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公开(公告)号：CN103165524A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310115709.1
申请日：2013-04-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种IGBT芯片及其正面铜金属化结构的制作方法，该IGBT芯片正面包括第一子表面、第二子表面和第三子表面，该制作方法包括：在所述第一子表面之上制作光刻胶图案；在所述第二子表面、所述第三子表面及所述光刻胶图案之上淀积一阻挡层；在所述阻挡层之上淀积一籽铜层；在所述籽铜层之上淀积一铜金属化层；剥离所述光刻胶图案，以去除所述光刻胶图案上方的阻挡层、籽铜层以及铜金属化层；其中，所述第一子表面位于所述第二子表面和所述第三子表面之间。本发明通过剥离光刻胶，同时位于光刻胶图案之上的金属层去除掉，免去了现有技术中对金属层的光刻和刻蚀操作，避免了现有技术中铜难刻蚀的缺陷。
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公开(公告)号：CN101275283A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810000056.1
申请日：2008-01-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: C30B31/04 , H01L21/228 , B05B7/30 , B05D1/02
Abstract: 公开了一种用于涂覆扩散源的装置，包括至少一个容器，所述容器中具有液态扩散源，所述装置还至少包括一第一管路和至少一第二管路，所述第一管路的一端伸入所述液态扩散源的液面以下，另一端为细嘴状喷口；所述第二管路的一端通入高速流动的压缩气体，另一端为细状喷嘴；所述喷口与喷嘴的位置紧贴，以使从所述喷嘴高速流出的压缩气体能够在所述喷口处形成负压，将所述容器内的液态扩散源110吸出喷成雾状涂覆于硅片表面。本发明能够在晶片表面形成均匀的扩散源涂层。
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公开(公告)号：CN101214625A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810000168.7
申请日：2008-01-02
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种硅片边缘磨角装置，包括：磨头和磨盘，磨头下表面为圆形平面，并且磨头的内部具有真空管道，真空管道可将硅片吸附在磨头的圆形下表面外层；磨头还包括磁铁层和缓冲层，磁铁层与磨盘产生磁力吸引，使硅片受力均匀；缓冲层使硅片和磨头紧密结合，并且不受磕碰损伤。所述磨盘的上表面具有一个凹曲面，在磨角的工作过程中，磨头吸附住硅片与磨盘的凹曲面接触，磨头和磨盘做相对转动，同时硅片的边缘在磨盘上磨角。本发明避免了传统手工磨角操作过程不精确，容易出现误差，磨出来的台面不均匀的问题，使得操作简单，精确度提高，大大节省了成本，提高了效率。
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公开(公告)号：CN1828847A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610031192.8
申请日：2006-01-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/332 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管门极与阴极隔离的制造方法，包括晶闸管的芯片准备(1)、测试(12)和封装(14)，在测试(12)之前进行的步骤是，掩膜挡片和封装垫片制作(2)，掩膜挡片安装(3)，对准掩膜图形进行芯片安装(4)，第一次蒸发(5)，取下掩膜挡片和芯片(6)，再一次进行芯片安装(7)，第二次蒸发(8)，常规工艺退火(9)，刻蚀(10)，台面造型与保护(11)，在封装(14)之前，进行防止电迁移的封装垫片安装(13)。本发明采用掩膜、蒸发和光刻技术相结合的工艺方法，不需要粘贴阴极导电片就实现了门极、放大门极与阴极的隔离，有效地防止器件在其后的测试封装过程中受到损伤。适合晶闸管制造商或生产企业采用。
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公开(公告)号：CN105390537B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201510765896.7
申请日：2015-11-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT及其制作方法，元胞包括位于源极区背离基区一侧、且沿第二方向设置的第一发射极金属电极、至少一个辅助凹槽和第二发射极金属电极，第一发射极金属电极和第二发射极金属电极均延伸至基区，辅助凹槽与源极区接触，且辅助凹槽延伸至漂移区，辅助凹槽内设置有辅助栅层，辅助凹槽的内壁和辅助栅层之间设置有第二栅氧化层，其中，第一方向与第二方向相交。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，通过在第一常规沟槽和第二常规沟槽之间形成至少一个辅助凹槽，以增加沟槽栅IGBT的沟槽密度，增强电导调制效应，进而降低沟槽栅IGBT的通态压降，提高其性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105428407B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201510786049.9
申请日：2015-11-16
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本申请提供了一种IGBT器件，包括：半导体结构，所述半导体结构包括漂移区，阱区、发射区，所述发射区顶面高出所述半导体结构的上表面，且底面与所述半导体结构的上表面的距离为0～1μm；位于所述阱区两侧的发射区之间且与所述发射区电连接的发射极，位于所述发射极两侧的栅区，所述栅区具有台阶部分和水平部分，所述台阶部分和所述水平部分为一体结构，所述栅区的水平部分覆盖所述发射区背向所述发射极一侧的阱区和漂移区，所述台阶部分覆盖至少部分所述发射区的顶面。该结构避免了栅区端部“鸟嘴”结构对器件阈值电压的影响，同时，缩短了关断电流在阱区的路径，减少了损耗，且最大程度的避免了闩锁效应。
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公开(公告)号：CN106910767A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201510980302.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/06 , H01L29/66325 , H01L29/7393
Abstract: 本发明提供一种沟槽栅IGBT制作方法及沟槽栅IGBT，其中，方法包括在衬底上形成掺杂区；在衬底和掺杂区形成沟槽；在掺杂区表面和沟槽内表面生长氧化层；在氧化层表面淀积二氧化硅层或低K介质层，其中，沟槽底部的二氧化硅层或低K介质层位于衬底范围内；将沟槽侧壁及掺杂区表面氧化层上的二氧化硅层或者低K介质层刻蚀掉，保留沟槽底部的二氧化硅层或者低K介质层，以使沟槽底部的第一覆盖层比沟槽侧壁的第二覆盖层厚；在沟槽中填充多晶硅，形成栅电极。由于沟槽底部的第一覆盖层比沟槽侧壁的第二覆盖层厚，因此可以减小沟槽栅IGBT的栅集寄生电容，提高沟槽栅IGBT的工作安全性。
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公开(公告)号：CN106898549A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510960998.4
申请日：2015-12-21
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种沟槽栅IGBT及沟槽栅IGBT制作方法，其中，沟槽栅IGBT包括：衬底及位于衬底中的沟槽，沟槽上端露出衬底上表面，沟槽露出衬底上表面的部分被覆盖在衬底上表面的第一覆盖层覆盖，在相邻两个沟槽之间的衬底上设置有发射极区，发射极区及第一覆盖层均被第二覆盖层覆盖，沟槽未露出衬底的部分填满填充物，其中，第一覆盖层用于将第二覆盖层与填充物隔离。本发明可在不减小发射极金属与发射极区接触面积的前提下，通过减小沟槽间距以改善沟槽栅IGBT导通特性。
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公开(公告)号：CN103956352B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410213221.7
申请日：2014-05-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体芯片的铜金属化结构及其制作方法。所述功率半导体芯片包括发射极/源极区、栅极区和集电极/漏极区，在每一个电极区对应铜金属化结构依次包括阻挡层、籽铜层、铜金属化层，该铜金属化结构还包括增强层，其中，增强层位于籽铜层和铜金属化层之间，或者，增强层位于阻挡层和籽铜层之间，或者，增强层位于铜金属化层的上方。这种铜金属化结构能够减少铜金属化层的厚度，因而有利于降低铜金属化的工艺难度和成本，并且能够保证铜引线键合点的寿命与可靠性。
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公开(公告)号：CN103311245B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310228700.1
申请日：2013-06-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/082 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/8222
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L29/0834 , H01L29/66333
Abstract: 本发明提供了一种逆导IGBT芯片及其制备方法。该逆导IGBT芯片包括第一导电类型衬底、位于所述衬底第一表面之上的第一表面结构和位于衬底第二表面之上的第二表面结构。所述第一表面结构包括，位于所述衬底第一子表面上的IGBT区，位于所述衬底第二子表面上的FRD区，以及位于衬底第三子表面内的终端区；本发明将芯片元胞区划分为两个宏观的区域：IGBT区和FRD区，免去了现有技术中制备逆导IGBT芯片时需要对IGBT芯片的集电极进行光刻窗口和离子掺杂浓度的准确控制的问题，减小了设计和制备逆导IGBT芯片的难度。
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