稀土铈掺杂氧化镓纳米材料制备工艺复杂，制作设备要求高的技术问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
279
records
(took 0.032 seconds)
