压力传感器
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111989556A

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201980021523.5

    申请日:2019-08-30

    Inventor: 松并和宏

    Abstract: 本发明的压力传感器在隔膜破损而桥式电路发生了故障的情况下,尽早对破损的情况进行检测。压力传感器包括:设有隔膜的基板;包含设置于隔膜的4个电阻元件、施加有高压侧电压和低压侧电压并具有2个输出端子的桥式电路;分别检测桥式电路的第1输出端子中的第1输出和第2输出端子中的第2输出的检测部;以及基于检测部中的检测结果来检测桥式电路的故障的故障检测部。

    物理量传感器或其装置的输出值修正方法及装置

    公开(公告)号:CN103946672B

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201280056285.X

    申请日:2012-12-28

    CPC classification number: G05B15/02 G01D3/0365

    Abstract: 本发明中,第1获取部(111)获取物理量传感器(101)的初始输出值。第2获取部(112)获取物理量传感器(101)的目标输出值。第1计算部(113)基于物理量传感器(101)的初始输出值以及目标输出值来计算出2次的第1特性式并提取出第1特性值,该2次的第1特性式表示物理量传感器(101)的修正后的输出特性。第2计算部(114)基于规定温度及第1特性值计算出用于修正第1特性值的2次的第2特性式,并提取出第2特性值。运算部(104)基于将第2特性值输入第2特性式来进行修正后的第1特性式,计算出物理量传感器(101)的修正后的输出值。由此,能提高修正精度,降低成本,并能实现处理速度的高速化。

    半导体集成电路及半导体物理量传感装置

    公开(公告)号:CN103328932B

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201280005489.0

    申请日:2012-02-28

    Abstract: 辅助存储器电路(12)由串联连接有多个触发器的移位寄存器、以及反转各D触发器的输出(Q0)~(Qn)而输出的多个反转电路构成。主存储器电路(13)由通过来自于辅助存储器电路(12)的信号制动的开关(SWa),以及与开关(SWa)串联连接且通过写入电压(1)驱动的EPROM构成。可变电阻电压(19)由通过来自于辅助存储器电路(12)的信号制动的开关(SWb),以及与开关(SWb)串联连接的电阻(Ra)构成。如此,能够使写入电压(1)和写入电压(2)的端子通用化。并且,能够提供一种使写入EOROM时的电压为恒定而能够进行电修整的低成本的半导体集成电路及半导体物理量传感装置。

    传感器装置
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111094925B

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN201980004057.X

    申请日:2019-01-28

    Abstract: 期望进一步减少由于温度特性引起的输出误差。提供一种传感器装置,所述传感器装置包括:感测电路,所述感测电路输出与检测到的物理量的大小相对应的感测信号;放大电路,所述放大电路对感测信号进行放大;以及切换部,所述切换部基于温度测定值是否超过阈值,以不连续的方式来切换感测电路的灵敏度和放大电路的偏移中的至少一个。

    半导体物理量传感器装置
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107526387B

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN201710361536.X

    申请日:2017-05-22

    Abstract: 本发明提供一种半导体物理量传感器装置,其能够维持正常工作时的电流能力,且能够抑制端子间短路时流动的电流。将以互补的方式连接第一、二输出元件(1、2)而成的输出电路(5)的连接点(6)与输出端子(103)连接。在第一输出元件(1)与输出电路(5)的连接点(6)之间连接有第一开关元件(3)。在第二输出元件(2)与输出电路(5)的连接点(6)之间连接有第二开关元件(4)。在输出端子(103)的电压Vout为比下限的钳位电压(电压Vref1)低的电压Vref0时,第一开关元件(3)截止。在输出端子(103)的电压Vout为比上限的钳位电压(电压Vref2)高的电压Vref3时,第二开关元件(4)截止。

    半导体装置和半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN104299960A

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201410334884.4

    申请日:2014-07-15

    Abstract: 本发明提供一种位置识别精度高且能够实现微细化的半导体装置和半导体装置的制造方法。通过在层间绝缘膜(4)形成多个第一开口部(5a),用金属膜(6)覆盖其表面,从而使金属膜(6)的表面为凹凸状,使反射光散射。第一开口部(5a)的大小是与元件的接触孔相同程度的大小,是无法用图像识别装置识别的程度。金属膜(6)的大小是能够用图像识别装置识别的程度。另外,通过在金属膜(6)的端部上形成作为防反射膜发挥功能的TiN膜(7),从而在对准标记部,容易散射光的位置(金属膜(6)的凹凸)与光不易反射的位置(TiN膜(7))邻接地存在。在层间绝缘膜(4)和TiN膜(7)上形成钝化膜(8)。设置于金属膜(6)的所有凹部(5)在形成于钝化膜(8)和TiN膜(7)的第二开口部(9)露出。

    半导体装置以及传感器装置
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112242167A

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN202010446844.4

    申请日:2020-05-25

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及传感器装置。其对修正用存储器的劣化进行检测。该半导体装置具备:修正用存储器,其存储有对修正对象进行修正的修正用数据;修正部,其使用从修正用存储器读取出的修正用数据,对传感器元件的检测值进行修正;诊断部,其使用从修正用存储器读取出的修正用数据,对修正用存储器进行诊断;以及控制部,其对从修正用存储器读取修正用数据时的读取条件进行控制,控制部使第一读取条件与第二读取条件不同,第一读取条件是读取用于修正的修正用数据时的读取条件,第二读取条件是读取用于诊断的修正用数据时的读取条件。

    传感器装置
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111094925A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201980004057.X

    申请日:2019-01-28

    Abstract: 期望进一步减少由于温度特性引起的输出误差。提供一种传感器装置,所述传感器装置包括:感测电路,所述感测电路输出与检测到的物理量的大小相对应的感测信号;放大电路,所述放大电路对感测信号进行放大;以及切换部,所述切换部基于温度测定值是否超过阈值,以不连续的方式来切换感测电路的灵敏度和放大电路的偏移中的至少一个。

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