公开(公告)号：CN110785836A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201880042217.5

申请日：2018-05-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 畑谦佑 ,  星真一 ,  松木英夫 ,  阴泳信 ,  高桥茂树

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 在具有活性区域(1)和非活性区域(2)的半导体装置中，活性区域(1)采用如下结构：具备：具有包括第一、第二半导体层(12、13)的异质结构造的沟道形成层；具有MOS栅极电极(17)的栅极构造部；在第二半导体层(13)之上配置于夹着栅极构造部的两侧的源极电极(18)及漏极电极(19)；配置于栅极构造部与漏极电极(19)之间的从漏极电极(19)离开了的位置、且未掺加杂质的第三半导体层(14)；形成于第三半导体层(14)之上的p型的第四半导体层(20)；以及与第四半导体层(20)接触的JG电极(21)。并且，JG电极(21)与源极电极(18)电连接而成为与该源极电极(18)相同的电位，并且仅配置于活性区域(1)内。

公开(公告)号：CN108028204A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054542.4

申请日：2016-09-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 阴泳信 ,  小山和博 ,  樋口安史 ,  土屋义规 ,  星真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体装置具有导电性的基板(1)、沟道形成层、第一电极(4)、以及第二电极(5)。沟道形成层形成在基板上，至少具备一个具有构成漂移区域的第一GaN系半导体层(2)以及与第一GaN系半导体层相比带隙能量更大的第二GaN系半导体层(3)的异质结构造。包含第一GaN系半导体层的极化所带来的电荷在内，第一GaN系半导体层及第二GaN系半导体层所含的电荷的总固定电荷量被设为0.5×1013～1.5×1013cm‑2的范围内。由此，在半导体装置中，实现击穿电压的提高及导通电阻的降低。

公开(公告)号：CN107836035A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201680041130.7

申请日：2016-06-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 樋口安史 ,  星真一 ,  小山和博

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L27/098 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体装置具备横型的开关器件，所述横型的开关器件具有基板(1)、沟道形成层、源极区域(9)及漏极区域(10)、和栅极区域(6)。源极区域及漏极区域在基板的平面方向的一个方向上相互离开而配置。栅极区域配置在源极区域与漏极区域之间，由p型半导体层构成。栅极区域在基板的平面方向上在与源极区域及漏极区域的排列方向垂直的方向上被分割为多个。由此，能够确保高阻止耐压并且实现更低导通电阻化。

公开(公告)号：CN110785836B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201880042217.5

申请日：2018-05-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 畑谦佑 ,  星真一 ,  松木英夫 ,  阴泳信 ,  高桥茂树

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 在具有活性区域(1)和非活性区域(2)的半导体装置中，活性区域(1)采用如下结构：具备：具有包括第一、第二半导体层(12、13)的异质结构造的沟道形成层；具有MOS栅极电极(17)的栅极构造部；在第二半导体层(13)之上配置于夹着栅极构造部的两侧的源极电极(18)及漏极电极(19)；配置于栅极构造部与漏极电极(19)之间的从漏极电极(19)离开了的位置、且未掺加杂质的第三半导体层(14)；形成于第三半导体层(14)之上的p型的第四半导体层(20)；以及与第四半导体层(20)接触的JG电极(21)。并且，JG电极(21)与源极电极(18)电连接而成为与该源极电极(18)相同的电位，并且仅配置于活性区域(1)内。

公开(公告)号：CN107836035B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201680041130.7

申请日：2016-06-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 樋口安史 ,  星真一 ,  小山和博

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体装置具备横型的开关器件，所述横型的开关器件具有基板(1)、沟道形成层、源极区域(9)及漏极区域(10)、和栅极区域(6)。源极区域及漏极区域在基板的平面方向的一个方向上相互离开而配置。栅极区域配置在源极区域与漏极区域之间，由p型半导体层构成。栅极区域在基板的平面方向上在与源极区域及漏极区域的排列方向垂直的方向上被分割为多个。由此，能够确保高阻止耐压并且实现更低导通电阻化。

公开(公告)号：CN105814673B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201480066141.1

申请日：2014-08-28

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 土屋义规 ,  星真一 ,  富田一义 ,  伊藤健治 ,  树神雅人 ,  上杉勉

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体装置，包含开关器件，该开关器件具备：由半绝缘性材料或半导体构成的衬底(1)、在衬底上形成的由以13族元素的氮化物为主成分的化合物半导体构成的沟道形成层(2，3)、在沟道形成层上隔着栅极绝缘膜(5)而形成有栅极电极(6)的栅极构造、在沟道形成层上夹着栅极构造而配置在栅极构造的两侧的源极电极(7)以及漏极电极(8)。沟道形成层中，将形成开关器件的区域作为元件区域，将元件区域的周围作为元件分离区域，由绝缘材料构成的崩塌抑制层(9)在元件区域中被形成在沟道形成层上，由与崩塌抑制层不同的绝缘材料构成的漏电抑制层(10)在元件分离区域中被形成在沟道形成层上。

公开(公告)号：CN104220651B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201280072011.X

申请日：2012-11-01

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 成田哲生 ,  伊藤健治 ,  冨田一义 ,  大竹伸幸 ,  星真一 ,  松井正树

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/08 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L33/007

Abstract: 得到在硅单晶基板上III族氮化物单晶进行阶梯流动生长的现象。在硅单晶基板的表面上形成取向成硅单晶的 轴的氧化物的膜，在该氧化物的膜的表面上使III族氮化物单晶进行结晶。由此，晶体生长的III族氮化物单晶的 轴取向成氧化物的c轴。如果对硅单晶基板赋予偏角，则III族氮化物单晶进行阶梯流动生长。通过将在硅单晶与氧化物的界面上形成的硅氧化物膜还原，氧化物的取向性得到改善。

公开(公告)号：CN103890923B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280051561.3

申请日：2012-10-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 星真一 ,  水野祥司 ,  加地徹 ,  上杉勉 ,  富田一义 ,  伊藤健治

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861

Abstract: 一种半导体器件：包括HEMT和二极管。所述HEMT包括：具有GaN层和AlGaN层的衬底，所述GaN层生成二维电子气且用作沟道层，所述AlGaN层在所述GaM层上且用作阻挡层；源极电极，所述源极电极在所述AlGaN层上且与所述AlGaN层形成欧姆接触；漏极电极，所述漏极电极在所述AlGaN层上远离所述源极电极，且与所述AlGaN层形成欧姆接触；在所述源极电极和漏极电极之间的所述AlGaN层上的层间绝缘膜；以及所述层间绝缘膜上的栅极电极。所述衬底包括在所述GaN层中生成所述二维电子气的活性层区域。所述二极管包括电连接至所述栅极电极的阳极和电连接至所述漏极电极的阴极。

公开(公告)号：CN105814673A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480066141.1

申请日：2014-08-28

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 土屋义规 ,  星真一 ,  富田一义 ,  伊藤健治 ,  树神雅人 ,  上杉勉

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 半导体装置，包含开关器件，该开关器件具备：由半绝缘性材料或半导体构成的衬底(1)、在衬底上形成的由以3族元素的氮化物为主成分的化合物半导体构成的沟道形成层(2，3)、在沟道形成层上隔着栅极绝缘膜(5)而形成有栅极电极(6)的栅极构造、在沟道形成层上夹着栅极构造而配置在栅极构造的两侧的源极电极(7)以及漏极电极(8)。沟道形成层中，将形成开关器件的区域作为元件区域，将元件区域的周围作为元件分离区域，由绝缘材料构成的崩塌抑制层(9)在元件区域中被形成在沟道形成层上，由与崩塌抑制层不同的绝缘材料构成的漏电抑制层(10)在元件分离区域中被形成在沟道形成层上。