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公开(公告)号：CN105244266B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510703099.6
申请日：2015-10-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于SiC领域，尤其涉及一种SiC晶圆的欧姆接触形成方法。本发明提供的方法包括以下步骤：a)、SiC晶圆表面沉积金属层，得到表面沉积有金属层的SiC晶圆；b)、所述表面沉积有金属层的SiC晶圆进行退火处理，得到形成欧姆接触的SiC晶圆；所述退火处理包括若干个升温阶段、若干个保温阶段和若干个降温阶段，所述退火处理中的至少一个阶段在CO2气氛中进行。本发明提供的方法在沉积有金属层的SiC晶圆进行退火的过程中通入了CO2气体，CO2气体与退火过程中生成的碳单质反应生成CO气体，从而在退火过程中实现了碳单质的有效去除，因此无需额外增加除碳工艺，大大简化了SiC晶圆欧姆接触工艺的处理流程。
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公开(公告)号：CN104282765B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201410619955.5
申请日：2014-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅MOS器件及其制造方法，本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面完全外延一层P－外延层，由于外延层之后的P－外延层的表面粗糙度较低，所以导电沟道中载流子碰撞或散射几率会降低，从而提高碳化硅MOS器件反型沟道载流子迁移率，达到降低器件导通电阻的目的。
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公开(公告)号：CN104599946B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410815606.0
申请日：2014-12-24
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法，包括将碳纳米管置于酸液中加热，将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散，然后在SiC晶圆表面旋涂成膜，最后通过烘焙使溶剂完全挥发。本发明还提供了所述碳保护膜在SiC功率器件中的应用，检测说明得到的碳保护膜的纯度高、高温稳定性好，可以有效地保护高温激活退火过程中SiC晶圆的表面形貌。
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公开(公告)号：CN103824878B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201410044259.6
申请日：2014-01-30
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法。该碳化硅功率器件结终端结构包括多个场限环，其通过掺杂间隔设置于外延层上；掺杂区，其设置于所述外延层的上方；其中，所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到。本发明的结终端结构使得功率器件具有较好的耐压能力和较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN105161416A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510615944.4
申请日：2015-09-24
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/26513
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构的掺杂方法，包括：对半导体结构分别进行P型杂质离子注入和N型杂质离子注入；对离子注入后的半导体结构进行退火；其中，所述退火过程包括：升温至第一激活温度，在所述第一激活温度保持第一预设时间；从所述第一激活温度升温至第二激活温度，在所述第二激活温度保持第二预设时间；降温，完成退火。本发明中的半导体结构的掺杂方法，在进行退火时，首先升温至第一激活温度，激活其中一种杂质，接着，从第一激活温度再次升温至第二激活温度，激活另一种杂质，从而能够保证两种杂质的高激活率。由于仅使用一次退火工艺，因而对所述半导体结构的表面形貌损伤很小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105070662A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510545841.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/43 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L29/42372 , H01L29/43 , H01L29/78
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在碳化硅外延片上制作场氧窗口，在所述场氧窗口内形成二氧化硅绝缘膜；在所述二氧化硅绝缘膜上沉积一层多晶碳化硅；刻蚀所述多晶碳化硅，留下的多晶碳化硅作为栅电极；刻蚀所述二氧化硅绝缘膜；对所述多晶碳化硅进行掺杂并退火。由于上述方法中，利用掺杂多晶碳化硅制作碳化硅MOSFET的栅电极，因此能够提高对器件阈值电压的调节能力，并能降低栅信号延迟时间。
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公开(公告)号：CN104658903A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510050088.2
申请日：2015-01-30
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/02529 , H01L21/283 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法，属于SiC MOSFET器件领域。所述方法包括在SiC外延层上热生长SiO2栅氧化层，然后在500～1000℃，优选700～800℃下，包含SiH2Cl2的环境中退火该栅氧化层。优选SiH2Cl2以0.5slm-2slm的速率通入，退火压力为100～1000mbar，保持时间30～180min。所述方法仅使用SiH2Cl2退火栅介质SiO2层，可以兼顾单独使用H2和Cl2退火的效果，同时消除SiO2栅介质层中的氧空位陷阱电荷和SiO2/SiC界面存在的悬挂键。
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公开(公告)号：CN104637801A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510047816.4
申请日：2015-01-30
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L21/28 , H01L21/324 , H01L29/66068
Abstract: 本发明涉及一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法，属于SiC MOSFET器件领域。所述方法包括在SiC外延层上热生长SiO2栅氧化层，然后在500～1000℃，优选700～800℃下，包含Cl2的环境中退火该栅氧化层。优选以0.5-2slm的速率通入Cl2与惰性气体的混合气体，退火压力为100～1000mbar，保持时间30～180min。所述方法使用Cl2退火栅介质SiO2层，可以消除SiO2栅介质层中的氧空位陷阱电荷，提高SiC MOSFET器件中SiO2栅介质层的临界击穿电场和耐压能力。
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公开(公告)号：CN104599946A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410815606.0
申请日：2014-12-24
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法，包括将碳纳米管置于酸液中加热，将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散，然后在SiC晶圆表面旋涂成膜，最后通过烘焙使溶剂完全挥发。本发明还提供了所述碳保护膜在SiC功率器件中的应用，检测说明得到的碳保护膜的纯度高、高温稳定性好，可以有效地保护高温激活退火过程中SiC晶圆的表面形貌。
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公开(公告)号：CN103000698A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210483461.X
申请日：2012-11-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法，该SiC结势垒肖特基二极管包括：N+-SiC衬底；形成于该N+-SiC衬底之上的同型N--SiC外延层；形成于该N--SiC外延层上的肖特基金属接触；形成于该肖特基金属接触之下N-区域中的P型区；形成于该肖特基金属接触边缘处的一个P-型环，该P-型环作为结终端延伸区域；形成于该P-型环上的n个P+型环，n≥2；形成于该n个P+型环间的SiO2钝化层；以及形成于该N+-SiC衬底背面的N型欧姆接触。本发明提出的SiC结势垒肖特基二极管，能够降低器件表面的峰值电场，有利于提高器件的击穿电压，且通过一次Al离子注入结合刻蚀的方法，避免了多次Al离子注入，器件制备工艺相对简单。
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