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公开(公告)号：CN1739129A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200380108666.9
申请日：2003-12-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , H05B33/14 , G02F1/1368 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种简化剥离工序、而且对于大型基板均匀进行剥离、转印的方法。本发明的特征在于：同时进行剥离工序中的第1粘接剂的剥离和第2粘接剂的硬化，简化制造工序。另外，本发明的特征在于：深入研究将至半导体元件的电极形成后的被剥离层转印到规定基板上的时刻。本发明的特征在于：特别地，在大型基板上已形成多个半导体元件的状态下进行剥离时，利用压力差，吸附基板，进行剥离。
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公开(公告)号：CN1708853A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380102641.8
申请日：2003-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L23/291 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/3244 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L51/0002 , H01L51/0021 , H01L51/0024 , H01L51/003 , H01L2221/68368 , H01L2924/0002 , Y10S438/928 , Y10S438/982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是：提供一种不使被剥离层受到损伤的剥离方法，其不仅是具有小面积的被剥离层的剥离，还能成品率很高地进行具有大面积的被剥离层的全面剥离。此外，本发明的课题是提供一种在各种基材上粘贴被剥离层并经轻量化的半导体装置以及其制作方法。特别是，提供一种在柔性薄膜上粘贴以TFT为代表的各种元件(薄膜二极管、由硅的PIN结构成的光电变换元件或硅电阻元件)并经轻量化的半导体装置以及其制作方法。本发明的解决方法是：在基板上设置金属层11，再接在上述金属层11上设置氧化物层12，进而形成被剥离层13，如果以激光照射上述金属层11从而进行氧化形成金属氧化层16，就能够以物理手段在金属氧化物层16的层内或者金属氧化物层16和氧化物层12的界面上进行很好的分离。
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公开(公告)号：CN1523668A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200410003980.7
申请日：2004-02-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/1214 , H01L27/3209 , H01L27/3227 , H01L29/78603 , H01L29/78621
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件，该半导体器件具有的集成电路有以下特点：使用价格低廉的玻璃衬底；能够应付信息量的增加；高性能；且能高速工作。一种具有通过将在不同衬底上形成的半导体元件转移以层叠的半导体元件的半导体器件，其中，在所述层叠的半导体元件之间形成有由树脂形成的膜以及形成在一部分区域中的金属氧化物，并且，在和所述层叠的半导体元件中的一个半导体元件电连接的发光元件中，第一电信号被转换为光信号，且在和所述层叠的半导体元件中的另一个半导体元件电连接的光接收元件中，所述光信号被转换为第二电信号。
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公开(公告)号：CN1516288A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310124242.3
申请日：2003-12-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/00 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L21/76251 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/1266 , H01L29/78603 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2221/68368
Abstract: 试验了一种用来在典型为柔性塑料膜的具有柔性的衬底上制作TFT元件的技术。当结构中用光阻挡层或反射层来防止对层离层的损伤时，难以制造透射型液晶显示器件或向下发光的发光器件。在金属膜形成在衬底上的状态下，用物理方法或机械方法分离了衬底与层离膜，且提供了包含包括金属的氧化物膜的层离层和形成在金属膜上的包含硅的膜。具体地说，制作了一种TFT，此TFT借助于在金属膜上形成包括金属的氧化物层；用热处理方法晶化氧化物层；以及在氧化物层中或在氧化物层的二个界面处进行分离而得到。
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公开(公告)号：CN1472772A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN03147669.4
申请日：2003-07-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76251 , H01L27/1214
Abstract: 提供了一种不损伤待要剥离的层的剥离方法，且此方法不仅能够剥离面积小的待要剥离的层，而且能够以高的成品率剥离面积大的整个待要剥离的层。而且，提供了一种通过将待要剥离的层粘合到各种基底材料而降低了重量的半导体器件及其制造方法。确切地说，提供了一种通过将典型为TFT的各种元件粘合到柔性膜而降低了重量的半导体器件及其制造方法。金属层或氮化物层被提供在衬底上；氧化物层被提供成与金属层或氮化物层相接触；然后形成基底绝缘膜和含有氢的待要剥离的层；并在410℃或更高的温度下执行热处理，以便扩散氢。结果，能够用物理方法在氧化物层中或在其界面处获得完全的剥离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101577271B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910147514.9
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L25/00 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L23/3128 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06555 , H01L2225/06558 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及其制作方法本发明的目的是提供一种低成本，小体积，并且高集成化的半导体器件。本发明利用转移技术，将用半导体薄膜形成的半导体元件转移到用半导体衬底形成的半导体元件之上，从而制作半导体器件。跟常规的MCP相比，本发明可以用更低成本，并更高产量地大量生产半导体器件，而且可以减少每个半导体器件的生产成本。
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公开(公告)号：CN102354067A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110293254.3
申请日：2004-01-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/133 , G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/13357 , G02F1/1333 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/133305 , G02F1/133603 , G02F2001/13613 , H01L27/14678 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592
Abstract: 本发明的目的是在不妨碍便携用电子器具的轻巧化或小体积化的情况下，实现高功能化。确切地说，本发明的目的是在不损伤搭载在便携用电子器具的液晶显示器件的机械强度的情况下，实现轻巧化，小体积化。一种包括第一塑料衬底；配置在第一塑料衬底上的发光元件；覆盖该发光元件的树脂；和该树脂连接的绝缘膜；和该绝缘膜连接的半导体元件；和该半导体元件电连接的液晶单元；第二塑料衬底的液晶显示器件，其中，所述半导体元件和所述液晶单元提供在第一塑料衬底和第二塑料衬底之间。
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公开(公告)号：CN101615593A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910161414.1
申请日：2003-12-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L21/76251 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/1266 , H01L29/78603 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2221/68368
Abstract: 本申请为半导体器件及其制造方法、层离方法、以及转移方法。试验了一种用来在典型为柔性塑料膜的具有柔性的衬底上制作TFT元件的技术。当结构中用光阻挡层或反射层来防止对层离层的损伤时，难以制造透射型液晶显示器件或向下发光的发光器件。在金属膜形成在衬底上的状态下，用物理方法或机械方法分离了衬底与层离膜，且提供了包含包括金属的氧化物膜的层离层和形成在金属膜上的包含硅的膜。具体地说，制作了一种TFT，此TFT借助于在金属膜上形成包括金属的氧化物层；用热处理方法晶化氧化物层；以及在氧化物层中或在氧化物层的二个界面处进行分离而得到。
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公开(公告)号：CN100568268C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200310123568.4
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077
CPC classification number: G06K19/07749 , G06K19/077 , G06K19/07703 , G06Q20/341 , G06Q20/40145 , G07F7/1008
Abstract: 本发明的目的是提供一种更高功能的智能卡，该智能卡可以防止更换脸部照片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部照片以外的图像。具有显示器件和薄膜集成电路的卡，该卡用薄膜集成电路来控制显示器件的驱动，用于显示器件以及薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，所述薄膜集成电路和显示器件被树脂密封在所述卡的第一衬底和第二衬底之间，并且，第一和第二衬底是塑料衬底。
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公开(公告)号：CN101499201A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200810176170.X
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G07G1/06 , G06K19/077 , G07F7/08
CPC classification number: G06K19/07749 , G06K19/077 , G06K19/07703 , G06Q20/341 , G06Q20/40145 , G07F7/1008
Abstract: 本发明的名称为卡以及利用该卡的记帐系统，目的是提供一种更高功能的智能卡，该智能卡可以防止更换脸部照片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部照片以外的图像。具有显示器件和薄膜集成电路的卡，该卡用薄膜集成电路来控制显示器件的驱动，用于显示器件以及薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，所述薄膜集成电路和显示器件被树脂密封在所述卡的第一衬底和第二衬底之间，并且，第一和第二衬底是塑料衬底。
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