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公开(公告)号：CN101435995B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200810171829.2
申请日：2008-11-12
Applicant: 株式会社东进世美肯
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C69/94 , C07C2601/08 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , C08G65/3315 , C08G65/3326 , C08G65/3346 , G03F7/0392
Abstract: 本发明公开了光敏化合物以及包含该光敏化合物的光致抗蚀剂组合物，该光敏化合物作为分子抗蚀剂，其粒径小于用于光致抗蚀剂的常规聚合物，并且该光敏化合物能够形成纳米组装。用以下通式表示所述光敏化合物。此外，本发明提供了光致抗蚀剂组合物，其包含1wt％至85wt％(重量％)的光敏化合物；相对于100重量份的光敏化合物，0.05至15重量份的光致产酸剂；以及相对于100重量份的光敏化合物，50至5000重量份的有机溶剂。在所述通式中，n是氧化异丙基(-CH(CH3)CH2O-)单体的重复个数，并且是1至40的整数，以及R是1至20个碳原子的烷基基团或3至20个碳原子的环烷基基团。
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公开(公告)号：CN1931858A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200510102771.2
申请日：2005-09-15
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C07D407/08 , C08G4/00 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了具有螺环缩酮基团的光刻胶聚合物，以及包括所述聚合物的光刻胶组合物。由于所述螺环缩酮基团脱保护反应的活化能较低，因此所述光刻胶聚合物和光刻胶组合物可以提高分辨率和制程范围；并且由于其PEB(曝光后烘焙)温度敏感性较低，可产生精细的光刻胶图案。
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公开(公告)号：CN1704845A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510074806.6
申请日：2005-06-03
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/004
CPC classification number: C08F212/14 , C08F12/22 , C08F12/26 , C08K5/36 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , C08L25/14 , C08L25/18 , C08F212/08
Abstract: 本发明公开了用于采用短波长曝光光源形成高分辨率精细电路图案的光敏聚合物，及含有该聚合物的化学扩增的光刻胶组合物。所述光敏聚合物如以下式1所示，[式1]其中R1为氢原子，R2为氢原子（见图），R3为氯原子、溴原子、羟基、氰基、叔丁氧基、CH2NH2、CONH2、CH＝NH、CH(OH)NH2或C(OH)＝NH基团，R4为氢原子或甲基，1－x－y－z、x、y和z为构成所述光敏聚合物的每种重复单元的聚合度，x、y和z分别为0.01－0.8，且n为1或2。
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公开(公告)号：CN103906740A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280053193.6
申请日：2012-11-01
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C07D311/86 , C07D495/10 , C08G61/12 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/094 , C07D311/86 , C07D491/107 , C07D495/10 , C08G8/20 , C08G61/122 , C08G2261/344 , C09D161/12 , G03F7/091 , G03F7/11 , C07D311/96 , C07D335/04 , C07D493/10 , G03F7/0035
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体加工光刻过程的酚类单体，一种含有所述酚类单体的用于制备抗蚀剂下层的聚合物，以及一种包含所述聚合物的抗蚀剂下层组合物。所述酚类单体由说明书中结构式1表示，在结构式1中，R1、R2、R3和R4分别是氢原子，或者带有或不带有杂原子的具有1～20个碳原子的直链状、支链状、单环或多环的饱和或不饱和碳氢基团；A是具有4～20个碳原子的单环或多环的芳香烃基团；X是氧原子(O)或硫原子(S)；Y是单键、亚甲基(CH2-)、氧原子(O)、硫原子(S)、氨基(-NH-)或两个单独的氢原子，其中，A、R1、R2、R3和R4都能被带有或不带有杂原子的具有1～20个碳原子的直链状、支链状、单环或多环的饱和或不饱和碳氢基团取代；以及，要么R1和R2，要么R3和R4彼此独立连接，形成环状。
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公开(公告)号：CN102449099A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080024213.8
申请日：2010-05-27
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种包含未离子化热活性纳米催化剂的、对金属层的化学机械平坦化工序有用的研磨浆料组合物以及利用其的研磨方法。所述化学机械研磨浆料组合物包含通过化学机械研磨工序中所产生的能量而释放电子与空穴的未离子化热活性纳米催化剂、研磨剂、以及氧化剂。所述未离子化热活性纳米催化剂与研磨剂彼此不相同，所述未离子化热活性纳米催化剂优选为在水溶液状态下在10-100℃的温度释放电子与空穴的半导体物质，特别优选使用从CrSi、MnSi、CoSi、硅铁(FeSi)以及其混合物所组成的群组中选择的过渡金属硅化物(transition metal silicide)，更优选使用纳米硅铁(nano ferrosilicon)此类的半导体物质。此未离子化热活性纳米催化剂的含量相对于全部浆料组合物为0.00001-0.1wt％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100379807C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200380104374.8
申请日：2003-11-18
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C08K5/107
CPC classification number: C08K5/0008 , C08K5/0041 , C08K5/42 , C08L25/18 , C08L33/14 , G03F7/091 , C08L33/10 , C08L2666/04
Abstract: 本发明涉及一种有机抗反射组合物和采用该组合物的构图方法，更具体地说，涉及这样一种有机抗反射组合物和采用该组合物的构图方法，该组合物含有一种交联剂、一种吸光剂、一种热酸生成剂、一种有机溶剂和一种粘合增强剂。本发明的有机抗反射组合物能够解决由晶片上底层膜的光学特性和光刻胶厚度的改变而引起的驻波效应，能够防止由漫反射引起的临界尺寸(CD)的改变，防止有机抗反射膜上的光敏剂的图形坍缩，且能够因此形成稳定的64M、256M、512M、1G、4G和16GDRAM超细图形，并提高生产量。
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公开(公告)号：CN118689047A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410314636.7
申请日：2024-03-19
Abstract: 提供稀释剂组合物和通过使用所述稀释剂组合物处理基板表面的方法，所述稀释剂组合物可普遍用于极紫外(EUV)光致抗蚀剂以及KrF和ArF光致抗蚀剂并且在减胶涂覆(RRC)和边缘珠状物除去(EBR)方面呈现出改善的性能并且具有优异的管道清洁能力。所述稀释剂组合物包括C2‑C4亚烷基二醇C1‑C4烷基醚乙酸酯、C2‑C3亚烷基二醇C1‑C4烷基醚、和环酮。
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公开(公告)号：CN110536940B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201880026333.8
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/306 , H01L21/321
Abstract: 本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物。更具体地，本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物及利用它的半导体基板的研磨方法，使用具有磷酸盐基的化合物作为研磨选择比调节剂且选择性地与所述研磨选择比调节剂一起进一步使用三级胺化合物，与以往相比，可对氮化硅膜等绝缘膜或钨等金属膜单独或同时进行研磨，尤其可调节它们的研磨速度，从而可使半导体元件的层与层之间段差最小化。
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