公开(公告)号：CN101184988A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200680018783.X

申请日：2006-11-29

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 大森健雄 ,  深泽和彦 ,  广濑秀男

IPC: G01N21/956 ,  G01B11/30 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/956 ,  G01N21/21 ,  G01N21/55 ,  G03F7/70625

Abstract: 在本发明中，通过减弱基底层的影响，成功地执行表面上的重复图案的缺陷检测。为了获得上述目标，本发明包括：单元13，其利用照明光L1照射样品20的表面上的重复图案的；单元11、12，其将由入射平面在表面上的方向和重复图案的重复方向所形成的角设置为零以外的预定值，所述入射平面包括照明光的照射方向、表面的法线1A；光探测单元14，其在照射照明光时探测从重复图案生成的规则的反射光，并输出关于规则的反射光的光强度的信息；以及探测单元15，其基于从光探测单元输出的信息，探测重复图案的缺陷。此外，由入射平面在表面上的方向和重复方向所形成的角φ、由照明光的照射方向和表面的法线所形成的角θ、照明光的波长λ以及重复图案的节距p满足条件式(λ/[2cos(θ·sinφ)]＞p)。

公开(公告)号：CN103250232B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201180059328.5

申请日：2011-12-14

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 深泽和彦 ,  藤森义彦 ,  武田信介

IPC: H01L21/027 ,  G01B11/00 ,  G01N21/94 ,  G03F7/20

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/94 ,  G01N21/95607 ,  G01N2021/95615 ,  G02B26/0808 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70783 ,  H01L22/12

Abstract: 提供一种能以短时间、高精度测量曝光时的聚焦状态的装置。表面检查装置1具有以照明系20照明具有既定图案的晶圆（wafer）10的表面并拍摄来自晶圆10的光所形成的影像的摄影装置35、储存关于显示影像的信号强度与聚焦偏移量的关系的聚焦曲线的信息(基准数据)的记忆部45、利用记忆部45中储存的基准数据从以摄影装置35拍摄的影像信号强度判定对晶圆10上的图案曝光时的聚焦状态的影像处理部40。

公开(公告)号：CN104884945A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380068605.8

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 深泽和彦

IPC: G01N21/956 ,  G01J4/04 ,  H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: G06T7/0008 ,  G01N21/956 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70641 ,  G06K9/00986 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/10004 ,  G06T2207/10152 ,  G06T2207/30148 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明是使用具有在多个加工条件下加工的图案的基板，高精度检查该多个加工条件中的各加工条件。检查装置(1)，具备可保持在多个曝光条件下表面形成有图案的园片(10)的载台(5)、以偏振光照明园片(10)表面的照明系(20)、接收从园片(10)表面射出的光并检测规定该光的偏振状态的条件的摄影装置(35)及图像处理部(40)、以及将用以判定该图案的曝光条件的装置条件根据规定从以已知的曝光条件形成有图案的条件变更园片(10a)射出的光的偏振状态的条件加以求出的运算部(50)。

公开(公告)号：CN103250232A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201180059328.5

申请日：2011-12-14

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 深泽和彦 ,  藤森义彦 ,  武田信介

IPC: H01L21/027 ,  G01B11/00 ,  G01N21/94 ,  G03F7/20

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/94 ,  G01N21/95607 ,  G01N2021/95615 ,  G02B26/0808 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70783 ,  H01L22/12

Abstract: 提供一种能以短时间、高精度测量曝光时的聚焦状态的装置。表面检查装置1具有以照明系20照明具有既定图案的晶圆（wafer）10的表面并拍摄来自晶圆10的光所形成的影像的摄影装置35、储存关于显示影像的信号强度与聚焦偏移量的关系的聚焦曲线的信息(基准数据)的记忆部45、利用记忆部45中储存的基准数据从以摄影装置35拍摄的影像信号强度判定对晶圆10上的图案曝光时的聚焦状态的影像处理部40。

公开(公告)号：CN102203589B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200980143039.6

申请日：2009-11-09

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 深泽和彦 ,  工藤祐司

IPC: G01N21/956

CPC classification number: G01J4/00 ,  G01N21/21 ,  G01N21/95607

Abstract: 评估装置(1)使测光件(42)旋转成测光件(42)的透射轴的方位相对偏光件(32)的透射轴成为90度±3度的倾斜角度，以各条件由摄影机(44)拍摄晶圆(10)的正反射像，影像处理部(50)，是根据通过摄影机(44)拍摄的两片晶圆(10)的影像，评估反复图案的形状以检测剂量不良及聚焦不良。

公开(公告)号：CN102884609A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201180021893.2

申请日：2011-04-28

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 深泽和彦

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G03F7/70641

Abstract: 检查装置(1)具备：载台(5)，支撑被曝光装置曝光而于表面形成有既定图案的晶圆(10)；照明系(20)，对支撑于载台(5)的晶圆(10)的表面照射照明光；摄影装置(35)，检测来自被照射照明光的晶圆(10)的表面的光；以及影像处理部(40)，利用在某曝光装置设定的作为基准的聚焦条件或作为基准的曝光量，从被摄影装置(35)检测的来自被不同曝光装置(60)曝光的晶圆(10)表面的光的资讯，进行与该不同曝光装置(60)相关的聚焦条件或曝光量的调整值的算出。

公开(公告)号：CN101473219B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200780022728.2

申请日：2007-07-06

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 大森健雄 ,  深泽和彦

IPC: G01N21/956 ,  G01B11/30 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01B11/14 ,  G01N21/21 ,  G01N21/956

Abstract: 一种表面检查设备，具有：照明装置，用于通过线偏振来照明形成在待检查对象的表面上的重复图案；设定装置，用于将由线偏振的入射面的表面上的方向和重复图案的重复方向形成的角度设定成零以外的指定值；提取装置，用于从沿镜面方向从重复图案产生的光中提取垂直于线偏振的振动面的偏振分量；受光装置，用于接受由提取装置提取的光并输出镜面反射光的光强；以及检测装置，用于基于从受光装置输出的镜面反射光的光强来检测重复图案的缺陷。设定装置设定由线偏振的入射面的表面上的方向和重复图案的重复方向形成的角度，使得来自表面上的正常部分的光的强度与来自表面上的缺陷部分的光的光强之间的差为最大值。

公开(公告)号：CN1758022A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510113358.6

申请日：2005-09-28

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 大森健雄 ,  深泽和彦

IPC: G01B11/30 ,  G01N21/88 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种可以以高S/N比进行最上层的图形，特别是孔图形的检查的缺陷检查装置。从由照明光(L1)照明的晶片(2)产生衍射光(L2)，将其导入受光光学系统(4)而聚光，将衍射光(L2)产生的晶片(2)的像成像在作为本发明的摄像装置的摄像元件(5)上。图像处理装置(6)进行由摄像元件(5)取入的图像的图像处理，检测缺陷。调整偏振片(7)，以便照明光(L1)以S偏振光对晶片(2)进行照明，并且其振动面和晶片(2)的交线与在晶片(2)上形成的布线图形平行或者垂直，调整偏振片(8)，以便从来自晶片(2)的衍射光中取出P偏振光的线偏振光。由此，可以将孔图形的检查与存在于它下面的布线图形相区别来进行检查，可以以S/N比良好的状态来检查表层的缺陷。

公开(公告)号：CN1532518A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200310123005.5

申请日：2003-12-23

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 杉原麻理 ,  大森健雄 ,  深泽和彦

IPC: G01B11/30

CPC classification number: G01N21/95692

Abstract: 本发明提供一种能以高S/N比进行最上层图形的检查的缺陷检查装置。从被照明光L1照明的、作为基板的晶片2上产生衍射光L2，然后将其导入由透镜41、透镜42构成的受光光学系统4中而被汇聚，使由衍射光L2形成的晶片2的像在作为本发明的摄像单元的摄像元件5上成像。图像处理装置6对由摄像元件5取入的图像进行图像处理，检查缺陷。偏光板7被进行旋转调整，使得照明光L1用S偏振光对晶片2进行照明。S偏振光的表面反射率高，从而到达基底的光量变少。因此，利用S偏振光进行照明，由此可以使从表层反射的光量比被基底反射的光量多，从而能在S/N比良好的状态下检查表层的缺陷。