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公开(公告)号：CN113632375A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080023672.8
申请日：2020-02-04
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及谐振装置以及谐振装置制造方法，谐振装置(1)具备：MEMS基板(40)，包含谐振子(10)；上盖(30)，设置为密封谐振子(10)的振动空间S；以及接地部(50)，位于MEMS基板(40)与上盖(30)之间，上述接地部扩散到上盖(30)的内部，并与上盖(30)电连接。
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公开(公告)号：CN112689957A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201980060076.4
申请日：2019-05-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能使接合部的气密性和接合强度提高的共振装置和共振装置的制造方法。共振装置1具备：包含共振子10的MEMS基板50，上盖30，以及接合MEMS基板50与上盖30以密封共振子10的振动空间的接合部60；接合部60包含以共晶合金为主成分的共晶层65，该共晶合金是以铝为主成分的第1金属、锗或硅的第2金属、以及钛或镍的第3金属的共晶合金。
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公开(公告)号：CN107848789B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201680042091.2
申请日：2016-09-14
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种MEMS设备，能够防止金属从共晶接合的接合面溢出。该MEMS设备具备：具有在表面具有配线的元件的下侧基板，与元件对置而设置的上侧基板，以及在元件的周围将下侧基板与上侧基板接合的接合部；接合部具有从接近元件的部分到远离元件的部分连续地设置的第1区域、第2区域和第3区域，第1区域或第3区域中的至少任一个区域含有第1成分和第2成分中熔点高的一方的成分的过共晶合金，第2区域含有第1成分与第2成分的共晶合金。
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公开(公告)号：CN118545672A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410208865.0
申请日：2024-02-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。该MEMS器件包括：处理层，包括至少一个腔和至少一个悬挂结构；第一器件层，包括至少一个静态电极；第二器件层，包括可移动地悬挂在第一器件层上方的至少一个感震元件；以及盖层。至少一个感震元件充当至少一个可移动电极，或者至少一个感震元件机械地耦接以与至少一个可移动电极一起移动。处理层、第一器件层、第二器件层和盖层、在处理层与第一器件层之间的第一电绝缘层以及在第一器件层与第二器件层之间的第二电绝缘层被配置成形成壳体，该壳体包括至少一个感震元件、至少一个静态电极和至少一个可移动电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117751522A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202280050511.7
申请日：2022-02-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 谐振装置(1)具备：第1基板(50)，其包括第1硅基板(P10)和谐振器(10)；第2基板(30)，其与第1基板(50)相向；以及框状的接合部(H)，其将第1基板(50)与第2基板(30)接合而使谐振器(10)的振动空间密封，谐振器(10)具有：单晶硅膜(F2)；以及由单晶硅膜(F2)和第1硅基板(P10)夹着的第1氧化硅膜(F21)，第1氧化硅膜(F21)被在俯视第1基板(50)时以包围谐振器(10)的振动部(110)的框状形成的第1阻隔构件(B11)分断，在第1基板(50)和第2基板(30)中第1基板(50)的谐振器(10)设置有贯通单晶硅膜(F2)和第1氧化硅膜(F21)的贯通孔，在贯通孔的内部设置有第1阻隔构件(B11)，第1阻隔构件(B11)的氦透过性比第1氧化硅膜(F21)低。
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公开(公告)号：CN116848782A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202180091114.X
申请日：2021-10-01
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H3/04
Abstract: 本发明涉及谐振装置及其制造方法。本发明提供一种谐振装置的制造方法，包括以下工序：准备谐振装置(1)，上述谐振装置(1)具备下盖(20)、与下盖(20)接合的上盖(30)、以及具有振动臂(121A～121D)的谐振器(10)，该振动臂(121A～121D)构成为在被设置于下盖(20)与上盖(30)之间的内部空间能够弯曲振动；和调整谐振器(10)的频率，调整频率的工序包括：使振动臂(121A～121D)弯曲振动，使振动臂(121A～121D)的末端部(122A～122D)的氧化硅以3.5×103μm/sec以上的碰撞速度碰撞到下盖(20)的硅。
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公开(公告)号：CN115362630A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202080099047.1
申请日：2020-11-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 具备：振动部，其具有基部和多个振动臂，上述基部具有前端和与上述前端相向的后端，上述多个振动臂的固定端与基部的前端连接并且向离开前端的方向延伸，多个振动臂包括至少一个第1振动臂和位于包括至少一个第1振动臂的第1振动臂组的与长边方向交叉方向的两侧的一对第2振动臂；保持部，其设置于振动部四周的至少局部；以及保持臂，其一端与基部连接，并且另一端与保持部连接，多个振动部具有：压电膜、以及之间隔着压电膜而相向设置的下部电极和上部电极，将一对第2振动臂各自的上部电极相互连结的连结布线设置于基部和保持臂中至少一者的区域。
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公开(公告)号：CN115176415A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202080097565.X
申请日：2020-11-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够提高器件部的对准精度的集合基板的制造方法以及集合基板。集合基板(100)的制造方法包含：在第一基板(330)上形成第一标记(A1)的工序(S302)、接合第一基板(330)的上表面和第二基板(350)的下表面的工序(S304)、在第二基板(350)形成开口(OP)以使得第一标记(A1)露出的工序(S305)、以及以第一标记(A1)为基准在第二基板(350)的上表面形成器件部(DP)的工序(S306)。
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公开(公告)号：CN108141196B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201680057976.X
申请日：2016-10-31
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供谐振装置及其制造方法。在封装化了的谐振装置中，实施对谐振频率的调整。谐振装置具备：下盖，其由未简并的硅构成；谐振子，其具有由简并了的硅构成且具有与下盖对置的下表面的基板、层叠于该基板的第一电极层和第二电极层、形成于第一电极层和第二电极层之间且具有隔着第一电极层与基板的上表面对置的面的压电膜；以及上盖，其与下盖对置，在上盖与下盖之间隔着谐振子，基板的下表面具有调整部，该调整部是形成于表面的凹凸的深度或高度都比该基板的下表面中的其它区域大的区域，或者是凹凸所占的面积比该基板的下表面中的其它区域大的区域。
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