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公开(公告)号:CN101103442A
公开(公告)日:2008-01-09
申请号:CN200680002249.X
申请日:2006-01-13
Applicant: 株式会社尼康
Inventor: 白石直正
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70408 , G03F7/70316 , G03F7/7035
Abstract: 本发明的目的是提供一种适合在构成电子元件的微细图案的形成中所使用的曝光方法,并为高解析度且廉价的曝光方法。该曝光方法包括:配置邻接于构成电子元件的晶圆等的绕射光栅,并对该绕射光栅照射具有设定的入射角度特性的照明光而进行对晶圆的曝光。依据需要,变更半导体晶圆和该绕射光栅的位置关系,以进行上述曝光。
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公开(公告)号:CN101689028A
公开(公告)日:2010-03-31
申请号:CN200880022043.2
申请日:2008-04-21
Applicant: 株式会社尼康
Inventor: 白石直正
CPC classification number: G03F7/70683 , G03F9/7076
Abstract: 一种用于掩膜图案的数据处理方法。所述方法包括分析掩膜图案的数据(SF),并且根据掩膜图案指定具有预定形状和预定尺寸的图案区域(BD)。所述图案区域(BD)用作对准标记。
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公开(公告)号:CN101566803A
公开(公告)日:2009-10-28
申请号:CN200910136484.1
申请日:2006-01-13
Applicant: 株式会社尼康
Inventor: 白石直正
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70408 , G03F7/70316 , G03F7/7035
Abstract: 本发明的目的是提供一种适合在构成电子元件的微细图案的形成中所使用的曝光方法,并为高解析度且廉价的曝光方法。该曝光方法包括:配置邻接于构成电子元件的晶圆等的绕射光栅,并对该绕射光栅照射具有设定的入射角度特性的照明光而进行对晶圆的曝光。依据需要,变更半导体晶圆和该绕射光栅的位置关系,以进行上述曝光。
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公开(公告)号:CN1227717C
公开(公告)日:2005-11-16
申请号:CN01818664.5
申请日:2001-11-09
Applicant: 株式会社尼康
Inventor: 白石直正
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70808 , G03F7/70825 , G03F7/70833 , G03F7/70883 , G03F7/70933
Abstract: 在光学单元镜筒中整体布置一个环形支撑件,并且三个突起部分分布在支撑件的上表面上。突起部分以直接接触的方式支撑平行平片的下表面。在此支撑态下,平行平片与支撑件的一个表面相对,其间有几微米的间隙。通过这种配置,平行平片一侧中的空间基本上与另一侧的空间隔开。因此,例如即使平行平片一侧空间中的气体环境不同于另一侧,也可以有效地避免气体混合。另外,因为平行平片在三点处被支撑,所以由于平行平片的支撑力而抑制平行平片的变形,由此抑制折射率变化。
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公开(公告)号:CN101689028B
公开(公告)日:2013-06-19
申请号:CN200880022043.2
申请日:2008-04-21
Applicant: 株式会社尼康
Inventor: 白石直正
CPC classification number: G03F7/70683 , G03F9/7076
Abstract: 一种用于掩膜图案的数据处理方法。所述方法包括分析掩膜图案的数据(SF),并且根据掩膜图案指定具有预定形状和预定尺寸的图案区域(BD)。所述图案区域(BD)用作对准标记。
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公开(公告)号:CN101128917B
公开(公告)日:2011-11-23
申请号:CN200680005833.0
申请日:2006-02-23
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70408 , G02B5/1838 , G02B5/1866 , G02B13/143 , G02B27/4222 , G02B27/4272 , G02B27/4277 , G03B27/42 , G03F7/70283 , G03F7/7035
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高解析度且廉价的曝光方法,其是在形成构成电子元件的微细图案时所使用的适宜的曝光方法。本发明的曝光方法包括:将两个绕射光栅串联于光路中,且将构成电子元件的晶圆等与两个绕射光栅以特定间隔进行配置,并使绕射光栅所产生的干涉条纹的明暗图案在晶圆等上曝光。根据需要,改变半导体晶圆与该绕射光栅的位置关系并进行上述曝光。
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公开(公告)号:CN101652720A
公开(公告)日:2010-02-17
申请号:CN200880011598.7
申请日:2008-04-07
Applicant: 株式会社尼康
Abstract: 一种曝光装置,通过投影光学系统(PL)在基板(W)上曝光明暗图案。所述曝光装置包括:位置检测系统(10),检测基板的单位曝光区域(10f)中的多个预定位置(10aa-10ea)。多个参考检测位置(W)落入与单位曝光区域(10f)大致相等的范围内。变形计算单元(11)根据位置检测系统(10)的检测结果来计算单位曝光区域(10f)中的变形状态。形状修改单元(12)根据变形计算单元(11)所计算的变形状态,修改要在基板(W)上曝光的明暗图案的形状。
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公开(公告)号:CN1871689A
公开(公告)日:2006-11-29
申请号:CN200480031414.5
申请日:2004-10-26
Applicant: 株式会社尼康
Inventor: 白石直正
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , G02B19/00
CPC classification number: G03F7/70191 , G02B3/0006 , G02B5/3083 , G02B27/28 , G02B27/283 , G02B27/286 , G03F7/70108 , G03F7/70341 , G03F7/70566 , G03F7/70966
Abstract: 提供一种照明光学装置及投影曝光装置,在以所定偏光(optical polarization)状态的照明光照明罩幕(mask)之际,可使光量损失减少。具有照明光学系统ILS与投影光学系统PL。照明光学系统ILS以照明光IL照射光栅(reticle)R,投影光学系统PL将光栅R的图案像投影于晶圆(wafer)W上。在照明光学系统ILS,来自曝光光源1以直线偏光状态所射出的照明光IL通过进相轴的方向不同的第一及第二双折射构件12、13,大略在特定环带状的领域,在以光轴为中心的圆周方向转换成实质上直线偏光的偏光状态后,经蝇眼透镜14等以环带照明条件照明光栅R。
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公开(公告)号:CN1475028A
公开(公告)日:2004-02-11
申请号:CN01818664.5
申请日:2001-11-09
Applicant: 株式会社尼康
Inventor: 白石直正
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70808 , G03F7/70825 , G03F7/70833 , G03F7/70883 , G03F7/70933
Abstract: 在光学单元镜筒中整体布置一个环形支撑件,并且三个突起部分分布在支撑件的上表面上。突起部分以直接接触的方式支撑平行平片的下表面。在此支撑态下,平行平片与支撑件的一个表面相对,其间有几微米的间隙。通过这种配置,平行平片一侧中的空间基本上与另一侧的空间隔开。因此,例如即使平行平片一侧空间中的气体环境不同于另一侧,也可以有效地避免气体混合。另外,因为平行平片在三点处被支撑,所以由于平行平片的支撑力而抑制平行平片的变形,由此抑制折射率变化。
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公开(公告)号:CN101387754B
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN200810211496.1
申请日:2004-10-26
Applicant: 株式会社尼康
Inventor: 白石直正
CPC classification number: G03F7/70191 , G02B3/0006 , G02B5/3083 , G02B27/28 , G02B27/283 , G02B27/286 , G03F7/70108 , G03F7/70341 , G03F7/70566 , G03F7/70966
Abstract: 提供一种照明光学装置及投影曝光装置,在以所定偏光(optical?polarization)状态的照明光照明掩模(mask)之际,可使光量损失减少。具有照明光学系统ILS与投影光学系统PL。照明光学系统ILS以照明光IL照射光栅(reticle)R,投影光学系统PL将光栅R的图案像投影于晶圆(wafer)W上。在照明光学系统ILS,来自曝光光源1以直线偏光状态所射出的照明光IL通过进相轴的方向不同的第一及第二双折射构件12、13,大略在特定环带状的领域,在以光轴为中心的圆周方向转换成实质上直线偏光的偏光状态后,经蝇眼透镜14等以环带照明条件照明光栅R。
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