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公开(公告)号：CN101214625A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810000168.7
申请日：2008-01-02
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种硅片边缘磨角装置，包括：磨头和磨盘，磨头下表面为圆形平面，并且磨头的内部具有真空管道，真空管道可将硅片吸附在磨头的圆形下表面外层；磨头还包括磁铁层和缓冲层，磁铁层与磨盘产生磁力吸引，使硅片受力均匀；缓冲层使硅片和磨头紧密结合，并且不受磕碰损伤。所述磨盘的上表面具有一个凹曲面，在磨角的工作过程中，磨头吸附住硅片与磨盘的凹曲面接触，磨头和磨盘做相对转动，同时硅片的边缘在磨盘上磨角。本发明避免了传统手工磨角操作过程不精确，容易出现误差，磨出来的台面不均匀的问题，使得操作简单，精确度提高，大大节省了成本，提高了效率。
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公开(公告)号：CN104576363B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201510020395.6
申请日：2015-01-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/329
Abstract: 本申请公开了一种大功率整流管管芯的制作方法，包括：对硅圆片的至少一面进行标记；在所述硅圆片表面通过铝预沉积工艺进行铝杂质掺杂；对所述硅圆片的阴极面进行腐蚀，去除所述硅圆片的阴极面的铝杂质；在所述硅圆片阳极面进行铝杂质深结扩散。利用本申请提供的制作方法，能够避免硅圆片表面缺陷和微小裂纹的产生，从而能够提高大功率整流管管芯的成品率和长期可靠性。
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公开(公告)号：CN103887167A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410153442.X
申请日：2014-04-16
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/0405
Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片台面的钝化方法，包括，将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内，并遮挡所述半导体芯片的非台面区域，以仅使所述半导体芯片的台面区域暴露在外；向所述反应室内通入反应性气体CH4，所述反应性气体CH4在射频源功率的作用下辉光放电产生等离子体；所述等离子体在所述半导体芯片的台面上淀积一层类金刚石薄膜，以形成钝化层。该钝化方法具有效率高、均匀性好、可重复性高、灵活性强以及人工成本低的优点。
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公开(公告)号：CN101748369A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910247045.8
申请日：2009-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: C23C14/30
Abstract: 本发明公开了一种电子束蒸发装置，包括铜坩埚，在所述铜坩埚内设有由耐热材料制成的坩埚衬，该坩埚衬与所述铜坩埚之间留有间隙。优选地，所述坩埚衬是由石墨或氮化硼制成。与现有技术相比，本发明的电子束蒸发装置由于在铜坩埚设置了耐热材料制成的坩埚衬，并且在坩埚衬与铜坩埚之间留有间隙，可极大地降低了坩埚衬与铜坩埚之间的导热率，因此可以有效避免坩埚衬的热量通过铜坩埚传导到磁铁和线圈而对电子束的发射产生不良影响；同时由于热传导损失很小，用较小的电子束功率即可以维持较高的蒸发率，而且坩埚衬内的铝源融化均匀，可以有效避免溅铝事故发生。
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公开(公告)号：CN101275287A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810000172.3
申请日：2008-01-02
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: C30B33/10 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种大面积硅片的旋转腐蚀系统及方法，包括自转腐蚀夹具、公转机械臂、腐蚀槽、去离子水清洗槽、鼓气泡搅拌装置、冷凝和温控装置；所述腐蚀夹具安装于机械臂上并在转动电机的带动下做匀速自转，腐蚀槽装有化学腐蚀液，鼓气泡搅拌装置位于槽底，冷凝管和温控热电偶装于腐蚀槽的侧壁，去离子水清洗槽位于腐蚀槽的旁边；腐蚀硅片时，机械臂带动自转的夹具浸入腐蚀槽的化学腐蚀液内，同时机械臂做匀速公转，腐蚀结束后，机械臂带动自转的夹具浸入去离子水槽内进行清洗；严格控制腐蚀液的温度，并通过搅拌装置使腐蚀液各处充分混合，因此可以保证腐蚀液浓度、温度都基本均匀，使硅片表面各处腐蚀速率一致，提高硅片腐蚀的均匀性。
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