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公开(公告)号：CN102165847A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137648.0
申请日：2009-11-09
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H01L51/5218 , H01L27/3244 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明提供一种用于有机EL显示器的反射阳极电极，其具备的Al合金反射膜能够实现与氧化物导电膜的低接触电阻，同时能够实现优异的反射率。本发明的用于有机EL显示器的反射阳极电极的制造方法，其特征在于，在基板上形成含有0.1～2原子％Ni或Co的Al合金膜，在真空或惰性气体气氛下，以150℃以上的温度对所述Al合金膜实施热处理，接着，以与所述Al合金膜直接接触的方式形成氧化物导电膜。
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公开(公告)号：CN104335353B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380025842.6
申请日：2013-06-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/26
Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好，应力耐受性也优异，并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少按顺序具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极和保护膜，其中，所述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IGZO)的层叠体。所述第二氧化物半导体层形成于所述栅极绝缘膜之上，并且所述第一氧化物半导体层形成于所述第二氧化物半导体层与所述保护膜之间，且在所述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为，In:25％以下(不含0％)、Ga:5％以上、Zn:30.0～60.0％和Sn:8～30％。
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公开(公告)号：CN103579036B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310300303.0
申请日：2013-07-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 能简单地评价靶组装体的品质的薄膜晶体管的半导体层用薄膜的形成所使用的靶组装体的品质评价方法。该评价方法包括：第一工序，准备靶组装体，该靶组装体通过在背板上借助结合材料空出间隙地配置多个氧化物靶构件而构成；第二工序，对靶组装体进行溅射而形成薄膜；第三工序，对薄膜的包含与靶组装体的间隙相对应的接缝部分的区域照射激励光及微波，在测定到根据激励光的照射而变化的微波的来自接缝部分的反射波的最大值之后，停止激励光的照射，对停止激励光的照射后的微波的来自接缝部分的反射波的反射率的变化进行测定，算出直到反射率成为1/e的时间作为薄膜的接缝部分的寿命值τ1；第四工序，基于接缝部分的寿命值τ1对靶组装体的品质进行评价。
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公开(公告)号：CN103579036A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310300303.0
申请日：2013-07-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 能简单地评价靶组装体的品质的薄膜晶体管的半导体层用薄膜的形成所使用的靶组装体的品质评价方法。该评价方法包括：第一工序，准备靶组装体，该靶组装体通过在背板上借助结合材料空出间隙地配置多个氧化物靶构件而构成；第二工序，对靶组装体进行溅射而形成薄膜；第三工序，对薄膜的包含与靶组装体的间隙相对应的接缝部分的区域照射激励光及微波，在测定到根据激励光的照射而变化的微波的来自接缝部分的反射波的最大值之后，停止激励光的照射，对停止激励光的照射后的微波的来自接缝部分的反射波的反射率的变化进行测定，算出直到反射率成为1/e的时间作为薄膜的接缝部分的寿命值τ1；第四工序，基于接缝部分的寿命值τ1对靶组装体的品质进行评价。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105026918A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480004370.0
申请日：2014-01-09
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01N22/00 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L22/12 , G01R31/2608 , G01R31/2621 , G01R31/2642 , G01R31/2656 , G01R31/2894 , G01R31/308 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种非接触型，正确且简便地测量、评价(预测·推断)氧化物半导体薄膜的应力耐受性的方法以及氧化物半导体的品质管理方法。本发明的氧化物半导体薄膜的评价方法，包括如下工序，第一工序，其是向形成有氧化物半导体薄膜的试样照射激发光和微波，测量因所述激发光的照射而变化的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止所述激发光的照射，测量所述激发光的照射停止后的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化的第一工序；第二工序，其是根据所述反射率的变化，计算在激发光的照射停止后1μs左右出现的慢衰减所对应的参数，评价所述氧化物半导体薄膜的应力耐受性。
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公开(公告)号：CN104681625A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510088765.X
申请日：2013-06-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78693 , C23C14/08 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为：Ga：5％以上、In：25％以下(不含0％)、Zn：35～65％及Sn：8～30％。
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公开(公告)号：CN104335355A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380029493.5
申请日：2013-06-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/78693 , C23C14/08 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为:Ga:5％以上、In:25％以下(不含0％)、Zn:35～65％及Sn:8～30％。
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公开(公告)号：CN103270602A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180061835.2
申请日：2011-12-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L27/016 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有In、Zn、和选自Al、Si、Ta、Ti、La、Mg及Nb中的至少一种元素(X组元素)。根据本发明，可提供一种薄膜晶体管半导体层用氧化物，其具备不含Ga的In-Zn-O氧化物半导体的薄膜晶体管的开关特性及耐应力性良好，特别是正偏压应力施加前后的阈值电压变化量小，稳定性优异。
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公开(公告)号：CN101911232A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200980102139.4
申请日：2009-02-20
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 提供一种可靠性高的触摸屏传感器，其具有难以发生断线和随时间流逝造成的电阻增加，且显示出低电阻，并且能够确保与透明导电膜的导电性而能够直接与该透明导电膜连接的折回配线。本发明涉及触摸屏传感器，其具有透明导电膜和与之直接连接的由铝合金膜形成的折回配线，所述铝合金膜含有从Ni和Co构成的X组中选出的至少一种元素，其合计为0.2～10原子％，并且，所述铝合金膜的硬度为2～15GPa。
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