公开(公告)号：CN104251758A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410302783.9

申请日：2014-06-27

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松並和宏 ,  植松克之 ,  西川睦雄 ,  篠田茂

IPC: G01L9/00 ,  H01L29/84 ,  H01L21/50

CPC classification number: G01L9/0052 ,  F02D41/1448 ,  G01L9/0045 ,  G01L9/0055 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种在排气系统等劣恶的环境下也能够抑制腐蚀的半导体压力传感器装置及其制造方法。半导体压力传感器装置具备：具有成为真空基准室9的凹部10的半导体基板1，配置在半导体基板1的正面的膜片2a，应变片电阻2，配置在半导体基板1上的铝布线层4，配置在铝布线层4上的作为TiN膜5的防反射膜，配置在该TiN膜5上的作为Cr膜7a与Pt膜7b的层叠膜的粘接度确保/扩散防止膜7和层叠在粘接度确保/扩散防止膜7上的Au膜8。通过将由Cr膜7a、Pt膜7b、Au膜8构成的层叠金属膜13的端面14加工成朝向上述半导体基板1侧变宽的锥形，可防止在粘接度确保/扩散防止膜7的端面形成凹陷，抑制由排气引起的腐蚀。

公开(公告)号：CN104251758B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201410302783.9

申请日：2014-06-27

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松並和宏 ,  植松克之 ,  西川睦雄 ,  篠田茂

IPC: G01L9/00 ,  H01L29/84 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供一种在排气系统等劣恶的环境下也能够抑制腐蚀的半导体压力传感器装置及其制造方法。半导体压力传感器装置具备：具有成为真空基准室9的凹部10的半导体基板1，配置在半导体基板1的正面的膜片2a，应变片电阻2，配置在半导体基板1上的铝布线层4，配置在铝布线层4上的作为TiN膜5的防反射膜，配置在该TiN膜5上的作为Cr膜7a与Pt膜7b的层叠膜的粘接度确保/扩散防止膜7和层叠在粘接度确保/扩散防止膜7上的Au膜8。通过将由Cr膜7a、Pt膜7b、Au膜8构成的层叠金属膜13的端面14加工成朝向上述半导体基板1侧变宽的锥形，可防止在粘接度确保/扩散防止膜7的端面形成凹陷，抑制由排气引起的腐蚀。