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公开(公告)号：CN113061030B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202011456060.6
申请日：2020-12-10
Applicant: 株式会社电装 , 学校法人东京理科大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明公开了一种驻极体(1)，其包括具有ABO3型钙钛矿结构的复合氧化物，所述ABO3型钙钛矿结构含有两种不同的金属元素A和B。该复合氧化物处于极化状态，金属元素A和B之一的至少一部分被化合价低于金属元素A和B之一的掺杂元素取代，并且该复合氧化物具有4eV或更高的带隙能量。
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公开(公告)号：CN115855846A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210401876.1
申请日：2022-04-18
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01N21/31 , G01N21/64 , G01N21/76 , G01N21/78 , G01N21/82 , G01N25/20 , G01N27/327 , G01N27/333 , G01N27/414 , G01N27/60 , G01N33/532 , G01N33/543 , G01N33/566 , G01N33/68 , C12Q1/6851
Abstract: 提供一种用于使用多种缀合物(7)来检测多种靶物质(1)的方法，所述多种缀合物各自包括结合物质(9)和标记物(11)。所述结合物质具有与所述靶物质中的一种结合的活性，并且所述标记物引起可检测现象。所述方法包括将所述多种缀合物中的至少一些与所述多种靶物质结合、去除未与所述多种靶物质结合的剩余所述多种缀合物、以及检测所述标记物。所述结合物质的分子量小于免疫球蛋白的分子量。
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公开(公告)号：CN102474234B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201080028605.1
申请日：2010-06-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社电装
CPC classification number: H03H3/02 , C23C14/0036 , C23C14/0617 , C23C14/0641 , H01L41/316 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明的具备含钪的氮化铝薄膜的压电体薄膜的制造方法包含在至少含有氮气的环境下用钪和铝进行溅射的溅射工序。在本发明的制造方法的溅射工序中，在基板温度为5℃～450℃的范围下，以使钪含有率处于0.5原子％～50原子％的范围内的形式，进行溅射。
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公开(公告)号：CN118339316A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280079237.6
申请日：2022-10-28
Applicant: 株式会社电装
IPC: C12Q1/70 , C12Q1/6806 , G01N33/543
Abstract: 在分析方法中，将融合体(1A、1B、1C)与试样混合而生成混合物(21)，上述融合体(1A、1B、1C)具备：具有与目标物质(7A、7B、7C)结合的活性的第1结合物质(3A、3B、3C)和标记物(5A、5B、5C)。使固定于基部(12)的第2结合物质(19、19A、19B、19C)与混合物接触。检测与结合有第2结合物质的目标物质结合的融合体所产生的现象。第1结合物质为由核酸构成的物质或者由氨基酸构成的物质。基部分别设置在多个区域(17A、17B、17C)。第2结合物质所结合的目标物质根据区域而不同。
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公开(公告)号：CN111742421B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201980014068.6
申请日：2019-02-04
Applicant: 株式会社电装
IPC: H10N30/853 , C23C14/06 , C30B29/38 , H10N30/079 , H03H3/02 , H03H9/17
Abstract: 本发明提供一种压电膜(1)，其含有AlN晶体和添加至AlN晶体中的第1元素及第2元素。第1元素为离子半径大于Al的元素。第2元素为离子半径小于Al的元素。另外，一种压电膜层叠体及其制造方法，所述压电膜层叠体可具有基底层和由ScAlN形成的压电膜。基底层具有6次对称或3次对称的结晶晶格。另外，一种压电膜及其制造方法，所述压电膜由具有六方晶与立方晶的层叠型的晶体结构的ScAlN形成。在立方晶中添加了3价以外的元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116609387A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310111356.1
申请日：2023-02-03
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 株式会社电装
Abstract: 本公开提供了一种对象识别方法和对象识别装置。具体地，提供了一种能够快速且准确地识别病毒等的对象识别方法。根据本公开的一方面的对象识别方法包括：将分散在溶剂中的对象供给到微通道；当对象穿过微通道时，向设置在微通道处的测量电极施加AC(交流)电压、并测量对象的AC特性。随后，通过使用所测量的AC特性来确定组合阻抗和相位，并且通过使用所确定的组合阻抗和相位来识别对象。
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公开(公告)号：CN113061030A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202011456060.6
申请日：2020-12-10
Applicant: 株式会社电装 , 学校法人东京理科大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明公开了一种驻极体(1)，其包括具有ABO3型钙钛矿结构的复合氧化物，所述ABO3型钙钛矿结构含有两种不同的金属元素A和B。该复合氧化物处于极化状态，金属元素A和B之一的至少一部分被化合价低于金属元素A和B之一的掺杂元素取代，并且该复合氧化物具有4eV或更高的带隙能量。
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公开(公告)号：CN112993143A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011456057.4
申请日：2020-12-10
Applicant: 株式会社电装 , 学校法人东京理科大学
IPC: H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/257
Abstract: 本发明公开了一种驻极体(1)，其包括基板(10)和在所述基板的表面上方形成的驻极体层(2)。该驻极体层是含有两种或更多种不同金属元素的复合金属化合物，并且通过对主要由带隙能量为4eV或更高的无机介电材料构成的薄膜进行极化处理而得到。
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公开(公告)号：CN105229810A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480026406.5
申请日：2014-05-22
Applicant: 株式会社电装 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L41/316 , C23C14/06 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/18 , C23C14/0052 , C23C14/06 , C23C14/0641 , C23C14/18 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/3464 , C23C14/46 , H01L41/187 , H01L41/316
Abstract: 一种压电体薄膜(1)，其是通过溅射得到的并且由钪铝氮化物制成的。其碳原子含有率为2.5原子％以下。在压电体薄膜(1)的制造时，在至少含有氮气的气氛下，从碳原子含有率为5原子％以下的钪铝合金靶材(10)向基板上(21)同时溅射钪和铝。另外，也可以对合金靶材的相对面倾斜地照射离子束(31)来进行溅射。另外，也可以从Sc靶材和Al靶材向基板上同时溅射铝和钪。由此，能够提供可发挥优良的压电特性的压电体薄膜及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101325240A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810099857.8
申请日：2008-05-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社电装
Abstract: 本发明涉及一种压电体薄膜、压电体及其制造方法、使用该压电体薄膜的压电体谐振子、执行器元件以及物理传感器。其中，压电体薄膜包括含有钪的氮化铝薄膜，氮化铝薄膜中的钪的含有率在钪的原子数和铝的原子数的总量设定为100原子％时为0.5～50原子％。由此，本发明的压电体薄膜不会失去氮化铝薄膜所具有的弹性波的传播速度、Q值以及频率温度系数等特性，从而能提高压电响应性。
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