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公开(公告)号：CN111033702A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880054552.7
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L27/11519 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/363 , H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 提供一种可靠性良好的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、配置在第一绝缘体上的第二绝缘体、配置在第二绝缘体上的氧化物、在氧化物上彼此分开地配置的第一导电体及第二导电体、配置在氧化物、第一导电体及第二导电体上的第三绝缘体、配置在第三绝缘体上且以其至少一部分与第一导电体和第二导电体之间的区域重叠的方式配置的第三导电体、以覆盖氧化物、第一导电体、第二导电体、第三绝缘体及第三导电体的方式配置的第四绝缘体、配置在第四绝缘体上的第五绝缘体以及配置在第五绝缘体上的第六绝缘体，在第四绝缘体的至少一部分中形成到达第二绝缘体的开口，第五绝缘体通过开口与第二绝缘体接触，第一绝缘体、第四绝缘体及第六绝缘体的氧透过性比第二绝缘体低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100534245C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200610071996.0
申请日：2006-04-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , G09G3/3233 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/043 , H01L51/5012 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明提供具有第一发光元件、第二发光元件、恒流电源以及放大器的显示器件。其中第一发光元件和第二发光元件各具有在一对电极之间层叠而形成的含有有机化合物和无机化合物的第一层和含有发光物质的第二层。所述第一层提供在所述第二层上。或者，所述第二层提供在所述第一层上。
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公开(公告)号：CN111033702B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201880054552.7
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H10B41/10 , H10B41/70 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/363 , H10B12/00
Abstract: 成到达第二绝缘体的开口，第五绝缘体通过开口提供一种可靠性良好的半导体装置。该半导 与第二绝缘体接触，第一绝缘体、第四绝缘体及体装置包括第一绝缘体、配置在第一绝缘体上的 第六绝缘体的氧透过性比第二绝缘体低。第二绝缘体、配置在第二绝缘体上的氧化物、在氧化物上彼此分开地配置的第一导电体及第二导电体、配置在氧化物、第一导电体及第二导电体上的第三绝缘体、配置在第三绝缘体上且以其至少一部分与第一导电体和第二导电体之间的区域重叠的方式配置的第三导电体、以覆盖氧化物、第一导电体、第二导电体、第三绝缘体及第三导电体的方式配置的第四绝缘体、配置在第四绝(56)对比文件CN 106409919 A,2017.02.15CN 107004722 A,2017.08.01JP 2016157937 A,2016.09.01JP 2017098535 A,2017.06.01JP 2017120905 A,2017.07.06US 2008002454 A1,2008.01.03US 2013200375 A1,2013.08.08US 2014339539 A1,2014.11.20US 2015053972 A1,2015.02.26US 2015179803 A1,2015.06.25US 2015280013 A1,2015.10.01US 2015349127 A1,2015.12.03US 2016284859 A1,2016.09.29US 2017170211 A1,2017.06.15WO 2017072627 A1,2017.05.04
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公开(公告)号：CN112368846A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201980044262.9
申请日：2019-06-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。本发明的半导体装置包括晶体管、电容器、电极及层间膜，晶体管包括半导体层、栅极、源极及漏极，晶体管及电容器以埋入层间膜中的方式配置，源极和漏极中的一个在半导体层的下方与电极接触，源极和漏极中的另一个在半导体层的上方与电容器的一个电极接触。
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公开(公告)号：CN107004722A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580067427.6
申请日：2015-12-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L21/8242 , H01L27/092 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L27/146
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02266 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L2029/42388
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有稳定的电特性的晶体管。该晶体管包括：在衬底上形成的第一绝缘体；在第一绝缘体上形成的第一至第三氧化物绝缘体；在第三氧化物绝缘体上形成的第二绝缘体；在第二绝缘体上形成的第一导电体；以及在第一导电体上形成的第三绝缘体，其中，第一氧化物绝缘体及第二氧化物绝缘体的导带底能级比氧化物半导体的导带底能级更近于真空能级，第三氧化物绝缘体的导带底能级比第二氧化物绝缘体的导带底能级更近于真空能级，第一绝缘体包含氧，通过热脱附谱分析测量的从第一绝缘体脱离的氧分子量为1E14 molecules/cm2以上且1E16 molecules/cm2以下。
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公开(公告)号：CN1849023A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610071996.0
申请日：2006-04-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , G09G3/3233 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/043 , H01L51/5012 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明提供具有第一发光元件、第二发光元件、恒流电源以及放大器的显示器件。其中第一发光元件和第二发光元件各具有在一对电极之间层叠而形成的含有有机化合物和无机化合物的第一层和含有发光物质的第二层。所述第一层提供在所述第二层上。或者，所述第二层提供在所述第一层上。
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