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公开(公告)号：CN104659114A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510043980.8
申请日：2015-01-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及MOS电容以及其制造方法。该方法包括，步骤一：在基板上设置SiC外延层；步骤二：在SiC外延层上设置氧隔离层；步骤三：在氧隔离层上设置硅层；步骤四：将硅层氧化成SiO2层。根据本方法制造的MOS电容，反型沟道载流子迁移较高，MOS电容的性能较好。
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公开(公告)号：CN104659114B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201510043980.8
申请日：2015-01-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及MOS电容以及其制造方法。该方法包括方法包括，步骤一：在基板上设置SiC外延层；步骤二：在SiC外延层上设置氧隔离层；步骤三：在氧隔离层上设置硅层；步骤四：将硅层氧化成SiO2层。根据本方法制造的MOS电容，反型沟道载流子迁移较高，MOS电容的性能较好。
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公开(公告)号：CN104282765B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201410619955.5
申请日：2014-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅MOS器件及其制造方法，本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面完全外延一层P－外延层，由于外延层之后的P－外延层的表面粗糙度较低，所以导电沟道中载流子碰撞或散射几率会降低，从而提高碳化硅MOS器件反型沟道载流子迁移率，达到降低器件导通电阻的目的。
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公开(公告)号：CN104599946B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410815606.0
申请日：2014-12-24
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法，包括将碳纳米管置于酸液中加热，将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散，然后在SiC晶圆表面旋涂成膜，最后通过烘焙使溶剂完全挥发。本发明还提供了所述碳保护膜在SiC功率器件中的应用，检测说明得到的碳保护膜的纯度高、高温稳定性好，可以有效地保护高温激活退火过程中SiC晶圆的表面形貌。
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公开(公告)号：CN105070662A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510545841.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/43 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L29/42372 , H01L29/43 , H01L29/78
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在碳化硅外延片上制作场氧窗口，在所述场氧窗口内形成二氧化硅绝缘膜；在所述二氧化硅绝缘膜上沉积一层多晶碳化硅；刻蚀所述多晶碳化硅，留下的多晶碳化硅作为栅电极；刻蚀所述二氧化硅绝缘膜；对所述多晶碳化硅进行掺杂并退火。由于上述方法中，利用掺杂多晶碳化硅制作碳化硅MOSFET的栅电极，因此能够提高对器件阈值电压的调节能力，并能降低栅信号延迟时间。
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公开(公告)号：CN104599946A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410815606.0
申请日：2014-12-24
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法，包括将碳纳米管置于酸液中加热，将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散，然后在SiC晶圆表面旋涂成膜，最后通过烘焙使溶剂完全挥发。本发明还提供了所述碳保护膜在SiC功率器件中的应用，检测说明得到的碳保护膜的纯度高、高温稳定性好，可以有效地保护高温激活退火过程中SiC晶圆的表面形貌。
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