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公开(公告)号：CN109100332B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201810751945.5
申请日：2018-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称开口圆环结构的双透射峰等离子光纤传感器，包括金属薄膜以及开设在金属薄膜上的周期开口圆环狭缝阵列结构。单个周期结构由左右两个开口圆环狭缝构成，内外半径相同但圆心角不同的两个开口圆环狭缝水平位于单元中心左右两侧。本发明的传感器结构在近红外频段内具有高品质因数高透射率的双透射峰特性，利用该特性可进一步提高传感器灵敏度，并且可使传感器工作在两个不同的频段。同时，通过修改相关结构参数可以达到调整双透射峰频谱位置的目的，从而可以实现工作频段宽、适用范围广、灵敏度高、易于加工的等离子光纤传感器。
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公开(公告)号：CN112099311A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011001312.6
申请日：2020-09-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可以在目标基片制备出与AAO模板一致的分布均匀、形状统一的纳米结构的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法首先以进行PMMA旋涂的AAO多孔纳米结构为基底，在AAO表面生长一层金属层，再依次去除PMMA层和AAO层，利用玻璃衬底将纳米结构金属层从酸性溶液取出，将金属‑玻璃衬底上生长一层透明的覆盖层，最后得到由纳米结构金属‑玻璃衬底组成的亚微米级光刻掩膜版。采用该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法将AAO纳米结构图形尺寸完全复制到金属层上，再将金属层固定到玻璃衬底上制备得到亚微米级光刻掩膜版，具有操作简单、成本低、精度高、保存方便等优点。
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公开(公告)号：CN112098339A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010712874.5
申请日：2020-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/25
Abstract: 本发明提供了一种可同时实现多参量(温度、磁场强度和折射率)检测用的D型光子晶体光纤(PCF)表面等离子体共振(SPR)的传感器。所述D型PCF在纤芯两侧的两个空气孔分别引入磁流体和温敏介质形成通道1和通道2。本发明在D形PCF的侧抛平面、通道1和通道2的内壁分别涂覆金属膜；利用SPR效应，形成折射率传感通道；利用磁流体的磁光效应，形成磁场传感通道；同时利用温敏介质的温敏效应，形成温度传感通道，从而设计实现温度、磁场强度和折射率的多参量同时检测的传感器。本发明的优点是：克服传统光纤传感器单一测量的不足，实现了多参量同时检测；另外，D型结构减少了传感器与纤芯的距离，使传感器迅速检测待测液变化，实现高灵敏度传感。
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公开(公告)号：CN110098120A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910342453.5
申请日：2019-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/308 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及纳米结构技术领域，尤其涉及一种大面积转移制备纳米结构的方法，以Al作为基底，采用两次阳极氧化法制备单通AAO多孔纳米结构模板，并对单通AAO多孔纳米结构模板进行两次旋涂，再采用排水法和干法刻蚀制备工艺制备得到双通AAO纳米多孔薄膜，最后在目标基片表面获得纳米结构。本发明是一种大面积转移制备纳米结构的方法，能够实现将超薄AAO阵列纳米结构大面积转移至目标基片，并高精度、低成本、无损伤高均匀性地在目标基片制备出与AAO具有相同特征尺寸的高规整度纳米结构。
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公开(公告)号：CN109941961A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910232023.8
申请日：2019-03-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及功能性薄膜技术领域，尤其涉及一种具有微纳米结构的多功能薄膜制备方法，包括以下步骤：制备滚筒压印模板；对滚筒压印模板进行防粘处理；采用滚筒压印模板对聚合物薄膜进行压印，干燥后得到具有微纳米结构的多功能薄膜。本发明的一种具有微纳米结构的多功能薄膜制备方法，简单、高效、成本较低，能够大面积地制备多功能薄膜，且制备得到的多功能薄膜具有较好的疏水自清洁性、增透性和广角性能，适合推广使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109509954A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201910006730.5
申请日：2019-01-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P3/00
Abstract: 本发明涉及一种基于费马旋臂结构的人工表面等离激元波导，解决的是电模式表面等离激元波导各方向强度分布不均匀的技术问题，通过采用包括介质基板，以及设置在介质基板单面或对称面的金属费马旋臂结构，可以将表面等离激元束缚在金属费马旋臂结构单元周围，实现人工表面磁等离激元的高效传输。所述金属费马旋臂结构的厚度小于10-4倍工作波长的技术方案，较好的解决了该问题，并应用于等离激元波导中。
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公开(公告)号：CN108306622A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810384680.X
申请日：2018-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器：第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和第二级漏极偏置网络；三级匹配网络：输入级匹配网络、级间匹配网络以及输出级匹配网络。本发明在第二级场效应晶体管源漏级并联负反馈网络，反馈网络的反馈电阻调节了放大器的增益，反馈网络的电容同时调节了信号的幅度和相位，还起到了直流隔离的作用。使得在较宽的频带内保持良好的增益平坦度，显著提高了低噪声放大器的线性度，降低了噪声系数。
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公开(公告)号：CN107833923A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711034834.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/20 , H01L29/401 , H01L29/42356 , H01L29/66446 , H01L29/66484
Abstract: 本发明公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；该制备方法包括步骤，首先在单晶硅衬底上设置第一键合片；然后在III-V族半导体外延衬底上依次沉积背栅介质层的材料层、背栅电极的材料层、在隔离层、第二键合片；将第一键合片和所述第二键合片键合在一起，形成介质键合层；然后再成形、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极。采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。
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公开(公告)号：CN107742606A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711030930.1
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/2007
Abstract: 本发明公开了一种键合晶圆的结构及其制备方法，主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构及其制备方法通过将需要键合的两块晶圆进行清洗、蒸发沉积金属Al，在任一晶圆表面旋涂光刻胶、软烘烤、UV曝光、光刻胶显影，刻蚀形成等间距通道、在氧环境下低温键合以及低温退火键合得到晶圆键合结构，该晶圆键合结构包括上下两层晶圆层，以及在该两层晶圆层之间氧化与键合同时进行，使得键合后的表面具有三氧化二铝和气体混合的气体通道的技术方案，该键合晶圆的结构及其制备方法，实现了晶圆之间空隙小、键合强度高，以及基于SOI结构制造的器件散热性好；能够用于晶圆的低温键合。
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公开(公告)号：CN107257242A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710312585.4
申请日：2017-05-05
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种惯性传感器动态信号的实时处理方法，首先，利用随机采样技术充分降低信号的采样数据；然后，通过对采样后的信号进行压缩测量，获得相应的测量值，进而利用重构算法完成对原始信号的准确重构，以提高惯性传感器动态信号输出精度。与传统方法相比，本发明能够在大大降低信号采样数据的同时，有效改善输出信号精度，从而实现惯性传感器动态信号的实时处理。
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