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公开(公告)号：CN105070662A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510545841.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/43 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L29/42372 , H01L29/43 , H01L29/78
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在碳化硅外延片上制作场氧窗口，在所述场氧窗口内形成二氧化硅绝缘膜；在所述二氧化硅绝缘膜上沉积一层多晶碳化硅；刻蚀所述多晶碳化硅，留下的多晶碳化硅作为栅电极；刻蚀所述二氧化硅绝缘膜；对所述多晶碳化硅进行掺杂并退火。由于上述方法中，利用掺杂多晶碳化硅制作碳化硅MOSFET的栅电极，因此能够提高对器件阈值电压的调节能力，并能降低栅信号延迟时间。
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公开(公告)号：CN104658903A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510050088.2
申请日：2015-01-30
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/02529 , H01L21/283 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法，属于SiC MOSFET器件领域。所述方法包括在SiC外延层上热生长SiO2栅氧化层，然后在500～1000℃，优选700～800℃下，包含SiH2Cl2的环境中退火该栅氧化层。优选SiH2Cl2以0.5slm-2slm的速率通入，退火压力为100～1000mbar，保持时间30～180min。所述方法仅使用SiH2Cl2退火栅介质SiO2层，可以兼顾单独使用H2和Cl2退火的效果，同时消除SiO2栅介质层中的氧空位陷阱电荷和SiO2/SiC界面存在的悬挂键。
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公开(公告)号：CN104637801A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510047816.4
申请日：2015-01-30
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L21/28 , H01L21/324 , H01L29/66068
Abstract: 本发明涉及一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法，属于SiC MOSFET器件领域。所述方法包括在SiC外延层上热生长SiO2栅氧化层，然后在500～1000℃，优选700～800℃下，包含Cl2的环境中退火该栅氧化层。优选以0.5-2slm的速率通入Cl2与惰性气体的混合气体，退火压力为100～1000mbar，保持时间30～180min。所述方法使用Cl2退火栅介质SiO2层，可以消除SiO2栅介质层中的氧空位陷阱电荷，提高SiC MOSFET器件中SiO2栅介质层的临界击穿电场和耐压能力。
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公开(公告)号：CN104599946A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410815606.0
申请日：2014-12-24
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法，包括将碳纳米管置于酸液中加热，将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散，然后在SiC晶圆表面旋涂成膜，最后通过烘焙使溶剂完全挥发。本发明还提供了所述碳保护膜在SiC功率器件中的应用，检测说明得到的碳保护膜的纯度高、高温稳定性好，可以有效地保护高温激活退火过程中SiC晶圆的表面形貌。
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公开(公告)号：CN104576762B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410822182.0
申请日：2014-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有的肖特基势垒二极管的开启电压较高的技术问题。该肖特基势垒二极管，包括：N型碳化硅衬底；位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层上的高掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层和所述高掺杂N型外延层中的P型高掺杂区；位于所述高掺杂N型外延层上的肖特基接触电极；位于所述N型碳化硅衬底下方的欧姆接触电极。本发明提供的肖特基势垒二极管能够更好的应用于高频电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104576325B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201510041144.6
申请日：2015-01-27
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本申请公开了一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法，包括：在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜；去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层；在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触；在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口；在所述碳化硅晶圆的正面制作肖特基接触。在该方法中，由于类金刚石膜具有良好的抗蚀性和较高的硬度，从而能够保护正面不受腐蚀或划伤，而成膜过程中，成膜物质不会留在晶圆的背面，从而能够提高欧姆接触的可靠性及器件成品率，另外该类金刚石膜可直接作为器件的钝化层，无需去除，从而减少了工序。
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公开(公告)号：CN103579016B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201310537220.3
申请日：2013-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法，该结构包括好的元件和坏的元件，所述好的元件和坏的元件在铜盖和铜底之间采用压接式封装；所述铜盖与好的元件的金属接触层阳极之间通过第一钼片扣合，所述铜底与好的元件阴极之间通过第二钼片扣合完成以使所有好的元件处于并联连接状态。该制造方法用来制造上述功率芯片结构。本发明具有制造方便、无淀积绝缘层、可提高器件性能等优点。
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公开(公告)号：CN106684146A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510767499.3
申请日：2015-11-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/43
Abstract: 本发明涉及一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法。该方法以多晶碳化硅作为碳化硅MOSFET的自对准栅电极前体来制备栅自对准型碳化硅MOSFET，制备过程中利用多晶碳化硅替代多晶硅作为栅自对准离子注入掩膜，可以使碳化硅MOSFET的制备完全执行硅MISFET制造过程中所执行的栅自对准工艺，由此解决了现有沟道自对准工艺的金属污染和低对准精度的问题。
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公开(公告)号：CN103824760B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410044255.8
申请日：2014-01-30
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端的制造方法。该碳化硅功率器件结终端的制造方法包括以下步骤：步骤1：在外延层上形成牺牲层；步骤2：在牺牲层上制作掩膜，以形成场限环的注入窗口；步骤3：刻蚀牺牲层的未被掩膜覆盖的部分；步骤4：去除掩膜；步骤5：注入离子，以同时形成场限环和电荷补偿层。本发明的碳化硅功率器件结终端的制造方法，借助于外延层上形成的牺牲层，一次离子注入同时实现场限环和电荷补偿层，工艺简单，制造成本低。
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公开(公告)号：CN105244264A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510711271.2
申请日：2015-10-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L28/75 , H01L21/28008
Abstract: 本发明公开了一种复合栅结构电容及其制造方法，该电容包括：SiC衬底；SiC外延层，其设置于SiC衬底上；过渡层，其设置于SiC外延层上；绝缘层，其设置于过渡层上，其中，过渡层为异质双层晶体结构，异质双层晶体结构靠近外延层的一层用于降低界面态密度，靠近绝缘层的一层用于提高过渡层的稳定性。本发明可以降低SiC外延层与过渡层的界面态密度，提高过渡层的稳定性，还可以提高电容的耐压能力。
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