公开(公告)号：CN104299960A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410334884.4

申请日：2014-07-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 西川睦雄 ,  藤本悠子 ,  松并和宏

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/528 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种位置识别精度高且能够实现微细化的半导体装置和半导体装置的制造方法。通过在层间绝缘膜(4)形成多个第一开口部(5a)，用金属膜(6)覆盖其表面，从而使金属膜(6)的表面为凹凸状，使反射光散射。第一开口部(5a)的大小是与元件的接触孔相同程度的大小，是无法用图像识别装置识别的程度。金属膜(6)的大小是能够用图像识别装置识别的程度。另外，通过在金属膜(6)的端部上形成作为防反射膜发挥功能的TiN膜(7)，从而在对准标记部，容易散射光的位置(金属膜(6)的凹凸)与光不易反射的位置(TiN膜(7))邻接地存在。在层间绝缘膜(4)和TiN膜(7)上形成钝化膜(8)。设置于金属膜(6)的所有凹部(5)在形成于钝化膜(8)和TiN膜(7)的第二开口部(9)露出。

公开(公告)号：CN104299960B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201410334884.4

申请日：2014-07-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 西川睦雄 ,  藤本悠子 ,  松并和宏

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/528 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种位置识别精度高且能够实现微细化的半导体装置和半导体装置的制造方法。通过在层间绝缘膜(4)形成多个第一开口部(5a)，用金属膜(6)覆盖其表面，从而使金属膜(6)的表面为凹凸状，使反射光散射。第一开口部(5a)的大小是与元件的接触孔相同程度的大小，是无法用图像识别装置识别的程度。金属膜(6)的大小是能够用图像识别装置识别的程度。另外，通过在金属膜(6)的端部上形成作为防反射膜发挥功能的TiN膜(7)，从而在对准标记部，容易散射光的位置(金属膜(6)的凹凸)与光不易反射的位置(TiN膜(7))邻接地存在。在层间绝缘膜(4)和TiN膜(7)上形成钝化膜(8)。设置于金属膜(6)的所有凹部(5)在形成于钝化膜(8)和TiN膜(7)的第二开口部(9)露出。

公开(公告)号：CN109932108B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201811240289.9

申请日：2018-10-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松并和宏 ,  西川睦雄 ,  藤本悠子

IPC: G01L1/22 ,  G01L9/00

Abstract: 本发明提供一种用于检测压力的压力传感器。提供一种压力传感器，其具备：设置于基板的膜片的传感器部；设置于基板且与传感器部电连接的电路部；设置于基板的上方的导电性的焊盘；以及设置在焊盘上的第一保护膜，第一保护膜也设置于电路部的上方。第一保护膜可以覆盖整个电路部。第一保护膜可以不覆盖传感器部的至少一部分。第一保护膜可以覆盖传感器部的一部分。

公开(公告)号：CN109932108A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811240289.9

申请日：2018-10-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松并和宏 ,  西川睦雄 ,  藤本悠子

IPC: G01L1/22 ,  G01L9/00

Abstract: 本发明提供一种用于检测压力的压力传感器。提供一种压力传感器，其具备：设置于基板的膜片的传感器部；设置于基板且与传感器部电连接的电路部；设置于基板的上方的导电性的焊盘；以及设置在焊盘上的第一保护膜，第一保护膜也设置于电路部的上方。第一保护膜可以覆盖整个电路部。第一保护膜可以不覆盖传感器部的至少一部分。第一保护膜可以覆盖传感器部的一部分。