公开(公告)号：CN103824878A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410044259.6

申请日：2014-01-30

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 杨勇雄 ,  吴煜东 ,  何多昌 ,  蒋华平 ,  李诚瞻 ,  赵艳黎 ,  吴佳 ,  唐龙谷

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法。该碳化硅功率器件结终端结构包括多个场限环，其通过掺杂间隔设置于外延层上；掺杂区，其设置于所述外延层的上方；其中，所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到。本发明的结终端结构使得功率器件具有较好的耐压能力和较高的可靠性。

公开(公告)号：CN102969245A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210524763.7

申请日：2012-12-07

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 陈芳林 ,  刘可安 ,  唐龙谷 ,  张弦 ,  雷云

IPC: H01L21/332 ,  H01L29/74 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管制作方法，包括：S100：在原始N-衬底的一面轻掺杂一层N′杂质；S101：制作GCT的P型基区和FRD的P型基区；S102：在N-衬底的另一面进行N′杂质掺杂；S103：在GCT阴极和FRD阴极进行N+预沉积；S104：在隔离区的上表面和GCT的门极区域刻蚀隔离沟槽；S105：在GCT阴极和FRD阴极进行N+推进、钝化；S106：在GCT阳极进行P+掺杂；S107：制作电极。本发明利用杂质的补偿作用，在不改变隔离区P型掺杂分布的条件下，增加了隔离区的有效宽度，克服了现有技术存在的扩散控制精度不高、工艺复杂、不适用于高压器件的缺点。

公开(公告)号：CN104576762B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201410822182.0

申请日：2014-12-25

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  刘可安 ,  吴煜东 ,  杨勇雄 ,  史晶晶 ,  蒋华平 ,  唐龙谷 ,  赵艳黎 ,  吴佳

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有的肖特基势垒二极管的开启电压较高的技术问题。该肖特基势垒二极管，包括：N型碳化硅衬底；位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层上的高掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层和所述高掺杂N型外延层中的P型高掺杂区；位于所述高掺杂N型外延层上的肖特基接触电极；位于所述N型碳化硅衬底下方的欧姆接触电极。本发明提供的肖特基势垒二极管能够更好的应用于高频电路。

公开(公告)号：CN103824760B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201410044255.8

申请日：2014-01-30

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 蒋华平 ,  刘可安 ,  吴煜东 ,  李诚瞻 ,  赵艳黎 ,  吴佳 ,  唐龙谷

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端的制造方法。该碳化硅功率器件结终端的制造方法包括以下步骤：步骤1：在外延层上形成牺牲层；步骤2：在牺牲层上制作掩膜，以形成场限环的注入窗口；步骤3：刻蚀牺牲层的未被掩膜覆盖的部分；步骤4：去除掩膜；步骤5：注入离子，以同时形成场限环和电荷补偿层。本发明的碳化硅功率器件结终端的制造方法，借助于外延层上形成的牺牲层，一次离子注入同时实现场限环和电荷补偿层，工艺简单，制造成本低。

公开(公告)号：CN105428407A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510786049.9

申请日：2015-11-16

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 唐龙谷 ,  刘国友 ,  黄建伟 ,  彭勇殿 ,  罗海辉 ,  李世平

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本申请提供了一种IGBT器件，包括：半导体结构，所述半导体结构包括漂移区，阱区、发射区，所述发射区顶面高出所述半导体结构的上表面，且底面与所述半导体结构的上表面的距离为0～1μm；位于所述阱区两侧的发射区之间且与所述发射区电连接的发射极，位于所述发射极两侧的栅区，所述栅区具有台阶部分和水平部分，所述台阶部分和所述水平部分为一体结构，所述栅区的水平部分覆盖所述发射区背向所述发射极一侧的阱区和漂移区，所述台阶部分覆盖至少部分所述发射区的顶面。该结构避免了栅区端部“鸟嘴”结构对器件阈值电压的影响，同时，缩短了关断电流在阱区的路径，减少了损耗，且最大程度的避免了闩锁效应。

公开(公告)号：CN102969245B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210524763.7

申请日：2012-12-07

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 陈芳林 ,  刘可安 ,  唐龙谷 ,  张弦 ,  雷云

IPC: H01L21/332 ,  H01L29/74 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管制作方法，包括：S100：在原始N-衬底的一面轻掺杂一层N′杂质；S101：制作GCT的P型基区和FRD的P型基区；S102：在N-衬底的另一面进行N′杂质掺杂；S103：在GCT阴极和FRD阴极进行N+预沉积；S104：在隔离区的上表面和GCT的门极区域刻蚀隔离沟槽；S105：在GCT阴极和FRD阴极进行N+推进、钝化；S106：在GCT阳极进行P+掺杂；S107：制作电极。本发明利用杂质的补偿作用，在不改变隔离区P型掺杂分布的条件下，增加了隔离区的有效宽度，克服了现有技术存在的扩散控制精度不高、工艺复杂、不适用于高压器件的缺点。

公开(公告)号：CN103219372B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201310122747.X

申请日：2013-04-10

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 唐龙谷 ,  冯江华 ,  吴煜东 ,  陈勇民 ,  陈芳林

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明公开了一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管，晶闸管包括N-衬底、P基区、P+短基区、N+发射区、门极金属电极和阴极金属电极。N+发射区、P+短基区、P基区、N-衬底依次排布，阴极金属电极设置在N+发射区外表面，门极金属电极设置在P+短基区外表面。晶闸管的门阴极结为二层台阶结构，第一层台阶为浅台阶，第一层台阶的底部为P+N+边界。第二层台阶为深台阶，第二层台阶的底部为PN+边界。具有该结构的门极换流晶闸管进一步包括N′缓冲层和P+阳极区。本发明门阴极结能够减少晶闸管N+发射区注入的电子在P+短基区和P基区的复合，增强晶闸管的电导调制效应，并可以进一步提高其导通电流和开通速度。

公开(公告)号：CN104576762A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410822182.0

申请日：2014-12-25

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  刘可安 ,  吴煜东 ,  杨勇雄 ,  史晶晶 ,  蒋华平 ,  唐龙谷 ,  赵艳黎 ,  吴佳

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有的肖特基势垒二极管的开启电压较高的技术问题。该肖特基势垒二极管，包括：N型碳化硅衬底；位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层上的高掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层和所述高掺杂N型外延层中的P型高掺杂区；位于所述高掺杂N型外延层上的肖特基接触电极；位于所述N型碳化硅衬底下方的欧姆接触电极。本发明提供的肖特基势垒二极管能够更好的应用于高频电路。

公开(公告)号：CN103824879A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410044426.7

申请日：2014-01-30

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 蒋华平 ,  刘可安 ,  吴煜东 ,  李诚瞻 ,  赵艳黎 ,  吴佳 ,  唐龙谷

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明涉及一种功率器件结终端结构与制造方法。所述功率器件结终端结构包括：场限环，其间隔设置于最外侧主结的外侧；电荷补偿区，其通过掺杂间隔形成于外延层，所述电荷补偿区贯穿所述最外侧主结的靠外侧的冶金结面和所述场限环的靠外侧的冶金结面，其中所述电荷补偿区的导电类型与所述场限环的导电类型相同。这种功率器件结终端结构耐压能力好、可靠性高。