-
公开(公告)号:CN101128917A
公开(公告)日:2008-02-20
申请号:CN200680005833.0
申请日:2006-02-23
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70408 , G02B5/1838 , G02B5/1866 , G02B13/143 , G02B27/4222 , G02B27/4272 , G02B27/4277 , G03B27/42 , G03F7/70283 , G03F7/7035
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高解析度且廉价的曝光方法,其是在形成构成电子元件的微细图案时所使用的适宜的曝光方法。本发明的曝光方法包括:将两个绕射光栅串联于光路中,且将构成电子元件的晶圆等与两个绕射光栅以特定间隔进行配置,并使绕射光栅所产生的干涉条纹的明暗图案在晶圆等上曝光。根据需要,改变半导体晶圆与该绕射光栅的位置关系并进行上述曝光。
-
公开(公告)号:CN103384822A
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:CN201280009675.1
申请日:2012-02-17
Applicant: 株式会社尼康
Inventor: 工藤祐司
IPC: G01N21/956 , H01L21/66
CPC classification number: G01N21/956 , H01L22/12
Abstract: 本发明提供了一种可检测图案深度方向的形状变化的检查装置。该检查装置具备:对形成有具周期性的图案的芯片5,以对芯片5具有穿透性的照明光加以照明的照明部20;接收该照明光于该图案绕射而反射至以该照明光照明侧的反射绕射光而能输出第1检测信号的反射绕射光检测部30;接收该照明光于该图案绕射而穿透至以该照明光照明侧对向的背面侧的穿透绕射光而能输出第2检测信号的穿透绕射光检测部40;以及根据第1检测信号与第2检测信号中的至少一方的信号,检测图案的状态的状态检测部51。
-
公开(公告)号:CN102203589B
公开(公告)日:2013-06-19
申请号:CN200980143039.6
申请日:2009-11-09
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G01N21/956
CPC classification number: G01J4/00 , G01N21/21 , G01N21/95607
Abstract: 评估装置(1)使测光件(42)旋转成测光件(42)的透射轴的方位相对偏光件(32)的透射轴成为90度±3度的倾斜角度,以各条件由摄影机(44)拍摄晶圆(10)的正反射像,影像处理部(50),是根据通过摄影机(44)拍摄的两片晶圆(10)的影像,评估反复图案的形状以检测剂量不良及聚焦不良。
-
公开(公告)号:CN101128917B
公开(公告)日:2011-11-23
申请号:CN200680005833.0
申请日:2006-02-23
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70408 , G02B5/1838 , G02B5/1866 , G02B13/143 , G02B27/4222 , G02B27/4272 , G02B27/4277 , G03B27/42 , G03F7/70283 , G03F7/7035
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高解析度且廉价的曝光方法,其是在形成构成电子元件的微细图案时所使用的适宜的曝光方法。本发明的曝光方法包括:将两个绕射光栅串联于光路中,且将构成电子元件的晶圆等与两个绕射光栅以特定间隔进行配置,并使绕射光栅所产生的干涉条纹的明暗图案在晶圆等上曝光。根据需要,改变半导体晶圆与该绕射光栅的位置关系并进行上述曝光。
-
公开(公告)号:CN102203589A
公开(公告)日:2011-09-28
申请号:CN200980143039.6
申请日:2009-11-09
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G01N21/956
CPC classification number: G01J4/00 , G01N21/21 , G01N21/95607
Abstract: 评估装置(1)使测光件(42)旋转成测光件(42)的透射轴的方位相对偏光件(32)的透射轴成为90度±3度的倾斜角度,以各条件由摄影机(44)拍摄晶圆(10)的正反射像,影像处理部(50),是根据通过摄影机(44)拍摄的两片晶圆(10)的影像,评估反复图案的形状以检测剂量不良及聚焦不良。
-
-
-
-