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公开(公告)号：CN107527904B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201710363938.3
申请日：2017-05-22
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置，其具有针对过电压及电压源的反向连接的保护功能。保护电路(1)具有以从外部电源端子(11)供给的电压的分压点(23)的电压为输入的PMOS(31)及PDMOS(32)、和以PDMOS的漏极输出电压为输入的PMOS(41)及PDMOS(42)。PMOS连接在PDMOS的外部电源端子侧，PMOS连接在PDMOS的外部电源端子侧。在施加过电压时，将分压点的电压钳位为齐纳二极管(22)的击穿电压而关断PDMOS，断开将过电压向作为保护对象的集成电路(5)供给的路径。在电压源被反向连接时，PMOS的寄生二极管被反向偏置，阻止电流向通过PMOS的寄生二极管的路径流动。
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公开(公告)号：CN106441695A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610515625.0
申请日：2016-07-01
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供能够使输出特性的非线性降低的半导体物理量传感器装置。传感器部和特性校正电路的高电位侧与电源端子之间通过第一电源布线、第三电源布线连接。放大电路和基准电压电路的高电位侧与电源端子之间通过第二电源布线、第四电源布线连接。传感器部、放大电路、特性校正电路和基准电压电路的低电位侧连接到接地端子。在第三电源布线上连接有CR滤波器。在第四电源布线上连接有第一电阻。在输出端子与接地端子之间连接有第二电阻。放大电路为推挽输出型运算放大器。以抵消传感器部的输出特性的非线性的方式设定使放大电路的输出特性为相反特性的非线性的第一电阻的电阻值。
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公开(公告)号：CN104251758A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410302783.9
申请日：2014-06-27
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G01L9/0052 , F02D41/1448 , G01L9/0045 , G01L9/0055 , H01L2224/05 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种在排气系统等劣恶的环境下也能够抑制腐蚀的半导体压力传感器装置及其制造方法。半导体压力传感器装置具备：具有成为真空基准室9的凹部10的半导体基板1，配置在半导体基板1的正面的膜片2a，应变片电阻2，配置在半导体基板1上的铝布线层4，配置在铝布线层4上的作为TiN膜5的防反射膜，配置在该TiN膜5上的作为Cr膜7a与Pt膜7b的层叠膜的粘接度确保/扩散防止膜7和层叠在粘接度确保/扩散防止膜7上的Au膜8。通过将由Cr膜7a、Pt膜7b、Au膜8构成的层叠金属膜13的端面14加工成朝向上述半导体基板1侧变宽的锥形，可防止在粘接度确保/扩散防止膜7的端面形成凹陷，抑制由排气引起的腐蚀。
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公开(公告)号：CN109932108B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201811240289.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于检测压力的压力传感器。提供一种压力传感器，其具备：设置于基板的膜片的传感器部；设置于基板且与传感器部电连接的电路部；设置于基板的上方的导电性的焊盘；以及设置在焊盘上的第一保护膜，第一保护膜也设置于电路部的上方。第一保护膜可以覆盖整个电路部。第一保护膜可以不覆盖传感器部的至少一部分。第一保护膜可以覆盖传感器部的一部分。
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公开(公告)号：CN106441695B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201610515625.0
申请日：2016-07-01
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供能够使输出特性的非线性降低的半导体物理量传感器装置。传感器部和特性校正电路的高电位侧与电源端子之间通过第一电源布线、第三电源布线连接。放大电路和基准电压电路的高电位侧与电源端子之间通过第二电源布线、第四电源布线连接。传感器部、放大电路、特性校正电路和基准电压电路的低电位侧连接到接地端子。在第三电源布线上连接有CR滤波器。在第四电源布线上连接有第一电阻。在输出端子与接地端子之间连接有第二电阻。放大电路为推挽输出型运算放大器。以抵消传感器部的输出特性的非线性的方式设定使放大电路的输出特性为相反特性的非线性的第一电阻的电阻值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109932108A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201811240289.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于检测压力的压力传感器。提供一种压力传感器，其具备：设置于基板的膜片的传感器部；设置于基板且与传感器部电连接的电路部；设置于基板的上方的导电性的焊盘；以及设置在焊盘上的第一保护膜，第一保护膜也设置于电路部的上方。第一保护膜可以覆盖整个电路部。第一保护膜可以不覆盖传感器部的至少一部分。第一保护膜可以覆盖传感器部的一部分。
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公开(公告)号：CN103946672B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201280056285.X
申请日：2012-12-28
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G05B15/02 , G01D3/0365
Abstract: 本发明中，第1获取部(111)获取物理量传感器(101)的初始输出值。第2获取部(112)获取物理量传感器(101)的目标输出值。第1计算部(113)基于物理量传感器(101)的初始输出值以及目标输出值来计算出2次的第1特性式并提取出第1特性值，该2次的第1特性式表示物理量传感器(101)的修正后的输出特性。第2计算部(114)基于规定温度及第1特性值计算出用于修正第1特性值的2次的第2特性式，并提取出第2特性值。运算部(104)基于将第2特性值输入第2特性式来进行修正后的第1特性式，计算出物理量传感器(101)的修正后的输出值。由此，能提高修正精度，降低成本，并能实现处理速度的高速化。
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公开(公告)号：CN103328932B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201280005489.0
申请日：2012-02-28
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G11C16/102 , G01R1/20 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/30 , G11C2216/30
Abstract: 辅助存储器电路(12)由串联连接有多个触发器的移位寄存器、以及反转各D触发器的输出(Q0)～(Qn)而输出的多个反转电路构成。主存储器电路(13)由通过来自于辅助存储器电路(12)的信号制动的开关(SWa)，以及与开关(SWa)串联连接且通过写入电压(1)驱动的EPROM构成。可变电阻电压(19)由通过来自于辅助存储器电路(12)的信号制动的开关(SWb)，以及与开关(SWb)串联连接的电阻(Ra)构成。如此，能够使写入电压(1)和写入电压(2)的端子通用化。并且，能够提供一种使写入EOROM时的电压为恒定而能够进行电修整的低成本的半导体集成电路及半导体物理量传感装置。
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公开(公告)号：CN103946672A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280056285.X
申请日：2012-12-28
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G05B15/02 , G01D3/0365
Abstract: 本发明中，第1获取部(111)获取物理量传感器(101)的初始输出值。第2获取部(112)获取物理量传感器(101)的目标输出值。第1计算部(113)基于物理量传感器(101)的初始输出值以及目标输出值来计算出2次的第1特性式并提取出第1特性值，该2次的第1特性式表示物理量传感器(101)的修正后的输出特性。第2计算部(114)基于规定温度及第1特性值计算出用于修正第1特性值的2次的第2特性式，并提取出第2特性值。运算部(104)基于将第2特性值输入第2特性式来进行修正后的第1特性式，计算出物理量传感器(101)的修正后的输出值。由此，能提高修正精度，降低成本，并能实现处理速度的高速化。
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