-
公开(公告)号：CN111788698A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201980016079.8
申请日：2019-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种可靠性良好的半导体装置。一种包括晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一绝缘体；第二绝缘体；第一氧化物；第二氧化物；第三氧化物；第一导电体及第二导电体；第三绝缘体；第三导电体；第四绝缘体；以及第五绝缘体。第四绝缘体及第五绝缘体中设置有到达第二氧化物的开口，以嵌入开口的方式从开口的内壁一侧依次设置有第三氧化物、第三绝缘体和第三导电体。在晶体管的沟道长度方向上，第四绝缘体与第二氧化物不重叠的区域的第四绝缘体的至少一部分与第一绝缘体接触。在晶体管的沟道宽度方向上，第三氧化物与第二氧化物不重叠的区域的第三氧化物的至少一部分与第一绝缘体接触。
-
公开(公告)号：CN111742414A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201980014864.X
申请日：2019-02-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种通态电流大且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘体；位于第二绝缘体上并与第三氧化物重叠的第三导电体；与第一绝缘体的顶面、第一氧化物的侧面、第二氧化物的侧面、第一导电体的侧面、第一导电体的顶面、第二导电体的侧面、第二导电体的顶面接触的第三绝缘体；第三绝缘体上的第四绝缘体；第四绝缘体上的第五绝缘体；以及第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第五绝缘体上的第六绝缘体，其中第六绝缘体与第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第五绝缘体各自的顶面接触。
-
公开(公告)号：CN119325749A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202380043434.7
申请日：2023-05-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10D30/67 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H10D30/01 , H10D84/01 , H10D84/03 , H10D84/00 , H10D84/83 , H10D64/23 , H10D64/27 , H10D64/66 , H10D30/47 , H10D30/68 , H10B12/00 , H10B41/20
Abstract: 半导体装置(200)包括：衬底上的氧化物(230)；氧化物上的彼此隔开的第一导电体(242a1)及第二导电体(242b1)；与第一导电体的顶面的一部分接触的第三导电体(242a2)；与第二导电体的顶面的一部分接触的第四导电体(242b2)；配置在第三导电体及第四导电体上且具有重叠于第三导电体与第四导电体之间的区域的开口的第一绝缘体(271a、271b)；配置在第一绝缘体的开口内且与第一导电体的顶面的另一部分、第二导电体的顶面的另一部分、第三导电体的侧面及第四导电体的侧面接触的第二绝缘体(255)；配置在第一绝缘体的开口内且与氧化物的顶面、第一导电体的侧面、第二导电体的侧面及第二绝缘体的侧面接触的第三绝缘体(250)；以及在第一绝缘体的开口内配置在第三绝缘体上且具有隔着第三绝缘体与氧化物重叠的区域的第五导电体，其中，第一导电体与第二导电体之间的距离(L2)小于第三导电体与第四导电体之间的距离(L1)。
-
公开(公告)号：CN118696612A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202380021550.9
申请日：2023-02-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786
Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括具有第一至第三晶体管及电容器的存储单元。第二及第三晶体管共用金属氧化物。在第一晶体管与第二晶体管间设置电容器。用作第一晶体管的源极或漏极的电极上设置有绝缘体，该绝缘体包括到达电极的开口。该开口内部设置有电容器。电容器的一个电极在开口内部具有与第一晶体管的源电极和漏电极中的另一个接触的区域。另外，电容器的一个电极具有与第二晶体管的栅电极接触的区域。
-
公开(公告)号：CN118402336A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280083475.4
申请日：2022-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/122 , G02B5/22 , G09F9/30 , H05B33/06 , H05B33/12 , H05B33/14 , H05B33/22 , H10K59/124 , H10K59/131 , H10K59/38
Abstract: 提供一种清晰度高的显示装置。本发明的一个方式是一种包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层、第二绝缘层、第一着色层及第二着色层的显示装置，第一发光器件在第一绝缘层上依次包括第一像素电极、第一层及公共电极，第二发光器件在第一绝缘层上依次包括第二像素电极、第二层及公共电极，第一绝缘层包括具有与第一像素电极重叠的区域和与第二像素电极重叠的区域的槽，第二绝缘层与第一层的侧面、第二层的侧面及槽重叠，公共电极包括位于第二绝缘层上的部分，第一着色层与第一发光器件重叠，第二着色层与第二发光器件重叠并使与第一着色层不同颜色的光透过，第一层及第二层包含同一发光材料且彼此分开。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111742414B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201980014864.X
申请日：2019-02-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H10B12/00 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种通态电流大且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘体；位于第二绝缘体上并与第三氧化物重叠的第三导电体；与第一绝缘体的顶面、第一氧化物的侧面、第二氧化物的侧面、第一导电体的侧面、第一导电体的顶面、第二导电体的侧面、第二导电体的顶面接触的第三绝缘体；第三绝缘体上的第四绝缘体；第四绝缘体上的第五绝缘体；以及第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第五绝缘体上的第六绝缘体，其中第六绝缘体与第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第五绝缘体各自的顶面接触。
-
公开(公告)号：CN117616874A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280047627.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种能够以高灵敏度进行摄像的显示装置。该显示装置包括：第一发光元件；与第一发光元件相邻的第二发光元件；与第二发光元件相邻的受光元件；设置在第二发光元件与受光元件间的第一绝缘层；以及设置在第一发光元件与第二发光元件间的第二绝缘层。第一发光元件中依次层叠有第一像素电极、第一发光层以及公共电极。第二发光元件中依次层叠有第二像素电极、第二发光层以及公共电极。受光元件中依次层叠有第三像素电极、光电转换层以及公共电极。第一以及第二绝缘层具有通过曝光对可见光透光性得到提高的正型感光材料。第一绝缘层中的可见光的波长中的至少一部分的波长光的透过率低于第二绝缘层中的该波长光的透过率。
-
公开(公告)号：CN117276339A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310664561.0
申请日：2018-07-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/417
Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：氧化物；氧化物上的第一导电体及第二导电体；氧化物上的第三导电体；氧化物与第三导电体之间的覆盖第三导电体的侧面的第一绝缘体；第三导电体及第一绝缘体上的第二绝缘体；位于第一导电体上且第二绝缘体的侧面处的第三绝缘体；位于第二导电体上且第二绝缘体的侧面处的第四绝缘体；与第三绝缘体的顶面及侧面接触且与第一导电体电连接的第四导电体；以及与第四绝缘体的顶面及侧面接触且与第二导电体电连接的第五导电体。第一绝缘体位于第三绝缘体与第三导电体之间且位于第四绝缘体与第三导电体之间。
-
公开(公告)号：CN117099482A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280024269.6
申请日：2022-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种显示品质及可靠性高的显示装置。一种包括第一发光元件、以与第一发光元件相邻的方式配置的第二发光元件、第一保护层、第二保护层以及绝缘层的显示装置。第一发光元件包括第一像素电极、第一EL层及公共电极，第二发光元件包括第二像素电极、第二EL层及公共电极。第一EL层设置在第一像素电极上，第二EL层设置在第二像素电极上。第一保护层具有与第一像素电极的侧面、第二像素电极的侧面、第一EL层的侧面及第二EL层的侧面重叠的区域。绝缘层设置在第一保护层上，第二保护层设置在绝缘层上。公共电极设置在第一EL层上、第二EL层上及第二保护层上。
-
公开(公告)号：CN117044393A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280023454.3
申请日：2022-03-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/10
Abstract: 提供一种可以连续处理有机化合物膜的加工至密封的工序的制造装置。一种可以连续进行发光器件的图案化工序以及使有机层的表面及侧面密封以不暴露于大气的工序的制造装置，可以形成高亮度、高可靠性的微型发光器件。此外，该制造装置可以组装于按发光器件的工序顺序配置有装置的直列式制造装置，可以以高处理量进行制造。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
82
records
(took 0.042 seconds)
