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公开(公告)号：CN112420818A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010069989.7
申请日：2020-01-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/40 , H01L29/78 , H01L27/088
Abstract: 提供能够提高雪崩耐量的半导体装置。该半导体装置具有第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、导电性的含金属部、绝缘部、栅极电极、第二电极、第一布线层、以及第二布线层。第一半导体区域设于第一电极之上。第二半导体区域设于第一半导体区域之上。第三半导体区域及含金属部设于第二半导体区域之上。绝缘部在第二方向上与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域以及第三半导体区域并排。栅极电极以及第二电极设于绝缘部中。第一布线层隔着第一绝缘层设于含金属部的一部分及栅极电极之上，与栅极电极电连接。第二布线层与第一布线层分离地设置，与含金属部以及第二电极电连接。
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公开(公告)号：CN119698028A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311717300.7
申请日：2023-12-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体装置。半导体装置具备第一～第四电极、第一～第四半导体区域和第一、第二绝缘部。第三电极包含沿第二方向延伸且在第三方向上与第二半导体区域并列的第一电极区域、沿第三方向延伸且在第二方向上与第二半导体区域并列的第二电极区域和将第一电极区域与第二电极区域连接的第三电极区域。第一绝缘部包括包含第一、第二绝缘部分的第一绝缘区域、包含第三、第四绝缘部分的第二绝缘区域和包含第五、第六绝缘部分的第三绝缘区域。第六绝缘部分在第一方向上设于第一半导体区域与第三电极区域之间。第四电极在第二、第三方向上与第一半导体区域及第三电极并列。第四半导体区域设于第六绝缘部分之下。
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公开(公告)号：CN119584619A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410053096.1
申请日：2024-01-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体装置。半导体装置具有第1、第2电极、第1～第3半导体区域、构造体和第1、第2连接部。构造体包含绝缘部和第3、第4电极。绝缘部与第1～第3半导体区域并排。第3电极隔着绝缘部而与第1半导体区域并排。第4电极将第3电极包围，隔着绝缘部而与第2半导体区域并排。第1连接部设置于第3电极之上。第2连接部设置于第4电极之上。构造体的形状是包含彼此平行的一对第1、第2、第3边的六边形。第1边比第2边长。第4电极包含一对第1、第2、第3电极区域。第2连接部设置于一对第1电极区域之上。
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公开(公告)号：CN119584583A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202311717302.6
申请日：2023-12-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 可知刚
Abstract: 实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置具备第一～第三电极、第一～第三半导体区域、第一、第二构造体、第一、第二绝缘部和配线部。第一半导体区域包含第一区域和第二区域。第一构造体设于第一区域，包含第一绝缘区域和第一导电区域。第二构造体设于第二区域，包含第二绝缘区域和第二导电区域。第三电极包围第一构造体及第二构造体。第二绝缘部设于第二区域之上。配线部设于第二绝缘部之上。配线部与第三电极电连接。第二区域包含第一部分和第二部分。配线部包含第一配线区域和第二配线区域。第一配线区域设于第一部分之上。第二配线区域设于第二部分之上。第一配线区域的宽度与第三电极的宽度相同。
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公开(公告)号：CN118676204A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310739863.X
申请日：2023-06-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/40
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置，具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体层，设置在第一电极与第二电极之间；第三电极，设置在第一半导体层内，隔着绝缘体的一部分与第一半导体层对置；第二导电型的第二半导体层，设置在第一半导体层与第二电极之间，具有位于第一电极侧的下表面，与第二电极电连接；第二导电型的第三半导体层，从第二半导体层向第一电极侧延伸突出，位于第一电极侧的下端位于比第二半导体层的下表面靠第一电极侧的位置，与绝缘体分离；第四电极，隔着绝缘体的另一部分与第二半导体层对置；以及第一导电型的第四半导体层，设置在第二半导体层与第二电极之间，与第二电极电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117747658A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211662621.7
申请日：2022-12-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 一种半导体装置，具备：第1电极；第1导电形的第1半导体区域，设置在第1电极的上方，与第1电极电连接；第2导电形的第2半导体区域，设置在第1半导体区域上；第1导电形的第3半导体区域，设置在第2半导体区域上；第2电极，隔着第1绝缘膜设置在第1半导体区域中；第3电极，在第2方向上，隔着第1半导体区域的一部分、第2及第3半导体区域以及第2绝缘膜与第1绝缘膜对置；第4电极，在第2方向上具有与第2半导体区域的一部分以及第3半导体区域相邻的部分，与第2电极、第2及第3半导体区域电连接；以及第5电极，设置在第1绝缘膜中，底部位于比部分的底部靠第1电极侧的位置，顶部位于第1绝缘膜的上表面，与第4电极电连接。
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公开(公告)号：CN114171594A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110835834.4
申请日：2021-07-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 可知刚
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 实施方式涉及一种半导体装置，具备：第1电极；与上述第1电极连接的第1导电型的第1半导体层；设置在上述第1半导体层上的上述第1导电型的第2半导体层；设置在上述第2半导体层上的第2导电型的第3半导体层；设置在上述第3半导体层上的上述第1导电型的第4半导体层；与上述第3半导体层以及上述第4半导体层连接的第2电极；从上述第4半导体层朝向上述第2半导体层延伸且与上述第3半导体层相邻的栅极；沿着从上述第4半导体层朝向上述第2半导体层的方向上延伸且与上述第2半导体层相邻的场板电极；以及设置在上述场板电极与上述第2半导体层之间且从下端到上述场板电极的下端的第1距离比到上述第1半导体层的第2距离长的第1绝缘膜。
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公开(公告)号：CN119677132A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202311719488.9
申请日：2023-12-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一电极、设于所述第一电极之上的第一导电型的第一半导体区域、设于所述第一半导体区域之上的第二导电型的第二半导体区域、设于所述第二半导体区域之上的第一导电型的第三半导体区域、隔着栅极绝缘膜设于所述第二半导体区域内的栅极电极、具有第一部分以及第二部分的接触部、以及电连接于所述接触部的第二电极。所述第一部分与所述第三半导体区域以及所述第二半导体区域的一部分并列，所述第二部分设于所述第一部分的下端，并具有比所述第三半导体区域的上端处的所述第一部分的宽度大的宽度。
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公开(公告)号：CN113380889B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202110029917.4
申请日：2021-01-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/45 , H01L29/423 , H01L29/417
Abstract: 一种能够降低电力损失的半导体装置。实施方式涉及的半导体装置具备第一电极、半导体层、第一导电部、第二导电部以及第二电极。半导体层包括与第一电极电连接的第一导电型的第一半导体区域、设置在第一半导体区域之上的第二导电型的第二半导体区域、以及设置在第二半导体区域之上的第一导电型的第三半导体区域。第一导电部包括经由第一绝缘部设置在第一半导体区域中的嵌入电极部。第二导电部包括经由第二绝缘部设置在嵌入电极部之上、且隔着栅极绝缘部与第二半导体区域对置的栅极电极部。第二电极设置在半导体层之上，并与第二半导体区域以及第三半导体区域电连接。第一导电部与第二导电部电连接。第一导电部的电阻比第二导电部的电阻大。
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公开(公告)号：CN118676190A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310739531.1
申请日：2023-06-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 可知刚
IPC: H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 实施方式涉及半导体装置。半导体装置具备：第1电极；半导体部分，设置于所述第1电极上；绝缘膜，设置于所述半导体部分上；第2电极，设置于所述绝缘膜上；第3电极，设置于所述绝缘膜上；绝缘体，设置于所述半导体部分内，在第1方向上延伸；第1导电部件，隔着所述绝缘体而设置于所述半导体部分内，在所述第1方向上延伸，与所述第3电极连接；第2导电部件，设置于所述绝缘体内，在所述第1方向上延伸，与所述第2电极连接；以及第3导电部件，设置于所述半导体部分内，在所述第1方向上从所述第2电极的正下方区域至少伸出至所述第3电极的正下方区域，与所述半导体部分及所述第2电极连接。
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