公开(公告)号：CN119153515A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410711387.5

申请日：2024-06-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  土桥正佳 ,  肥冢纯一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供一种同时实现微型化及高可靠性的晶体管。本发明的一个方式是一种半导体装置及半导体装置的制造方法。该半导体装置包括晶体管及第一绝缘层。晶体管包括第一至第三导电层、半导体层、第二绝缘层。第一绝缘层包括第一层及该第一层上的第二层。第一绝缘层位于第一导电层上，并包括到达第一导电层的第一开口。第二导电层位于第二层上。半导体层与第一导电层及第二导电层接触，并与第一开口内侧的第一层的侧面接触。第二绝缘层在第一开口内覆盖半导体层，第三导电层在第一开口内覆盖第二绝缘层。第一绝缘层在与第一开口不同的位置上包括第二开口。第二绝缘层在第二开口内侧与第一层接触。第一层包括氧化物绝缘膜，第二层包括具有氧阻挡性的绝缘膜。

公开(公告)号：CN119092554A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411208055.1

申请日：2019-09-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤来 ,  神长正美 ,  土桥正佳 ,  白石孝 ,  斋藤晓 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种电特性的良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、金属氧化物层以及导电层，其中第一绝缘层、金属氧化物层及导电层依次层叠在半导体层上，第一绝缘层的端部位于半导体层的端部的内侧，金属氧化物层的端部位于第一绝缘层的端部的内侧，导电层的端部位于金属氧化物层的端部的内侧。第二绝缘层优选以覆盖半导体层、第一绝缘层、金属氧化物层及导电层的方式设置。半导体层优选具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域，第一区域优选与第一绝缘层及金属氧化物层重叠，第二区域优选夹持第一区域与第一绝缘层重叠且不与金属氧化物层重叠，第三区域优选夹持第一区域及一对第二区域且不与第一绝缘层重叠，第三区域优选与第二绝缘层接触。

公开(公告)号：CN118922949A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380025998.8

申请日：2023-03-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  三泽千惠子 ,  佐藤亚美 ,  土桥正佳

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H05B33/10 ,  H05B45/60 ,  H10K50/00

Abstract: 提供一种集成度高的半导体装置。半导体装置包括：第一及第二晶体管；以及绝缘层，第一晶体管包括：源电极；在源电极上的绝缘层上的漏电极；接触于源电极的顶面、设置在绝缘层的开口的内壁及漏电极的顶面的第一半导体层；接触于第一半导体层的顶面及侧面的第一栅极绝缘层；第一栅极绝缘层上的具有重叠于开口的内壁的区域的第一栅电极，第二晶体管包括：绝缘层上的第二半导体层；接触于第二半导体层的顶面及侧面中的一方的源电极；接触于第二半导体层的顶面及侧面中的另一方的漏电极；接触于第二半导体层的顶面、源电极的顶面及侧面以及漏电极的顶面及侧面的第二栅极绝缘层；第二栅极绝缘层上的第二栅电极，并且，第一半导体层与第二栅电极接触。

公开(公告)号：CN116895660A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310324678.4

申请日：2023-03-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  三泽千惠子 ,  佐藤亚美 ,  土桥正佳

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H10K59/12 ,  H10K59/121 ,  H10K59/131

Abstract: 提供一种集成度高的半导体装置以及半导体装置的制造方法。该半导体装置包括第一及第二晶体管以及第一绝缘层，第一晶体管包括第一半导体层、第二绝缘层以及第一至第三导电层，第二晶体管包括第二半导体层、第三绝缘层以及第四至第六导电层，第一绝缘层具有接触于第一半导体层及第一导电层的区域以及到达第一导电层的开口，第一半导体层接触于第一导电层的顶面、开口的内壁以及第二导电层，第二导电层位于第一绝缘层上，第三导电层设在第一半导体层上且具有隔着第二绝缘层重叠于开口的内壁的区域，第二半导体层接触于第四及第五导电层的彼此相对的侧端部的侧面及顶面，第六导电层隔着第三绝缘层设在第二半导体层上，第一及第二晶体管彼此电连接。

公开(公告)号：CN108780617B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201780014086.5

申请日：2017-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  横山浩平 ,  玉造祐树 ,  后藤尚人 ,  神长正美 ,  土桥正佳 ,  中田昌孝 ,  千田章裕 ,  千田尚之

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

Abstract: 提供一种高成品率的显示装置及/或相邻像素之间的混色得到抑制的显示装置。一种显示装置，包括第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层以及粘合层。第一绝缘层具有第一开口，第二绝缘层具有第二开口，第一开口及第二开口形成在第一像素电极与第二像素电极之间，在俯视图中第二开口的外周位于比第一开口的外周更靠内侧的位置，并且粘合层具有在第二绝缘层下与第二绝缘层重叠的区域。

公开(公告)号：CN111052396A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880056532.3

申请日：2018-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岛行德 ,  中田昌孝 ,  土桥正佳 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的一个方式提供一种能够实现高集成化的半导体装置。半导体装置包括第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第一导电层以及第二导电层。第二半导体层位于第一半导体层上，第二导电层位于第二半导体层上，第二绝缘层以覆盖第二导电层的顶面和侧面的方式设置。第二导电层和第二绝缘层具有第一开口，第三半导体层被设置为接触于第二绝缘层的顶面、第一开口的侧面及第二半导体层的位置。第一绝缘层位于第一导电层与第三半导体层之间，第三绝缘层位于第一绝缘层与第一导电层之间，第四绝缘层以围绕第一导电层的方式设置。

公开(公告)号：CN119563389A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202380034498.0

申请日：2023-04-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  大野正胜 ,  土桥正佳 ,  岛行德 ,  肥冢纯一

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03 ,  H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H05B33/02 ,  H10K50/10 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种包括微型的晶体管的半导体装置(10)。该半导体装置包括第一晶体管(100)以及第二晶体管(200)。第一晶体管包括第一导电层(112a)、第一导电层上的第一绝缘层(110)、第一绝缘层上的第二绝缘层(120)、第二绝缘层上的第二导电层(112b)、第一半导体层(108)、第三绝缘层(106)以及第三导电层(104)。第一绝缘层、第二绝缘层及第二导电层包括到达第一导电层的开口(143)。第一半导体层与第二导电层的顶面及侧面、第一绝缘层的侧面、第二绝缘层以及第一导电层的顶面接触。第三绝缘层设置在第一半导体层上。第三导电层设置在第三绝缘层上。第二晶体管包括第二绝缘层上的第二半导体层(208)、第二半导体层上的第三绝缘层以及包括隔着第三绝缘层与第二半导体层重叠的区域的第四导电层(204)。

公开(公告)号：CN119137751A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202380038452.6

申请日：2023-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岛行德 ,  井口贵弘 ,  大野正胜 ,  土桥正佳 ,  肥冢纯一 ,  神长正美

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H05B45/60 ,  H10K50/10

Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第四导电层、第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层，第一绝缘层位于第一导电层上，第二导电层隔着第一绝缘层位于第一导电层上，第二绝缘层覆盖第二导电层的顶面及侧面，第三导电层位于第二绝缘层上，半导体层与第一导电层的顶面、第二绝缘层的侧面以及第三导电层接触，第三绝缘层位于半导体层上，第四导电层隔着第三绝缘层位于半导体层上。

公开(公告)号：CN119137748A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202380034576.7

申请日：2023-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大野正胜 ,  土桥正佳 ,  中田昌孝 ,  岛行德 ,  肥冢纯一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H10K50/10 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置。本发明是一种半导体装置，该半导体装置依次层叠包括第一导电层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第二导电层，还包括半导体层、第三导电层以及第五绝缘层，半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面、第二绝缘层的侧面、第三绝缘层的侧面、第四绝缘层的侧面以及第二导电层接触，第五绝缘层位于半导体层上，第三导电层位于第五绝缘层上并隔着第五绝缘层与半导体层重叠，第一绝缘层包括含氢量比第二绝缘层及第四绝缘层的每一个多的区域，第三绝缘层包含氧。

公开(公告)号：CN118974947A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380032991.9

申请日：2023-04-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岛行德 ,  井口贵弘 ,  大野正胜 ,  土桥正佳 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H05B33/14 ,  H05B44/00 ,  H10K50/10

Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置。该半导体装置包括第一导电层、位于第一导电层上的第二导电层、与第一导电层的顶面以及第二导电层的顶面及侧面接触的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的第三导电层、与第三导电层、第一导电层的顶面及第一绝缘层的侧面接触的半导体层、位于第一绝缘层、半导体层及第三导电层上的第二绝缘层以及位于第二绝缘层上且隔着第二绝缘层与半导体层重叠的第四导电层，第一导电层的顶面至第二导电层的顶面的最短距离比第一导电层的顶面至第四导电层的底面的最短距离长。