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发明公开
一种无片外电容LDO低功耗瞬态响应增强电路审中-实审

公开(公告)号：CN116931634A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310732318.8

申请日：2023-06-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 , 奥鹏龙 , 王媛

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种无片外电容LDO低功耗瞬态响应增强电路，在LDO的输出电压发生跳变时，产生上冲电压信号或者下冲电压信号；上冲峰值放大电路在LDO的输出电压上冲时，根据上冲电压信号产生上冲峰值放大信号；下冲峰值放大电路在LDO的输出电压下冲时，根据下冲电压信号产生下冲峰值放大信号；放电电路根据下冲峰值放大信号，提供了一条额外的功率管栅极到地的放电电路，控制LDO功率管的栅极快速放电，来实现LDO的快速瞬态响应；充电电路根据上冲峰值放大信号，提供了一条额外的电源到功率管栅极的充电通路，控制LDO功率管的栅极快速充电，解决现有片外电容LDO的瞬态响应较慢的问题。

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