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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114997386B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202210749104.7
申请日：2022-06-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06N3/065 , G06N3/0464 , G06F30/327 , G06F30/331
Abstract: 本发明公开一种基于多FPGA异构架构的CNN神经网络加速设计方法，包括以下步骤：根据模块的功能判断，在RTL级使用Verilog HDL设计能实现完整的计算功能的模块，其余的模块使用Vivado的HLS工具进行开发；对卷积神经网络进行量化；CPU依据任务分配法分配计算任务给FPGA板；FPGA板和外部存储器进行初始化配置；CPU获取加载信息并将加载信息通过数据收发单元加载至各个FPGA开发板；两个卷积计算单元通过流水交替方式进行计算；直到当前卷积神经网络计算完成，输出结果。本发明采取HLS与HDL相结合的方式，对神经网络的不同模块分别使用HLS和HDL开发，缩短了开发时长，降低研究成本。
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公开(公告)号：CN218734242U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202221754431.3
申请日：2022-07-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型提供了一种动态锁存比较器，动态锁存器包括锁存器电路和标志信号产生电路，锁存器电路具体为双输入双输出的锁存器电路，动态锁存器还包括用于对锁存器电路的两个输出进行对应缓冲的第一电平判决电路和第二电平判决电路，还包括用于对标志信号产生电路的输出进行缓冲的第三电平判决电路。本实用新型解决了在量化过程中比较器输入失调电压过大的问题，提高了比较器的增益，降低了输入失调电压，且能够驱动较大的电流，降低了动态失调的影响。
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公开(公告)号：CN204123395U
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201420422508.6
申请日：2014-07-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型的可替代人工书写的装置，由书写笔、机械臂和控制终端构成；机械臂包括夹持书写笔的手部、与手部连接的臂部以及安置臂部的基体；基体还设置通信模块和控制模块，基体接收控制终端的指令，由控制模块控制臂部以及手部完成书写。本装置，可以将控制终端发出的命令、书写行为或内容，传输到机械臂，再由机械臂执行或同步，书写在黑板上，产品体积小、性能稳定、可靠性高、书写速度快。应用本装置可减少粉尘对人的危害，降低教师的工作强度。由于控制终端与机械臂离开足够的距离，该装置还可以应用在诸如高大壁画、天花板作画及雕刻等不方便进行操作的场合，也可以对其功能进行有效拓展后用于代替人工刷漆、高楼清洗和脏污清理等。
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公开(公告)号：CN204102902U
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201420611626.1
申请日：2014-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L27/12
Abstract: 本实用新型公开一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置；在横向耐压方向上，每2个高浓度固定电荷区之间的间距呈线性递减或递增。本实用新型不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN204179089U
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201420611907.7
申请日：2014-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种等间距固定电荷区SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置，并呈等间距分布。本实用新型不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
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