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公开(公告)号：CN1925169A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610126666.7
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/049 , H01L29/045 , H01L29/0847 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7828 , H01L29/7838
Abstract: 一种具有MOS结构的碳化硅半导体器件，包括：衬底(1、31、61)；在所述衬底(1、31、61)中的沟道区(2、34、64)；第一杂质区(4、36、66、67)；第二杂质区(5、37、73)；在所述沟道区(2、34、64)上的栅极绝缘膜(6、38、68)；以及在所述栅极绝缘膜(6、38、68)上的栅极(7、35、65)；所述沟道区(2、34、64)提供电流通路。所述沟道区(2、34、64)与所述栅极绝缘膜(6、38、68)彼此之间具有界面。所述界面包含由氢原子或羟基终止的悬挂键。所述界面具有等于或大于2.6×1020cm－3的氢浓度。
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公开(公告)号：CN102347356B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201110211992.9
申请日：2011-07-27
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/4983 , H01L29/66734 , H01L29/7391 , H01L29/7393 , H01L29/7397 , H01L29/7398 , H01L29/7805 , H01L29/7819 , H01L29/7825 , H01L29/7831 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
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公开(公告)号：CN1925169B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200610126666.7
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/049 , H01L29/045 , H01L29/0847 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7828 , H01L29/7838
Abstract: 一种具有MOS结构的碳化硅半导体器件，包括：衬底(1、31、61)；在所述衬底(1、31、61)中的沟道区(2、34、64)；第一杂质区(4、36、66、67)；第二杂质区(5、37、73)；在所述沟道区(2、34、64)上的栅极绝缘膜(6、38、68)；以及在所述栅极绝缘膜(6、38、68)上的栅极(7、35、65)；所述沟道区(2、34、64)提供电流通路。所述沟道区(2、34、64)与所述栅极绝缘膜(6、38、68)彼此之间具有界面。所述界面包含由氢原子或羟基终止的悬挂键。所述界面具有等于或大于2.6×1020cm-3的氢浓度。
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