公开(公告)号：CN116897354A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202280017789.4

申请日：2022-02-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 黑川义元 ,  乡户宏充 ,  津田一树 ,  大下智 ,  力丸英史

IPC: G06G7/60

Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括：执行人工神经网络中的第一层次的积和运算及第二层次的积和运算的单元阵列；对单元阵列输入第一数据的第一电路；以及从单元阵列输出第二数据的第二电路。单元阵列包括多个单元。单元阵列包括第一区域以及第二区域。在第一期间，第一区域被第一电路输入第t(t为2以上的自然数)第一数据而将对应于第一层次的积和运算的第t第二数据输出到第二电路。第二区域被第一电路输入第(t‑1)第一数据而将对应于第二层次的积和运算的第(t‑1)第二数据输出到第二电路。

公开(公告)号：CN116157911A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180059759.5

申请日：2021-07-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  津田一树 ,  黑川义元 ,  大下智 ,  金村卓郎 ,  力丸英史

IPC: H01L21/8234

Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及电容器。第一晶体管具有在关闭状态时保持对应于通过第一晶体管供应到第三晶体管的栅极的第一数据的第一电位的功能。电容器具有根据对应于供应到一个电极的第二数据的电位变化而将在第三晶体管的栅极中保持的第一电位变为第二电位的功能。第二晶体管具有使第三晶体管的源极和漏极中的一个的电位成为对应于第二晶体管的栅极电位的电位的功能。第三晶体管具有使对应于第三晶体管的栅极电位的输出电流流过源极和漏极中的另一个的功能。当第三晶体管在亚阈值区域中工作时，输出电流流过。

公开(公告)号：CN114503202A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080068983.6

申请日：2020-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大下智 ,  国武宽司 ,  津田一树

IPC: G11C11/405 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明的一个方式提供一种存储容量大的存储装置。本发明的一个方式是一种连接有多个存储单元的NAND型存储装置，该存储单元包括写入用晶体管、读出用晶体管及电容器，将氧化物半导体用于写入用晶体管的半导体层。读出用晶体管包括背栅极。通过对背栅极施加读出用电压，读出存储单元所保持的信息。

公开(公告)号：CN114424339A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080065554.3

申请日：2020-09-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 太田将志 ,  安藤善范 ,  长塚修平 ,  越田树 ,  大下智 ,  方堂凉太 ,  津田一树 ,  铃木阳夫

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种适于高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：衬底上的设置有包括氧化物半导体的第一晶体管的第一层；第一层上的第二层；第二层上的设置有包括氧化物半导体的第二晶体管的第三层；第一层与第二层间的第四层；以及第二层与第三层间的第五层，其中，第一层的总内部应力和第三层的总内部应力作用于第一方向上，第二层的总内部应力作用于与第一方向相反的方向上，并且，第四层及第五层包括具有阻挡性的层。