公开(公告)号：CN109119471B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201810160330.5

申请日：2018-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  木村重哉 ,  布上真也 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，提供能够降低导通电阻的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3半导体区域。第1电极处于第2、第3电极之间。第1半导体区域包括Alx1Ga1－x1N。第1半导体区域的第1～第3部分区域远离第1～第3电极。第1部分区域比第2、第3部分区域厚。第2半导体区域包括Alx2Ga1－x2N(x2＜x1)。第2半导体区域的第4～第6部分区域处于第1电极与第1部分区域之间、第2电极与第2部分区域之间、第3电极与第3部分区域之间。第4部分区域比第5、第6部分区域薄。第3半导体区域包括Alx3Ga1－x3N(x2＜x3)。第3半导体区域处于第2电极与第5部分区域之间以及第3电极与第6部分区域之间。

公开(公告)号：CN1921148A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610115100.4

申请日：2006-08-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤渉 ,  小野村正明 ,  田中明 ,  橘浩一 ,  藏口雅彦 ,  野田隆夫 ,  新田智洋 ,  吉冈启

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/02

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316

Abstract: 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具备：有导电性衬底部、和高电阻部的基体；由设在所述基体之上的氮化物半导体构成的第1半导体层；设在所述第1半导体层之上，由带隙比所述第1半导体层大的未掺杂或n型氮化物半导体构成的第2半导体层；在所述第2半导体层之上设在所述导电部之上的第1主电极；在所述第2半导体层之上设在所述高电阻部之上的第2主电极；以及在所述第2半导体层之上设在所述第1主电极和所述第2主电极之间的控制电极。

公开(公告)号：CN116264252A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202210896190.4

申请日：2022-07-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 梶原瑛祐 ,  新留彩 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/43

Abstract: 提供可得到稳定的特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第1～第3电极、第1、第2半导体区域和第1构件。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N，0≤x1

公开(公告)号：CN114864684A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202110946289.6

申请日：2021-08-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 梶原瑛祐 ,  大野浩志 ,  加藤大望 ,  向井章 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335

Abstract: 提供一种能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包含：第1～第3电极；第1、第2半导体区域；以及第1、第2绝缘构件。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1