曝光方法、电子元件制造方法、曝光装置及照明光学装置

    公开(公告)号:CN101566803A

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN200910136484.1

    申请日:2006-01-13

    Inventor: 白石直正

    CPC classification number: G03F7/70408 G03F7/70316 G03F7/7035

    Abstract: 本发明的目的是提供一种适合在构成电子元件的微细图案的形成中所使用的曝光方法,并为高解析度且廉价的曝光方法。该曝光方法包括:配置邻接于构成电子元件的晶圆等的绕射光栅,并对该绕射光栅照射具有设定的入射角度特性的照明光而进行对晶圆的曝光。依据需要,变更半导体晶圆和该绕射光栅的位置关系,以进行上述曝光。

    光学单元、曝光设备和器件制造法

    公开(公告)号:CN1227717C

    公开(公告)日:2005-11-16

    申请号:CN01818664.5

    申请日:2001-11-09

    Inventor: 白石直正

    Abstract: 在光学单元镜筒中整体布置一个环形支撑件,并且三个突起部分分布在支撑件的上表面上。突起部分以直接接触的方式支撑平行平片的下表面。在此支撑态下,平行平片与支撑件的一个表面相对,其间有几微米的间隙。通过这种配置,平行平片一侧中的空间基本上与另一侧的空间隔开。因此,例如即使平行平片一侧空间中的气体环境不同于另一侧,也可以有效地避免气体混合。另外,因为平行平片在三点处被支撑,所以由于平行平片的支撑力而抑制平行平片的变形,由此抑制折射率变化。

    曝光装置、曝光方法和电子器件制造方法

    公开(公告)号:CN101652720A

    公开(公告)日:2010-02-17

    申请号:CN200880011598.7

    申请日:2008-04-07

    Abstract: 一种曝光装置,通过投影光学系统(PL)在基板(W)上曝光明暗图案。所述曝光装置包括:位置检测系统(10),检测基板的单位曝光区域(10f)中的多个预定位置(10aa-10ea)。多个参考检测位置(W)落入与单位曝光区域(10f)大致相等的范围内。变形计算单元(11)根据位置检测系统(10)的检测结果来计算单位曝光区域(10f)中的变形状态。形状修改单元(12)根据变形计算单元(11)所计算的变形状态,修改要在基板(W)上曝光的明暗图案的形状。

    光学单元、曝光设备和器件制造法

    公开(公告)号:CN1475028A

    公开(公告)日:2004-02-11

    申请号:CN01818664.5

    申请日:2001-11-09

    Inventor: 白石直正

    Abstract: 在光学单元镜筒中整体布置一个环形支撑件,并且三个突起部分分布在支撑件的上表面上。突起部分以直接接触的方式支撑平行平片的下表面。在此支撑态下,平行平片与支撑件的一个表面相对,其间有几微米的间隙。通过这种配置,平行平片一侧中的空间基本上与另一侧的空间隔开。因此,例如即使平行平片一侧空间中的气体环境不同于另一侧,也可以有效地避免气体混合。另外,因为平行平片在三点处被支撑,所以由于平行平片的支撑力而抑制平行平片的变形,由此抑制折射率变化。

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