公开(公告)号：CN107527904B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201710363938.3

申请日：2017-05-22

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 西川睦雄 ,  松并和宏 ,  嵨津勝博

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置，其具有针对过电压及电压源的反向连接的保护功能。保护电路(1)具有以从外部电源端子(11)供给的电压的分压点(23)的电压为输入的PMOS(31)及PDMOS(32)、和以PDMOS的漏极输出电压为输入的PMOS(41)及PDMOS(42)。PMOS连接在PDMOS的外部电源端子侧，PMOS连接在PDMOS的外部电源端子侧。在施加过电压时，将分压点的电压钳位为齐纳二极管(22)的击穿电压而关断PDMOS，断开将过电压向作为保护对象的集成电路(5)供给的路径。在电压源被反向连接时，PMOS的寄生二极管被反向偏置，阻止电流向通过PMOS的寄生二极管的路径流动。

公开(公告)号：CN107527904A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710363938.3

申请日：2017-05-22

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 西川睦雄 ,  松并和宏 ,  嵨津勝博

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L23/48

CPC classification number: H02H9/046 ,  H01L21/823418 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/0285 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0883 ,  H02H3/202 ,  H02H11/003 ,  H03K3/356 ,  H03K19/00315 ,  H01L29/0615 ,  H01L23/481 ,  H01L27/0207

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置，其具有针对过电压及电压源的反向连接的保护功能。保护电路(1)具有以从外部电源端子(11)供给的电压的分压点(23)的电压为输入的PMOS(31)及PDMOS(32)、和以PDMOS的漏极输出电压为输入的PMOS(41)及PDMOS(42)。PMOS连接在PDMOS的外部电源端子侧，PMOS连接在PDMOS的外部电源端子侧。在施加过电压时，将分压点的电压钳位为齐纳二极管(22)的击穿电压而关断PDMOS，断开将过电压向作为保护对象的集成电路(5)供给的路径。在电压源被反向连接时，PMOS的寄生二极管被反向偏置，阻止电流向通过PMOS的寄生二极管的路径流动。