公开(公告)号：CN101128917A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200680005833.0

申请日：2006-02-23

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 市原裕 ,  中村绫子 ,  白石直正 ,  谷元昭一 ,  工藤祐司

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70408 ,  G02B5/1838 ,  G02B5/1866 ,  G02B13/143 ,  G02B27/4222 ,  G02B27/4272 ,  G02B27/4277 ,  G03B27/42 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/7035

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高解析度且廉价的曝光方法，其是在形成构成电子元件的微细图案时所使用的适宜的曝光方法。本发明的曝光方法包括：将两个绕射光栅串联于光路中，且将构成电子元件的晶圆等与两个绕射光栅以特定间隔进行配置，并使绕射光栅所产生的干涉条纹的明暗图案在晶圆等上曝光。根据需要，改变半导体晶圆与该绕射光栅的位置关系并进行上述曝光。

公开(公告)号：CN101128917B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200680005833.0

申请日：2006-02-23

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 市原裕 ,  中村绫子 ,  白石直正 ,  谷元昭一 ,  工藤祐司

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70408 ,  G02B5/1838 ,  G02B5/1866 ,  G02B13/143 ,  G02B27/4222 ,  G02B27/4272 ,  G02B27/4277 ,  G03B27/42 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/7035

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高解析度且廉价的曝光方法，其是在形成构成电子元件的微细图案时所使用的适宜的曝光方法。本发明的曝光方法包括：将两个绕射光栅串联于光路中，且将构成电子元件的晶圆等与两个绕射光栅以特定间隔进行配置，并使绕射光栅所产生的干涉条纹的明暗图案在晶圆等上曝光。根据需要，改变半导体晶圆与该绕射光栅的位置关系并进行上述曝光。